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[发明专利]一种立式成膜装置-CN202310422828.5在审
发明人：刘鹏;徐文立;阮叶鹏;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种立式成膜装置，涉及半导体材料生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室和搬运室；所述进气室设置于所述反应室的顶部，所述搬运室设置于所述反应室一侧，且所述搬运室与所述反应室之间设置有阀门。本发明中的立式成膜装置，感应热场加热线圈外置，通过交流电流产生交变电磁场，使流道自身升温发热热量传导至气体，同时具有较快的加热速度和局部加热等优点，缩短工艺前段预热时间减少能源损耗。
一种立式装置

[实用新型]一种立式成膜设备-CN202223489129.2有效
发明人：刘鹏;徐文立;高炀;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种立式成膜设备，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室、基座、旋转室和旋转轴；进气室设置于反应室顶部；反应室内设置有基座；反应室下方设置有旋转室，旋转轴设置于旋转室内，且旋转轴的顶部伸入反应室内与基座相连接；基座内设置有提升立柱，提升立柱顶部设置有发热体，提升立柱的底部与一提升杆的顶部相连接，提升杆的底部与驱动机构相连接；旋转轴为中空轴，提升杆设置于旋转轴内。本实用新型中的立式成膜设备，成膜工艺时基座由旋转轴带动旋转，使用中空电机时可于内部安装中空主轴，电机直接带动主轴旋转，基座内部的功能部件均可从主轴中间穿过，整体结构简化同时避免侧向力的影响。
一种立式设备

[实用新型]排气结构以及成膜装置-CN202320103660.7有效
发明人：刘鹏;徐文立;唐凯凯;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种排气结构，涉及成膜装置技术领域，包括：排气结构主体，所述排气结构主体能够设置于成膜装置的反应腔室底部，所述排气结构主体上设置有排气口，所述排气口能够与所述反应腔室连通，以将所述反应腔室内的气体排出；所述排气口设置有多个，全部所述排气口能够环绕所述反应腔室内的基座均布。本实用新型还公开一种成膜装置，包括上述的排气结构。本实用新型中能够实现反应腔室的多侧出气，保证出气均匀，有利于成膜膜厚均匀。
排气结构以及装置

[实用新型]一种气相生长基板独立提升机构及转运系统-CN202320113575.9有效
发明人：刘鹏;徐文立;唐凯凯;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相生长基板独立提升机构及转运系统，提升机构包括升降杆、支撑座、支撑杆和升降驱动装置，升降杆顶部连接支撑座，升降杆底部穿过基座底部的旋转室连接升降驱动装置，支撑杆设置于支撑座的顶部，基座内腔顶部设置的热场和保温组件上设置有供支撑杆通过的通道，支撑杆能够向上顶升基座顶部放置的基板；转运系统包括气相生长基板独立提升机构、运转室、基板暂存室和盒室；本实用新型在基座内增加基板独立抬升机构并与搬运装置联动，可在短时间内实现成膜后基板搬出和移入待成膜基板。该运转过程不需要打开反应腔室，实现连续生产；设置整套的转运系统，配合提升机构，全程通过机械臂进行转运，整个转运过程方便快捷。
一种相生长基板独立提升机构转运系统

[实用新型]一种成膜装置晶片基座-CN202320166426.9有效
发明人：刘鹏;徐文立;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种成膜装置晶片基座，包括基座本体，基座本体设置于成膜装置反应室的下部，基座本体由旋转驱动机构带动基座本体旋转；基座本体的顶部放置用于承载晶片的基板；基座本体内部设置有发热体和保温组件；发热体设置于基板的底部，保温组件设置于发热体的底部；基座本体底部设置有底板，底板上设置有吹扫进气口，成膜过程中通入气体吹扫反应室内部的套筒的内壁，确保气体流道畅通；基座本体内还设置有提升机构，提升机构能够向上顶升基板，晶片成膜完成后，由提升机构顶升基板，机械手伸入反应室内转运顶升后的基板；本实用新型在基座处加入气体吹扫机构，可避免反应气进入基座内部同时吹扫壁面抑制沉积生成，降低清理频率。
一种装置晶片基座

