[发明专利]基于范德华外延制备二维非层状结构单种元素薄膜的方法在审
| 申请号： | 202310144188.6 | 申请日： | 2023-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN116163012A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 何军;程瑞清;姜健 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/02;C30B23/02;H10N50/01;H10N50/85 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 马丽娜 |
| 地址： | 430000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种二维非层状结构单种元素薄膜及其制备方法和应用，该方法采用气相沉积法将单种元素沉积在生长衬底上，进行范德华外延生长，得到二维非层状结构单种元素薄膜；该生长衬底为层状材料或表面附有层状材料薄膜的非层状材料。本申请将层状材料或表面附有层状材料薄膜的非层状材料作为生长衬底，有效降低了界面应力作用，减少了界面缺陷、位错等不良因素，解决了二维非层状结构单种元素薄膜面临的多物理失配限制问题，从而实现将二维非层状结构单种元素薄膜集成在不同衬底上，该方法具有一定的普适性，制备成本低、尺寸和厚度可调，最薄厚度可达几纳米。该方法制备出的二维非层状结构单种元素薄膜结晶质量高、环境稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 范德华 外延 制备 二维 层状 结构 元素 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310144188.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种大尺寸单晶金刚石拼接生长方法-202111195697.9
- 邹广田;李根壮;吕宪义;王启亮;李柳暗;谢文良;林旺;董成威 - 吉林大学;吉林大学深圳研究院
- 2021-10-14 - 2023-10-24 - C30B25/02
- 本发明的一种大尺寸单晶金刚石拼接生长方法属于晶体生长技术领域，首先选取1片(100)取向的单晶金刚石作为衬底模板，在衬底模板表面生长单晶金刚石外延层并切割剥离，重复此操作获得多片晶体取向严格一致的高质量单晶金刚石外延片；研磨、抛光、清洗后放入CVD设备中生长1～4h，以观察样品表面台阶流生长方向；然后将外延片沿台阶流生长方向平行的方式进行排列，作为拼接衬底，在拼接衬底表面生长单晶金刚石外延层，并切割剥离，得到大尺寸高质量单晶金刚石。本发明在拼接缝处晶体的方向一致，拼接缝能够自然平缓的弥合，外延生长的晶体质量无明显退化，同时提高了单晶金刚石拼接生长的尺寸极限。
- 一种晶圆的外延生长装置和外延生长方法-202310680010.3
- 周长健;张文倩;陈一德;唐军;潘尧波 - 中电化合物半导体有限公司
- 2023-06-08 - 2023-10-13 - C30B25/02
- 本发明公开了一种晶圆的外延生长装置和外延生长方法，所述外延生长装置包括：过渡腔室；第一缓存腔室，设置在所述过渡腔室的一侧；第二缓存腔室，设置在所述过渡腔室的一侧，靠近所述第一缓存腔室设置，且所述第二缓存腔室内设置有载盘；反应腔，设置在所述过渡腔室的一侧，且所述第二缓存腔室设置在所述反应腔室和所述第一缓存腔室之间；传输单元，设置在所述过渡腔室内，用于传递和承载晶圆和/或所述载盘；以及温度调节单元，设置在所述过渡腔室和所述第二缓存腔室的腔壁上，且所述温度调节单元在200℃～1500℃进行温度调节。通过本发明提供的一种晶圆的外延生长装置和外延生长方法，可提高晶圆外延生长的产量和效率。
- 一种石墨盘的清理方法-202310897190.0
- 张雨;颜建;黄勇 - 苏州晶歌半导体有限公司
- 2023-07-21 - 2023-10-13 - C30B25/02
