[发明专利]一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法

摘要

本申请涉及一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。其中处理设备包括反应室、加热装置和真空室。反应室内形成反应腔。加热装置包括加热室。加热室套设于反应室外。真空室内形成真空腔，反应室和加热装置设置于真空腔内。该结构的设置，实现了待反应物从传片到进入反应腔内始终保持真空状态，无需破真空，进而待反应物无需与大气接触，以使得待反应物之间气体流阻更加一致，能够有效提高待反应物之间的膜厚均匀性。同时，能够避免反应腔内待反应物在发生反应时，不会受到大气压强以及大气温度的干扰，以保证反应腔内气体的均匀性，使得待反应物之间气体流阻的一致性更好，进而待反应物之间的膜厚均匀性也更好。