[发明专利]多沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202310971536.7 | 申请日： | 2023-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN116682859B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张跃;张腾;黄润华;柏松;杨勇 | 申请（专利权）人： | 南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 | 代理人： | 杨雷 |
| 地址： | 211111 江苏省南京市江宁经济技术*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法，该碳化硅MOSFET器件包括第一、第二沟槽，第一导电类型衬底、外延层和源区，第二导电类型阱区。沿垂直于xz平面的方向通过刻蚀形成第一、第二沟槽，第一、第二沟槽沿x方向贯穿器件有源区。于第一、第二沟槽中形成栅介质和栅电极，正向导通工作条件下，栅电极、栅介质以及第二导电类型阱区形成了五条不同位置的沟道，有效增大了沟道宽度。本结构通过引入沟槽结构以增大沟道宽度，同时规避了沟槽结构固有的栅介质易击穿问题。通过增大沟道宽度，在不损害击穿特性的前提下，明显降低了沟道电阻，进而有效提升器件的导通特性。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 碳化硅 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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