专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种碳化硅外延炉载盘气浮装置-CN202310873815.X在审
  • 王小周;汤赛君;韩理想;张梦龙;李京波;郑筌升;雷剑鹏;李梅溶 - 浙江芯科半导体有限公司
  • 2023-07-17 - 2023-10-13 - C30B25/14
  • 本发明属外延炉载盘气浮装置技术领域,提供了一种碳化硅外延炉载盘气浮装置,包括炉腔,炉腔内部设置有圆形基座,还包括转动安装在圆形基座上表面的圆形载盘,在圆形基座外表面设置有氢气进气口,在圆形基座上表面均匀设置有若干通气孔,若干通气孔对称分布且距离圆形基座中心距离相等,炉腔一侧设置有工艺进气口。本发明通过碳化硅外延生长炉为石墨构件,但是高温下充入的氢气会对石墨产生刻蚀,容易给碳化硅外延生长带来大量缺陷,因此需要将各个部件的外表面涂覆碳化钽涂层,避免高温下氢气对石墨进行刻蚀,影响碳化硅外延生长以及影响炉体及其各部件的使用寿命,同时能够降低石墨粉的析出而导致的腔室颗粒污染问题。
  • 一种碳化硅外延炉载盘气浮装置
  • [发明专利]一种MOCVD外延单晶硅的生长工艺及外延单晶硅-CN202310153404.3在审
  • 李京波;刘海毅;汤赛君;王小周;龚彬彬;韩理想 - 浙江芯科半导体有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-07-04 - C30B25/02
  • 本申请公开了一种MOCVD外延单晶硅的生长工艺及外延单晶硅,工艺包括:在MOCVD设备的石墨转盘上设置衬底,衬底包括自然氧化硅层;设置初始反应腔体压力,通入第一气流源;通入H2,对石墨转盘进行升温处理;使用H2去除自然氧化硅层上的氧化硅;调控生长温度为800~1000摄氏度,生长压强为95~200torr;抽空反应腔体内的气体,向反应腔体内稳定通入SiH4形成单晶硅缓冲层;继续向反应腔体内稳定通入SiH4形成单晶硅外延层;停止通入SiH4,对石墨转盘进行降温。采用SiH4以及H2作为气流源来反应生成单晶硅外延层,避免生成副产物HCl;控制低温低压的生长环境来生成单晶硅外延层,降低了固相外扩散程度,使衬底的杂质更难进入外延层,生长出高质量的单晶硅外延层。
  • 一种mocvd外延单晶硅生长工艺

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