[发明专利]加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻

摘要

本发明涉及加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻，具体涉及一种蚀刻等离子体处理室中的衬底的方法，该等离子体处理室至少具有初级等离子体产生区域和通过半阻挡结构与所述初级等离子体产生区域分开的次级等离子体产生区域。所述方法包括从初级等离子体产生区域中的初级原料气体产生初级等离子体。该方法还包括从次级离子体产生区域中的次级原料气体产生次级等离子体，以使从次级等离子体中产生的物质中的至少一些能够迁移至初级等离子体产生区域。所述方法另外包括在用来自次级等离子体的迁移物质来加强初级等离子体之后用该初级等离子体蚀刻衬底。

主权项

一种用于蚀刻等离子体处理室中的衬底的方法，该等离子体处理室具有初级等离子体产生区域和通过半阻挡结构与所述初级等离子体产生区域分开的次级等离子体产生区域，该方法包括：从提供到所述初级等离子体产生区域的初级原料气体产生初级等离子体；从提供到所述次级等离子体产生区域的次级原料气体产生次级等离子体，使得中性物质从所述次级等离子体产生区域通过所述半阻挡结构迁移至所述初级等离子体产生区域；从提供到所述次级等离子体产生区域的第二次级原料气体产生第三等离子体，使得第二物质从所述次级等离子体产生区域通过所述半阻挡结构迁移至所述初级等离子体产生区域；以及将所述衬底暴露于所述初级等离子体产生区域中的物质以蚀刻所述衬底，其中所述初级原料气体从所述等离子体处理室的外部提供到所述初级等离子体产生区域。