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- [发明专利]一种磁性可调的磁性绝缘体薄膜-CN202310655707.5在审
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刘涛;陈姝瑶;谭碧;谢云飞;刘冬华;邓龙江
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电子科技大学
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2023-06-05
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2023-08-29
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H10N50/85
- 本发明属于磁性材料技术领域，具体涉及一种磁性可调的磁性绝缘体薄膜，可应用于磁性存储器件。本发明为[磁性层/非磁层]×n或[非磁层1/磁性层/非磁层2]×n垂直磁化的超晶格结构薄膜，采用结构相同、晶格常数相近的磁性层和非磁层；相对于单层磁性薄膜来说，超晶格结构可以最大化磁性层里面的应力，减小磁性层内因为应力释放而造成的晶格缺陷，因而薄膜质量更高、性质更可控；从而可通过改变磁性层的厚度和超晶格膜周期数n调控超晶格薄膜中非常强的界面效应，实现垂直磁各向异性、磁阻尼系数和DMI磁性能调控。有效解决了现有垂直磁性绝缘体垂直磁各向异性低、磁阻尼系数大、DMI弱的问题。
- 一种磁性可调绝缘体薄膜
- [发明专利]可调控Co2-CN202110255553.1有效
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李明华;陈宇;许铭扬;李阔;刘沛桥;张垚;于广华
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北京科技大学
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2021-03-09
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2023-07-25
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H10N50/85
- 本发明属于磁性薄膜领域，尤其涉及一种可调控Co2FeX合金垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及方法：该磁性薄膜材料包括：基底、缓冲层、磁性层、氧化物层和保护层，磁性层的磁性材料为断裂式的Co2FeX/Zr/Co2FeX，Zr占磁性层的量比为0.001‑50％，X为Al、Si或Mn中的一种或者多种。本发明的有益效果是，该磁性薄膜材料是在以Ta或者其它金属做为缓冲层和保护层，在缓冲层上沉积Co2FeX/Zr/Co2FeX，再沉积金属氧化物层，利用对氧有较强亲和力的Zr来调控Co2FeX中Co、Fe氧化物的比例，改善薄膜中输运性能，同时提高薄膜的垂直磁各向异性，以满足磁性随机存储器和磁传感器的应用需求。
- 调控cobasesub
- [发明专利]一种磁存储器件及其制备方法、MRAM-CN202111585644.8在审
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韩谷昌;杨保林
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浙江驰拓科技有限公司
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2021-12-21
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2023-06-23
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H10N50/85
- 本发明提供了一种磁存储器件及其制备方法、MRAM，该磁存储器件包括基底，基底上形成有底电极。底电极上形成有参考层，参考层的临界尺寸与底电极的临界尺寸相等。参考层上形成有隧道层。隧道层上形成有自由层，自由层的临界尺寸小于参考层的临界尺寸。通过参考层的临界尺寸和底电极的临界尺寸相同，而自由层的临界尺寸小于参考层的临界尺寸，能够使临界尺寸较大的参考层和钉扎层的磁场较稳定，使其产生的杂散场在自由层上分布较均匀，使参考层的杂散场不会对磁性隧道结中自由层的读写造成干扰，以改善大容量MRAM存储阵列的读写干扰问题，提高产品稳定性以及良率。在制备流程上，无需增加新的光罩。减小刻蚀工艺对自由层及隧道层表面产生的损伤。
- 一种磁存储器及其制备方法mram
- [发明专利]一种基于铝钪氮的忆阻器、其制备方法及应用-CN202310062947.4在审
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闫小兵;李悦荣
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河北大学
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2023-01-19
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2023-06-06
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H10N50/85
- 本发明提供了一种基于铝钪氮的忆阻器、其制备方法及应用。通过成分比例固定的Al0.73Sc0.27N铝钪氮陶瓷作为溅射靶材，利用高能量射频溅射到Pt底电极层上，避免了反应溅射Al、Sc比例偏离、薄膜性能不高等问题。该忆阻器的制备方法如下：清洗、干燥基体；在Pt底电极层上通过磁控溅射法生长Al0.73Sc0.27N功能层；在Al0.73Sc0.27N功能层上生长Pd顶电极层。本发明所提供的忆阻器与传统记忆存储器件相比，提高了它们在人工中的潜在应用，在模拟神经元系统中开发实现新的生物神经元功能，其性能表现良好，是一种具有模拟生物神经元行为的潜力、存储性能佳、能耗低、应用前景更为广阔的记忆存储器。
- 一种基于铝钪氮忆阻器制备方法应用
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