- 本发明公开了一种石墨盘的清理方法，包括：在石墨盘的表面上位于衬底槽之外的区域生长第一半导体材料层；在石墨盘的衬底槽内放置晶圆基底，在晶圆基底以及第一半导体层上生长第二半导体材料层；取出晶圆基底并在石墨盘的表面上位于衬底槽之外的第二半导体材料层上生长第三半导体材料层，使得石墨盘表面的沉积物爆皮脱落；使用吸附设备清除在石墨盘表面爆皮脱落的沉积物；其中，第一半导体材料、第二半导体材料以及第三半导体材料的晶格常数依次增大，第三半导体材料与第一半导体材料的晶格失配度为5%~20%。本发明对石墨盘的清理全过程均是在MOCVD设备的反应室中进行，清理完成后可以快速继续上线使用进行下一轮的半导体材料生长。
- 一种大尺寸外延硅片缺陷控制方法-202310693575.5
- 王锡铭;张俊宝;陈猛 - 上海超硅半导体股份有限公司
- 2023-06-13 - 2023-09-22 - C30B25/02
- 本发明公开了一种大尺寸外延硅缺陷控制方法，本方法主要通过对生长工艺中各环节进行设计，其步骤如下：S1：将硅片至于外延反应腔内；S2：升高反应室温度，通入H
- 基底转移的堆叠光学涂层-202210232338.4
- G·科尔;V·威特沃;L·W·佩纳;G·温克勒;A·迈尔;O·赫克尔;D·福尔曼 - 统雷有限公司
- 2022-03-09 - 2023-09-19 - C30B25/02
- 用于制造混合光学涂层和混合反射镜组件的方法，所述方法包括：a)通过外延生长技术在第一主体基底上提供第一光学涂层，所述第一光学涂层具有交替的高折射率和低折射率的结晶材料层；b)通过物理气相沉积(PVD)技术在第二主体基底上提供第二光学涂层，所述第二光学涂层具有交替的高折射率和低折射率的介质材料层；c)将所述第一光学涂层与所述第二光学涂层直接结合；以及d)去除所述第一主体基底。
- 真空互联传样系统及其传样方法-202310666225.X
- 马栋梁;陈意桥 - 苏州焜原光电有限公司
- 2023-06-07 - 2023-09-15 - C30B25/02
- 本发明涉及一种真空互联传样系统及其传样方法，其中系统包括多个通过插板阀隔断的MBE生长室、MBE缓冲室、真空互联室、MOCVD装载室和MOCVD生长室；其中，真空互联室内设有真空控制模块、圆心校正模块和取样机械手；真空控制模块控制和保持真空互联室的真空度，圆心校正模块纠正晶圆的圆心位置，取样机械手包括安装于固定座的第一机械臂和第二机械臂，第一机械臂被设置为从MBE缓冲室或MOCVD装载室抓取晶圆，第二机械臂被设置为抓取晶圆载盘。本发明结构简单，容易实现，操作性好，安全性高，灵活性高，可大规模普及或者小范围使用。
- 一种生长硅锗外延的方法、外延片及器件-202310701465.9
- 龚正致;廖世容;李超翰 - 浙江光特科技有限公司
- 2023-06-13 - 2023-09-12 - C30B25/02
- 本发明提供了一种生长硅锗外延的方法，外延片及器件，方法包括：确定每一个FK通道对应的目标吸收波长，获取对应于目标吸收波长的生长外延的菜单，根据预先建立的吸收波长与虚拟图形密度之间的关联关系，识别出目标吸收波长对应的目标密度；根据所述目标密度以及对应的目标FK通道，制作对应的目标光刻板；根据所述目标光刻板，根据所述生长外延的菜单实施外延的生产，其中，外延生产得到的芯片用于封装光的多波长调制器件。应用本发明实施例，可以实现光的光的多波长调制。
- 一种过渡金属硫族化合物晶圆及其制备方法和装置-202310687180.4
- 刘开辉;刘灿;吴慕鸿;薛国栋;殷鹏 - 北京大学
- 2023-06-09 - 2023-09-05 - C30B25/02
- 本申请涉及一种过渡金属硫族化合物晶圆及其制备方法和装置，属于二维材料技术领域。该制备方法，包括：S1.组装生长模块；S2.将组装好的生长模块进行垂直堆叠，得到组合生长模块；将组合生长模块置于容器中，在惰性气体保护氛围下，升温至预定温度，进行化学气相沉积，得到晶圆。该方法采用“面对面”局域元素供应技术且选择高反应活性前驱体，能够有效解决传统模式“点对面”扩散生长源供应不均匀的问题；采取本申请的前驱体元素供应方法，能够大幅度扩展制备晶圆尺寸，扩展单片过渡金属硫族化合物晶圆尺寸至12英寸及以上，达到与当代半导体工艺兼容水平；且能够通过连续堆叠生长模块实现多片晶圆批量化生产。
- 一种适用于深紫外发光二极管的外延工艺恢复方法-202310579383.1