[实用新型]一种改善腔室内部温度均匀性的立式成膜设备-CN202223224603.9有效
发明人：刘鹏;徐文立;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开一种改善腔室内部温度均匀性的立式成膜设备，包括进气室、反应气体流道、基座、电极组件和炉体保温层，在反应气体流道和反应室上部之间设置套筒，上部热场先加热套筒，套筒再将热量辐射至经过的气体，基座内热场固定，基座顶部基板随基座转台高速旋转；本实用新型中将反应室上部的石墨电极和基座处的石墨电极均延伸设置，基于立式成膜装置反应室内多区热场分布结构，通过将发热体固定于远离金属电极固定点的一端，减少热量流失，石墨电极自身发热进行部分热量补偿；通过延长石墨电极长度增大电阻补偿热量流失，同时用保温层阻隔石墨电极，降低对温度均匀性的影响。
一种改善内部温度均匀立式设备

[实用新型]一种提高晶片受热升温效率的成膜装置-CN202223489376.2有效
发明人：刘鹏;徐文立;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高晶片受热升温效率的成膜装置，涉及单晶炉技术领域，包括炉体，炉体包括进气室和反应室，进气室位于反应室的上方，进气室的上端设有进气孔，反应室的下端设有出气孔，进气室与反应室相连通；反应室内设有套筒；套筒的内侧内设有基座，基座的上端用于放置晶片，基座内设有内加热装置，内加热装置用于对晶片提供热量，基座内设有内部保温层和多层反射屏，内部保温层位于多层反射屏的下方，反射屏位于晶片的下方，反射屏用于将热量反射到晶片的下方，基座的下端连接有旋转驱动装置；套筒的外侧设有外加热装置和外部保温层。本实用新型能够将热量反射到晶片处，防止热量流失。
一种提高晶片受热升温效率装置

[实用新型]立式成膜装置基座及立式成膜装置-CN202320034536.X有效
发明人：刘鹏;徐文立;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种立式成膜装置基座，涉及半导体晶片制备技术领域，包括转台组件和基板，所述基板设置于所述转台组件上，所述基板用于装载晶片，所述转台组件内能够设置有功能组件；所述转台组件包括转台和底部转盘，所述转台可拆卸安装于所述底部转盘上，所述底部转盘还能够与驱动装置连接，所述驱动装置能够带动所述底部转盘、所述转台以及所述基板同步转动。本实用新型还公开一种包括上述立式成膜装置基座的立式成膜装置。本实用新型能够方便基座内部各功能组件的安装、清洗等。
立式装置基座

[实用新型]一种晶体生长炉-CN202223492535.4有效
发明人：刘鹏;徐文立;胡建宇;杜霆 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶体生长炉，包括炉体、热场、感应线圈、大炉盖、小炉盖和升降模组，炉体固定在框架上，热场放置在热场支撑柱上，热场支撑柱放置在小炉盖上，可随小炉盖移动，感应线圈固定在线圈支撑柱上，线圈支撑柱放置在大炉盖上，电极由大炉盖引出，可随大炉盖移动。大炉盖与炉体以连接螺钉固定，升降模组与框架固定。装卸料时，升降模组带动小炉盖实现小炉盖和热场的往复运动。检修感应线圈时，可松开连接螺钉，使大炉盖随小炉盖同时移动。
一种晶体生长

[实用新型]用于成膜装置的热场保温组件及立式成膜装置-CN202320031838.1有效
发明人：刘鹏;徐文立;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了用于成膜装置的热场保温组件及立式成膜装置，通过在热场外周设置由内、外保温筒叠套组成的组合式保温筒结构，可包裹与热场中所有发热体相连的所有石墨电极的周边区域，内保温筒可遮挡每个石墨电极的轴向延伸大部分区域，减少石墨电极的受热面积，进而减少热场热量向四周流失；外保温筒可进一步阻隔热场的横向热量传递，减少热场热量通过反应室的金属腔壁向外部传导流失。同时，通过在热场顶部安装圆环形保温盖，可避免热场热量向上散出，石墨电极与金属电极的连接处的顶部通过圆环形保温盖的外缘遮挡，能够有效避免石墨电极与金属电极连接处的热量散失。本实用新型能够有效降低石墨电极对热场升温以及温度分布的影响。
用于装置保温组件立式

