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[发明专利]一种薄膜沉积设备-CN202310919712.2在审
发明人： 刘镇颉;宋宇;柳雪;叶五毛;孙晓波;连德宝;殷皓 -专利权人：拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜沉积设备，包括：气体传输装置，其一端连接供气设备，以获取气态反应源，另一端连接反应腔；过滤装置，设置于所述气体传输装置中，用以过滤所述气态反应源中的杂质颗粒，向所述反应腔输送所述气态反应源中的反应气体；以及所述反应腔，获取所述反应气体以进行半导体沉积工艺。上述薄膜沉积设备能够及时收集气态反应源中的杂质颗粒，尤其是针对微小的杂质颗粒对其设有二次过滤，避免微小的杂质颗粒随着气流一并前行，长时间后堵塞管路中的气动阀门，不仅延长了过滤装置的使用时间，而且也延长了气动阀门的使用寿命，保证了反应腔内真空吸附功能的稳定性，进而优化薄膜沉积的颗粒度表现。
一种薄膜沉积设备

[发明专利]可控气流分布的气体喷头-CN202011643092.7有效
发明人： 刘镇颉;柳雪;柴智;祁广杰 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种可控气流分布的气体喷头，其设置于薄膜沉积装置的腔体内，且包括：第一层面板，其具有多个按第一规律分布的第一气体供给孔；第二层面板，其座靠于第一层面板上，且具有多个按第二规律分布的第二气体供给孔。其中第一规律不同于第二规律，且第一层面板和第二层面板中的一者能够相对于另一者旋转至少一定角度，使得二者可相对于彼此具有不同的第一位置和第二位置。在第一位置，所有的第一气体供给孔均未被第二层面板遮盖；在第二位置，第一气体供给孔中的一部分与相应的第二气体供给孔对准，另一部分被第二层面板遮盖。该气体喷头可调节气流分布和气流量，有助于满足不同的薄膜沉积工艺的喷射需要和提高沉积的薄膜的均匀性。
可控气流分布气体喷头

[发明专利]一种真空加热衬底设备-CN202211164987.1有效
发明人： 刘镇颉;柳雪;宋宇;魏佳楠;韩影;殷皓 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种真空加热衬底设备。本发明提供了一种真空加热衬底设备，包括衬底处理腔室、真空吸附式加热装置和压力控制系统；所述真空吸附式加热装置，设置在衬底处理腔室的内部，用于放置衬底并进行加热；所述压力控制系统包括吸附子系统、解吸附子系统、清洁子系统和压力调节子系统；所述解吸附子系统，可通断地与吸附子系统相连接，用于对衬底实现解吸附，所述解吸附子系统设置有颗粒收集器，对工艺过程中累积的颗粒进行收集。本发明提供的真空加热衬底设备，在提高衬底薄膜均匀性的同时避免了压力控制系统频繁更换的问题。
一种真空加热衬底设备

[发明专利]压力控制系统的处理方法、装置和压力控制系统-CN202211535827.3在审
发明人： 刘镇颉;叶五毛;柳雪;高级 -专利权人：拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G05D27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种压力控制系统的处理方法、装置和压力控制系统。其中，该方法包括：当衬底放置于加热装置之上时，控制吸附装置基于阀门和泵端降低吸附装置内部的压力，将衬底吸附于加热装置之上；控制吸附装置基于阀门和泵端恢复吸附装置内部的压力，将衬底解除吸附于加热装置之上；控制温度控制装置调整吸附装置的管路的温度。可以通过吸附装置进行衬底吸附和衬底解吸附，通过温度控制装置对吸附装置的管路进行温度控制，以使吸附装置的管路的温度不满足薄膜沉积的温度条件，从而阻碍薄膜沉积，解决压力控制系统堵塞及腔体颗粒污染的问题，无需频繁更换。
压力控制系统处理方法装置

[发明专利]真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法-CN202211107019.7有效
发明人：宋宇;刘镇颉 -专利权人：拓荆科技（北京）有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法，涉及半导体的技术领域。本发明提供的真空吸附式加热器包括：具有支撑面的加热盘，加热盘设有贯穿支撑面的通气口，支撑面设有多个间隔分布的凸起；加热盘的底部具有能够安装加热件的仓体，仓体开设有供气体通过的气道，且气道与通气口连通。本发明提供的真空吸附式加热器缓解了现有技术中晶圆均匀加热效果较差的技术问题。
真空吸附加热器机构处理设备方法

[发明专利]改善腔体气流均匀性的薄膜沉积装置及方法-CN202110269674.1有效
发明人： 刘镇颉;柳雪 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明是关于一种改善腔体气流均匀性的薄膜沉积装置及方法，该薄膜沉积装置包括腔体包括第一室和第二室，设置于第一室和第二室上方的进气口，设置于腔体下部中心处的泵抽气口，泵抽气口连通第一室和第二室，并与泵连接，第一室内的结构和第二室内的结构相同，薄膜沉积装置还包括：加热盘上承载基板，加热盘背离基板的一侧设有支撑柱，支撑柱位于加热盘的中心处；陶瓷环设置于第一室和第二室的侧壁上；第一隔板，设置于加热盘背离基板的一侧，第一隔板上设有第一穿过孔，支撑柱穿过第一穿过孔，第一隔板与加热盘之间设有间隔。该薄膜沉积装置使泵排气流速可控，使腔体内压力和气流均匀，优化薄膜的均匀性，提高泵排气流速减少残留物。
改善气流均匀薄膜沉积装置方法