- 岳金顺;张骏;张毅;陈景文 - 苏州紫灿科技有限公司
- 2023-05-22 - 2023-09-05 - C30B25/02
- 本发明通过提供一种适用于深紫外发光二极管的外延工艺恢复方法，该外延工艺恢复方法包括：首先对经过外延工艺处理后的反应腔进行加热烘烤并通入氢气，之后在反应腔中通入镁源和氨气，以在反应腔的内壁上形成第一镀层，之后在反应腔中通入铝源、镁源和氨气，以在第一镀层上形成第二镀层，之后在反应腔中通入铝源、镓源、镁源和氨气，以在第二镀层上形成第三镀层，之后，在反应腔中通入镓源、镁源和氨气，以在第三镀层上形成第四镀层，最后在反应腔中同时通入镁源和氨气，以在第四镀层上形成第五镀层；上述外延工艺恢复方法可以快速地恢复了深紫外发光二极管所需的生长环境，同时还为整个生长环境提供一个富镁的环境。
- 一种单层MoS
- 刘向晔;陈继鹏;官操;张平婷;杨努特 - 西北工业大学
- 2023-04-19 - 2023-08-29 - C30B25/02
- 本发明一种单层MoS
- SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法-202210915294.5
- 田中健胜;梅田喜一 - 株式会社力森诺科
- 2022-08-01 - 2023-08-25 - C30B25/02
- 目的在于得到硼的含有量少的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，所述外延层的中心处的所述硼的浓度小于5.0×10
- 一种自锁夹紧装置及碳化硅外延设备-202320454053.5
- 郑英杰;蒋家旺;韩跃斌 - 芯三代半导体科技（苏州）有限公司
- 2023-03-11 - 2023-08-22 - C30B25/02
- 本申请公开一种自锁夹紧装置及碳化硅外延设备。该自锁夹紧装置包括：待锁紧组件，所述待锁紧组件沿压紧方向上开设有通孔，所述待锁紧组件对应通孔位置处设置有锁紧调整块；驱动件，所述驱动件上连接设置有推杆，所述推杆穿设在所述通孔和所述锁紧调整块内，所述锁紧调整块靠近所述推杆轴心的一侧设置有倾斜面；所述推杆周向套设有锁紧套，所述推杆与所述锁紧套间隙配合，所述推杆包括有直杆部和让位槽部，所述让位槽部设置向推杆中心凹陷形成让位槽；所述锁紧套周向开设有安装孔，所述安装孔内设置有圆球。通过上述方式，本申请能够在驱动件处于无动力状态下依旧保证待锁紧组件的锁紧状态，实现待锁紧组件的自锁，锁紧效果好。
- 一种集成MBE装置的激光加工系统-202310611288.5
- 刘胜;东芳;甘志银;沈桥;雷诚;翁跃云;芦相宇;刘剑辉;周易岗 - 武汉大学
- 2023-05-29 - 2023-08-18 - C30B25/02
- 本发明提出了一种集成MBE装置的激光加工系统，包括MBE生长室、样品台、光路机构、隔热机构和冷却机构，MBE生长室的一侧设有开口；样品台固定在MBE生长室的内部，且与开口的位置相对应，样品台用于放置衬底样品材料；光路机构相对设置于MBE生长室的一侧，且光路机构上设有出光端，出光端的一侧贯穿MBE生长室的开口并伸入其内部，并与样品台呈相对间隔设置，光路机构与MBE生长室的开口处密封连接，本系统将光路机构集成于MBE装置内，将光路机构集成到MBE装置内，采用激光直写的方式近距离对样品加工，提高了激光聚焦能力，有效保证了激光加工的精度和质量。
- 气相生长装置及其使用方法-202310455057.X
- 傅林坚;陈聪;曹建伟;刘毅;张磊 - 浙江求是半导体设备有限公司
- 2023-04-21 - 2023-08-08 - C30B25/02
- 本发明公开了一种气相生长装置及其使用方法，所述气相生长装置包括中转室、供料室、装载室和多个反应室，所述中转室内设有用于转运晶圆和托盘的第一机械手，所述供料室具有用于取放所述晶圆的进出口，所述供料室上设有第一阀门，所述第一阀门用于打开或关闭所述进出口。所述供料室与所述中转室之间设有第二阀门，所述第二阀门用于连通或分隔所述供料室和所述中转室，所述装载室与所述中转室连通，所述装载室用于将所述晶圆装载在所述托盘上，所述反应室与所述中转室连通，每个所述反应室与所述中转室之间设有第三阀门，所述第三阀门用于连通或分隔所述反应室和所述中转室。本发明的实施例的气相生长装置具有设备利用率高和空间利用率高等优点。