[实用新型]一种用于测量晶片转速的装置及晶片制备系统-CN202320231978.3有效
发明人：刘鹏;徐文立;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于测量晶片转速的装置及晶片制备系统，包括用于加热晶片的反应室、用于承载晶片的晶片承载基座，晶片承载基座转动连接在反应室内，晶片的外周边缘开设有缺角，缺角处露出晶片承载基座的部分结构，第一辐射温度计的测温点对应在晶片的外周边缘处，晶片外周边缘和缺角的运动轨迹均与第一辐射温度计的测温点相重合，通过第一辐射温度计监测晶片外周边缘及缺角处晶片承载基座的温度，第一辐射温度计能够监测到晶片外周边缘的温度呈周期性变化，通过记录单次温度变化周期所需的时间，能够辅助推算当前的晶片转速，完成对晶片当前速度的验证，同时取单次周期内的温度最低值作为实际温度以免瞬时温度变化对热场输出产生影响。
一种用于测量晶片转速装置制备系统

[发明专利]一种可分段提升旋转的立柱机构及立式成膜装置-CN202310376123.4在审
发明人：刘鹏;徐文立;唐凯凯;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种可分段提升旋转的立柱机构及立式成膜装置，涉及半导体制备技术领域，反应室提升立柱包括第一驱动结构和中心轴结构，第一驱动结构驱动中心轴结构沿中心轴结构的轴向运动，进气室提升立柱包括第二驱动结构、转轴和转轴外筒，转轴与进气室主体连接，第二驱动结构驱动转轴沿转轴的轴向运动，转轴的下端由中心轴结构的上端伸入至中心轴结构中，转轴与中心轴结构能够沿中心轴结构的轴向相对运动，转轴外筒套设在转轴外侧并与转轴转动连接，转轴外筒与反应室主体连接。本发明能够实现进气室主体的单独提升以及进气室主体和反应室主体的共同提升，便于设备组件安装和连续成膜后腔室内部清理，缩短清理维修时长，提高生产效率。
一种分段提升旋转立柱机构立式装置

[实用新型]一种管道或阀门的模块化转接头-CN202320035035.3有效
发明人：杜霆;黄徐炯;刘鹏;徐文立 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： F16L25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种管道或阀门的模块化转接头，包括转接头本体，所述转接头本体为长方体结构，所述转接头本体的至少两个端面上设置有互通的接口，各所述接口之间通过所述转接头本体的内腔连通，设置有所述接口的所述转接头本体的端面上设置有连接螺孔，所述接口处还配套设置有中心支撑环和密封圈；本实用新型在转接头本体上设置各种不同数量和不同位置的接口，且可以自由拼装成需要的转接结构，可以根据客户的需要，自由扩展，实现与阀门或管道轻松连接；各接口处均设置中心支撑环和密封圈，保证密封性，减少系统漏点。
一种管道阀门模块化转接

[实用新型]一种抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统-CN202320112387.4有效
发明人：刘鹏;徐文立;高炀;沈磊;唐凯凯 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，包括吹扫进气口、吹扫流道和吹扫出气口，所述吹扫进气口设置于基座底部的底板上，所述基座设置于反应室下炉体的中心位置处，所述底板顶部的所述基座外部还套设有石英罩，所述石英罩内开设有与所述吹扫进气口连通的第一吹扫流道，所述基座的外部的内隔热筒和外隔热筒之间开有第二吹扫流道，所述第二吹扫流道连通所述第一吹扫流道，所述吹扫出气口设置于所述第二吹扫流道的顶部，且与所述反应室的下部套筒内壁相对；本实用新型中的抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，能够实现成膜工艺过程对易沉积位置进行气体吹扫冲洗抑制沉积，可降低清理频率，使成膜装置长时间连续生产。
一种抑制相生侧壁沉积系统

[实用新型]一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立式成膜装置-CN202320034064.8有效
发明人：刘鹏;徐文立;沈磊 -专利权人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立式成膜装置，包括反应腔室、多区域控温机构和特定点位，反应腔室内热场分为上、下两部分，分别用于过程气体预热和晶片加热，且均为多区分布热场，成膜装置顶部至少安装有两个测温元件，成膜工艺过程中监测晶片中心和边缘温度，反馈至控制系统，实现下炉体热场的温控输出。下炉体热场靠近基座发热体辅助加热晶片，上炉体热场靠近进气室，由进气室处热电偶反馈温度数据控制输出功率，晶片成膜至一定膜厚维持原先热场输出功率，避免由于薄膜干涉产生温度变化影响正常成膜过程。
一种稳定改善晶片生长均匀立式装置

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