[实用新型]一种半导体用气体喷头-CN202221515006.9有效
发明人： 刘镇颉;柳雪 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体用气体喷头，涉及半导体技术领域，包括第一喷头部分，其上设有若干第一通气孔，第二喷头部分，与所述第一喷头部分固定连接，所述第二喷头部分上设有若干与所述第一通气孔对应连通的第二通气孔，以及若干开设在所述第二喷头部分的第一表面上的冷却槽，所述第一表面为与所述第一喷头部分对接的表面，所述冷却槽分布在若干所述第二通气孔之间，这样的设置能够提高对半导体用气体喷头的冷却降温效果，有效减少了臭氧的提前分解，提高了硅片表面薄膜沉积速率提高产能，并同时改善了薄膜颗粒度及均匀性的技术效果。
一种半导体气体喷头

[发明专利]改善薄膜颗粒度装置及其气体输送方法-CN202210935163.3在审
发明人： 刘镇颉;柳雪 -专利权人：拓荆科技(北京)有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善薄膜颗粒度装置及其气体输送方法，涉及半导体沉积设备的技术领域，包括反应主体和气体喷头；反应主体内设置有反应腔室，气体喷头上设置有第一进气通道和第二进气通道，第一气体能够进行沉积反应，也可以利用第一气体对反应腔室内清洁；第二气体能够在反应腔室的侧壁形成第二气体保护层，也可以利用第二气体对反应腔室的侧壁位置进行清洁，通过在沉积过程中减少副产物的累计，还能够提高清洁过程对反应腔室的内表面污染物残留层的全面清洁，改善薄膜颗粒度，缓解了现有技术中存在的在沉积和清洁过程中，会在反应腔室内表面形成污染物残留层，影响薄膜颗粒度性能的技术问题。
改善薄膜颗粒装置及其气体输送方法

[实用新型]臭氧浓度控制系统及半导体设备-CN202220684428.2有效
发明人：柳雪;杨德赞;张义明;祁广杰;刘镇颉 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种臭氧浓度控制系统及半导体设备，该臭氧浓度控制系统，包括：臭氧进气管路、臭氧浓度检测部件和控制单元、气箱和臭氧发生器；气箱包括主出气口和检测口，臭氧浓度检测部件的进气口通过臭氧进气管路与检测口连通；臭氧浓度检测部件用于实时采集所述臭氧进气管路中的臭氧浓度，控制单元与臭氧浓度检测部件和臭氧发生器均电连接，用于获取所述臭氧浓度，并根据所述臭氧浓度与臭氧发生器的预设臭氧浓度之间的差值，调节臭氧发生器的臭氧输出浓度，使得实际输出的浓度达到浓度标准要求，从而降低了同一机台不同时期以及不同腔体之间的工艺差异性，进而提升工艺稳定性。
臭氧浓度控制系统半导体设备

[发明专利]一种薄膜沉积装置及其沉积方法-CN202210425819.7在审
发明人： 刘镇颉;柳雪 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本申请提供了一种薄膜沉积装置及其沉积方法，涉及半导体技术领域；该装置包括壳体，所述壳体内设置有反应室和环形抽气室；所述反应室与所述环形抽气室之间设置有环形抽气通道；其中，所述壳体上设置有用于向所述环形抽气室注入第二气体的第二气体进气口，所述环形抽气室上设置有抽气口。本申请公开了一种薄膜沉积方法。本申请提供的薄膜沉积装置及其沉积方法可以减少薄膜沉积过程中的沉积在装置内的薄膜材料，减少装置清洗，提高产能。
一种薄膜沉积装置及其方法

[发明专利]一种薄膜沉积装置和薄膜沉积方法-CN202110428360.1在审
发明人： 刘镇颉;柳雪 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜沉积装置和薄膜沉积方法，其中一种薄膜沉积装置包括：反应腔室、承载座，所述承载座设置于反应腔室中，用于承载基板；所述反应腔室上部设有第一进气口，反应腔室下部设有第二气体进气口和泵抽气口，所述反应腔室内的两侧设有环形侧壁，所述反应腔室内还设有分隔板和第二气体出气环；本发明提供的一种薄膜沉积装置，可与薄膜沉积工艺同步进行，减少清洗时间提高产能，并改善腔体及薄膜颗粒度；本发明提供的薄膜沉积方法，通过腔体侧壁形成气环降低腔体侧壁的温度，通过惰性气体稀释腔体底部的反应源浓度，防止薄膜累积过多及清除不彻底而产生的颗粒，改善了腔体及薄膜颗粒度。
一种薄膜沉积装置方法

[发明专利]臭氧浓度检测装置、检测系统及检测方法-CN202110320294.6在审
发明人：柳雪;杨德赞;张义明;祁广杰;刘镇颉 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种臭氧浓度检测装置、检测系统及检测方法，其中臭氧浓度检测装置包括臭氧进气管路、臭氧出气管路、臭氧浓度计和控制盒，所述臭氧浓度计两端分别和臭氧进气管路、臭氧出气管路连接，所述控制盒安装于臭氧浓度计上；其中所述控制盒包括用于给所述臭氧浓度计供电的电源模块及数字显示器、臭氧浓度采集、检测单元。本发明提供的一种臭氧浓度检测装置，可以作为一个独立的工装应用于同一机台或者不同机台，检测不同设备的臭氧浓度；将该装置置于检测系统中，能够精确检测臭氧进入腔体前的浓度，检测时间快，应用一种臭氧浓度检测方法可以实现现场检测，成本低，具有生产经济价值，可以帮助解决不同腔体之间的工艺差异性。
臭氧浓度检测装置系统方法

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