- 一种烤炉保养后的复机方法-202310296622.2
- 马野;宋水燕;陈灵燕;宋振雄;刘恒山 - 福建兆元光电有限公司
- 2023-03-24 - 2023-08-01 - C30B25/02
- 本发明涉及半导体设备领域，具体涉及一种烤炉保养后的复机方法。该复机方法，依次调整高温烤炉的反应腔为以下状态：温度为360℃，向反应腔中通入20～40min的N
- 质量评价方法、评价用硅的制造系统、评价用硅的制造方法及评价用硅-202310025913.8
- 星野成大;山岸成俊;吉田敦;石田昌彦 - 信越化学工业株式会社
- 2023-01-09 - 2023-07-28 - C30B25/02
- 本发明的质量评价方法包含：生成评价用硅的工序,在反应器20内生长多晶硅的同时,生长从芯线9沿径向延伸的单晶硅；以及使用所述单晶硅进行评价的工序。
- 一种半导体外延方法-202310444624.1
- 夏明月;王俊;郭银涛;肖啸;程洋 - 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 2023-04-24 - 2023-07-25 - C30B25/02
- 本发明提供一种半导体外延方法，包括：在保护件的第一面形成第一半导体膜，所述第一半导体膜的热辐射系数大于保护件的热辐射系数；形成第一半导体膜之后，调整保护件的位置使第一面朝向腔盖主体；将腔盖密封盖住腔主体的顶部，在所述保护件的第二面形成第二半导体膜；将腔盖从腔主体上打开，取出陪片，在所述基台上放置衬底；将腔盖密封盖住腔主体的顶部，在所述衬底的上表面形成外延层，所述第二半导体膜用于粘附形成外延层过程中产生的副产物。所述半导体外延方法减少外延缺陷。
- 一种外延炉的阀门隔热装置及外延炉-202210438710.7
- 伍三忠;徐俊;王慧勇;刘欣然;盛飞龙 - 季华实验室
- 2022-04-21 - 2023-07-25 - C30B25/02
- 本发明属于外延生长技术领域，特别涉及一种外延炉的阀门隔热装置及外延炉，其中，外延炉的阀门隔热装置包括：法兰，用于连接外延炉的反应室和外延炉的传输阀，法兰上设有用于进行衬底上下料的传输口；装置还包括：隔热挡板，活动安装在法兰靠近反应室的一侧；驱动机构，安装在法兰上，且与隔热挡板连接，用于根据反应室的运行状态驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输口；该装置能根据反应室的运行状态利用驱动机构驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输阀与反应室之间的法兰上的传输口，从而减少了传输阀的温升，有效避免了传输阀的阀板因高温而损耗使用寿命，并有效减少反应室内高温对传输室内温度的影响。
- 一种MOCVD外延单晶硅的生长工艺及外延单晶硅-202310153404.3
- 李京波;刘海毅;汤赛君;王小周;龚彬彬;韩理想 - 浙江芯科半导体有限公司
- 2023-02-10 - 2023-07-04 - C30B25/02
- 本申请公开了一种MOCVD外延单晶硅的生长工艺及外延单晶硅，工艺包括：在MOCVD设备的石墨转盘上设置衬底，衬底包括自然氧化硅层；设置初始反应腔体压力，通入第一气流源；通入H
- 一种立式成膜设备-202223489129.2
- 刘鹏;徐文立;高炀;沈磊 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
- 2022-12-26 - 2023-06-27 - C30B25/02
- 本实用新型公开一种立式成膜设备，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室、基座、旋转室和旋转轴；进气室设置于反应室顶部；反应室内设置有基座；反应室下方设置有旋转室，旋转轴设置于旋转室内，且旋转轴的顶部伸入反应室内与基座相连接；基座内设置有提升立柱，提升立柱顶部设置有发热体，提升立柱的底部与一提升杆的顶部相连接，提升杆的底部与驱动机构相连接；旋转轴为中空轴，提升杆设置于旋转轴内。本实用新型中的立式成膜设备，成膜工艺时基座由旋转轴带动旋转，使用中空电机时可于内部安装中空主轴，电机直接带动主轴旋转，基座内部的功能部件均可从主轴中间穿过，整体结构简化同时避免侧向力的影响。
