[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310446531.2 | 申请日： | 2023-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN116960180A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 大森和幸;山口直 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H10B51/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁;姚宗妮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种铁电存储器单元包括形成在半导体衬底上的顺电膜和形成在顺电膜上的铁电层。铁电层包括铁电膜和多个晶粒。铁电膜由包含金属氧化物和第一元素的材料制成。多个晶粒由与形成铁电膜的材料不同的材料制成，并且由铁电体制成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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