- 用于柔性衬底外延生长大尺寸GaN的卷对卷设备和方法-202310071867.5
- 杨军;姜平;孔玮 - 西湖烟山科技（杭州）有限公司
- 2023-02-07 - 2023-06-23 - C30B25/02
- 本发明属于外延生长材料的技术领域，涉及一种用于柔性衬底外延生长大尺寸GaN的卷对卷设备和方法，该设备包括：真空腔室、真空过渡腔室、常压腔室及连通所述真空腔室、真空过渡腔室、常压腔室的柔性基带传输系统；柔性衬底利用柔性基带传输系统，经真空腔室沉积生长缓冲层后传出，由真空过渡腔室过渡环境压强至常压下，最后进入常压腔室进行柔性衬底的外延生长GaN膜层。此设备结构设计合理，能高效实现大尺寸柔性带材基底的GaN膜层外延生长，克服了传统柔性外延GaN的工艺步骤繁琐、生长面积小等难题，同时卷对卷设备可以连续、稳定生产柔性外延GaN，可以实现大尺寸GaN衬底的制备，这有助于大幅度降低GaN的成本，推动GaN的产业发展。
- GaN高阻层制备方法及GaN的HEMT器件制备方法-202310264832.3
- 请求不公布姓名 - 无锡先为科技有限公司
- 2023-03-17 - 2023-06-23 - C30B25/02
- 本发明公开了一种GaN高阻层制备方法及GaN的HEMT器件制备方法，所述GaN高阻层制备方法，其通过MOCVD设备制备，包括：至少一个衬底层，GaN高阻层基于衬底层外延生长；衬底层至少包括成核和/或外延生长的预处理阶段；衬底层进行预处理时采用的反应气体中的Ga源为TMGa；在制备GaN高阻层时，独立供给进行掺杂的C源并且反应气体中的Ga源切换为TEGa，生长温度为900‑1100℃，在此生长温度下TEGa比TMGa更不易分解出利于Ga‑C键形成的活性C原子，以避免可用于掺杂的C源的浓度分布受Ga源的分解反应的影响。本发明提供的高阻层具有均匀的电阻率分布。
- 外延生长检测方法-202310291626.1
- 丁雄傑;刘薇;李焕婷;张红;周泽成;邱树杰;李浩然;李锡光 - 广东天域半导体股份有限公司
- 2023-03-22 - 2023-06-23 - C30B25/02
- 本发明公开了一种外延生长检测方法，提供一衬底托盘，所述衬底托盘上具有主容置槽和副容置槽；所述生长检测方法包括：步骤1，将生长衬底放置在所述主容置槽，将参考衬底放置于所述副容置槽；步骤2，控制所述衬底托盘匀速旋转并在所述衬底托盘上的衬底生长外延层，以使所述生长衬底上形成外延层的同时，所述参考衬底上形成参考外延层；步骤3，测试所述参考外延层的镀膜参数以作为所述外延层的检测参数。与现有技术相比，本发明可在生长衬底上生长的外延层的同时在参考衬底上生长参考外延层，检测参考外延层的参数以作为生长衬底上外延层的参数，无需破坏产品上的外延层结构。
- 一种晶圆级外延薄膜及其制备方法-202310404521.2
- 张易军;王虹;任巍;叶作光;王瑞康 - 西安交通大学
- 2023-04-14 - 2023-06-13 - C30B25/02
- 本发明属于半导体材料薄膜技术领域，公开了一种晶圆级外延薄膜及其制备方法。该掺杂异质外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：将衬底放入原子层沉积设备的真空反应腔中，加热至预设温度，然后采用M源对衬底进行功能化处理；向真空反应腔中依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源；然后脉冲掺杂原子的前驱体源、M源：依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源，得到A
- 一种二维钼碲合金及超高真空下制备二维钼碲合金的方法-202310054569.5
- 潘泽敏;张辉;简涛;张晨栋 - 武汉大学
- 2023-02-03 - 2023-06-06 - C30B25/02
- 本发明公开了一种二维钼碲合金及超高真空下制备二维钼碲合金的方法，该方法包括：超高真空环境下，通过分子束外延法制备2H相的MoTe
- 基于范德华外延制备二维非层状结构单种元素薄膜的方法-202310144188.6
- 何军;程瑞清;姜健 - 武汉大学
- 2023-02-21 - 2023-05-26 - C30B25/02
- 本申请公开了一种二维非层状结构单种元素薄膜及其制备方法和应用，该方法采用气相沉积法将单种元素沉积在生长衬底上，进行范德华外延生长，得到二维非层状结构单种元素薄膜；该生长衬底为层状材料或表面附有层状材料薄膜的非层状材料。本申请将层状材料或表面附有层状材料薄膜的非层状材料作为生长衬底，有效降低了界面应力作用，减少了界面缺陷、位错等不良因素，解决了二维非层状结构单种元素薄膜面临的多物理失配限制问题，从而实现将二维非层状结构单种元素薄膜集成在不同衬底上，该方法具有一定的普适性，制备成本低、尺寸和厚度可调，最薄厚度可达几纳米。该方法制备出的二维非层状结构单种元素薄膜结晶质量高、环境稳定性好。
- 去除石墨件碳化硅沉积层的设备及方法-202310176790.8
- 沈棽;江宏富;张春伟;林波;耿庆智;钟倩鸣;齐兰兰 - 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
- 2023-02-22 - 2023-05-16 - C30B25/02
- 本发明公开了去除石墨件碳化硅沉积层的设备及方法，该设备包括设备本体、切割组件、控制组件、风机过滤机组和真空除尘装置，所述设备本体包括自上而下的第一腔体和第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体之间设有镂空操作台，所述第一腔体上设有进风口，所述镂空操作台上设有可拆卸的夹持工装；所述切割组件可移动地设在所述第一腔体的顶部；所述控制组件与所述切割组件连接；所述风机过滤机组设在所述设备本体上且与所述进风口连通；所述真空除尘装置设在所述第二腔体内。采用该设备可以有效去除石墨件碳化硅沉积层，并确保石墨件碳化硅涂层的完整性，进而减少因石墨件裸露在高温反应腔室中释放颗粒而产生的外延层缺陷。
- 半导体制造设备及方法-202211271142.2
- 梁舰;张正杰;王智伟 - 苏州立琻半导体有限公司;材料科学姑苏实验室
- 2022-10-18 - 2023-05-09 - C30B25/02
- 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种半导体制造设备及方法，该半导体制造设备包括真空反应腔体和控制器；真空反应腔体内设置有反应气体的喷淋组件、反应台和膜厚监测组件；控制器能获取膜厚监测组件测得反应台上外延衬底的生长膜厚分布信息，并控制喷淋组件调控反应气体在真空反应腔体内的分布；喷淋组件中，若干调气孔分散设于喷淋壳体面向反应台的一侧；调节组件包括安装板、阵列驱动电路和若干气体微控器件；安装板设有若干安装孔，气体微控器件设于安装孔处，气体微控器件能够被阵列驱动电路分别控制，调控安装孔的出气面积；安装孔连通喷淋腔与调气孔。上述设置有利于提高外延晶片厚度的均匀性。
- 外延生长方法及外延硅片-202211677623.3
- 张远超;王力;梁鹏欢;张奔 - 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 2022-12-26 - 2023-04-25 - C30B25/02
- 本发明提供了一种外延生长方法及外延硅片，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室和位于所述反应腔室内的基座，所述外延生长方法包括：将抛光后的硅片放置在所述基座上；利用硅源气体在抛光后的硅片上依次沉积预制层和外延层，使得所述预制层的致密度高于所述外延层的致密度。本发明的技术方案能够抑制或防止重掺衬底中的杂质向外延层的扩散，减小重掺外延片的过渡区宽度。
- SiC锭和SiC晶片-202211254037.8
- 西原祯孝 - 昭和电工株式会社
- 2022-10-13 - 2023-04-21 - C30B25/02
- 本发明的目的在于提供一种能够在事后确定标记前的晶片发生了更换的SiC锭。本实施方式涉及的SiC锭，具有晶种和在晶种上生长的单晶，所述单晶在内部具有在生长方向上贯穿的微管，当对从所述单晶沿着与所述生长方向交叉的方向切出的多个晶片进行光致发光观察时，所述多个晶片之中从最接近所述晶种的位置切出的第1晶片中的所述微管の的S/N比，高于从比所述第1晶片远离所述晶种的位置切出的第2晶片中的所述微管的S/N比。
- 专利分类
