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[发明专利]一种WAT层别暗电流原因的方法-CN202211425496.8在审
发明人： 龚正致;袁超;李超翰;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种WAT层别暗电流原因的方法，包括：在晶圆上加工出至少一组WAT器件，一组WAT器件内包括一个第一WAT器件WAT‑1以及至少一个第二WAT器件，第一WAT器件WAT‑1采用有源器件相同的加工工艺加工，第二WAT器件采用有源器件相同的加工工艺加工并刻意缺失其中一个结构，不同的第二WAT器件缺失不同的结构；检测WAT器件是否有高暗电流。根据不同WAT器件上暗电流的高低层别出造成有源器件暗电流的原因。本发明可以即时层别出造成有源器件高暗电流的主要原因，从而找出相应的工艺步骤，针对工艺步骤实施纠正改善措施，可以缩短改善良率的时效，而且不需要实施复杂的DOE实验，大量降低实验成本。
一种 wat 层别暗电流原因方法

[发明专利]一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片及其制造方法-CN202211519419.9在审
发明人： 龚正致;李超翰;廖世容;万远涛 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片及其制造方法，硅光芯片包括：晶圆衬底，其上具有buried oxide(BOX)层，BOX层上有顶层硅；以及在顶层硅上形成的波导；在所述晶圆衬底上刻蚀有激光槽，激光槽的立面与波导的端面距离在0.3微米至1微米微米之间。本发明方法采用以氧化硅或氮化硅为材料的介质层取代光刻胶，作为定义激光槽与波导端面边界位置的刻蚀掩膜。介质层沉积时具有较Conformal(保形)的特性，能有效减小波导端面台阶，缩短激光芯片出光端面与硅波导直接耦合端面间距(Zgap)至1微米以下或至0.3微米，可以降低激光芯片与硅波导直接耦合时的光损耗。
一种适合激光波导直接耦合芯片及其制造方法

[发明专利]一种光波导中金属刻蚀的方法-CN202111314960.1有效
发明人： 龚正致;李超翰;谢建平 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B6/132 文献下载
摘要：本发明涉及一种优化金属刻蚀提升器件性能的方法，包括以下步骤：在脊形光波导的上包层形成孔结构；进行金属溅镀；进行金属第一次刻蚀，光刻焦距针对脊形光波导的上方得以精准控制金属微小的间距；进行金属第二次刻蚀，光刻焦距可以集中在其他位置较低的区域形成最终的金属形貌。本发明的有益之处在于，通过优化金属刻蚀工艺可以适配更小的孔到波导的距离，从而可以通过缩小距离降低PiN串联电阻，提升器件性能。改变了金属的形貌，金属分布在波导侧壁可以增加散热的能力，在气件操作过程产生的温度不致于过量累积，得以保持器件稳定的性能。
一种波导金属刻蚀方法

[发明专利]一种生长硅锗外延的方法、外延片及器件-CN202310701465.9在审
发明人： 龚正致;廖世容;李超翰 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种生长硅锗外延的方法，外延片及器件，方法包括：确定每一个FK通道对应的目标吸收波长，获取对应于目标吸收波长的生长外延的菜单，根据预先建立的吸收波长与虚拟图形密度之间的关联关系，识别出目标吸收波长对应的目标密度；根据所述目标密度以及对应的目标FK通道，制作对应的目标光刻板；根据所述目标光刻板，根据所述生长外延的菜单实施外延的生产，其中，外延生产得到的芯片用于封装光的多波长调制器件。应用本发明实施例，可以实现光的光的多波长调制。
一种生长外延方法器件

[发明专利]一种改善温度均匀性的光学器件及其制造方式-CN202310482260.6在审
发明人： 龚正致;李超翰;廖世容 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2023-04-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善温度均匀性的光学器件及其制造方式，一种改善温度均匀性的光学器件，包括：硅底层、氧化埋层、脊形波导结构、介质材料层和热电阻材料层；氧化埋层位于硅底层的上方；脊形波导结构位于氧化埋层的上方；介质层覆盖脊形波导结构；热电阻材料层覆盖在介质材料层上对应脊形波导结构；在光信号传播的方向上，位于上游的热电阻材料层的宽度大于位于下游的热电阻材料层的宽度以使位于上游的热电阻材料层的局部电阻小于位于下游的热电阻材料层的局部电阻。本发明的有益效果是：通过对热电阻的改进,从而改善光学器件的温度均匀性。
一种改善温度均匀光学器件及其制造方式

[发明专利]一种改善APD响应度均匀性的方法和光电二极管-CN202310289329.3在审
发明人： 龚正致;李超翰;廖世容;万远涛 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善APD响应度均匀性的方法和光电二极管；一种改善APD响应度均匀性的光电二极管，光电二极管的非活性区域上方设有抗反射涂层。一种改善APD响应度均匀性的方法，包括以下步骤：步骤1：在盖帽层上生长第一绝缘介质层，将需要扩散的区域的第一绝缘介质层刻蚀掉，之后由盖帽层上表面向下扩散形成P型层；步骤2：在第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层，将第二绝缘介质层中间刻蚀掉；步骤3：在第二绝缘介质层及P型层上表面生长第三绝缘介质层，其中，第三绝缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。本发明的有益效果是：通过在非活性区域上方设置抗反射涂层，减少非活性区域(非光敏面)的表面反射，以改善响应度均匀性。
一种改善 apd 响应均匀方法光电二极管

[发明专利]一种用于晶圆清洗后烘干处理装置-CN202210200176.6有效
发明人： 龚正致;廖世容;沈琪良 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： F26B21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆清洗后烘干处理装置，包括：一夹具，用于夹持所述晶圆；一供气机构；一烘干单元，其包括两个烘干组，两个烘干组沿所述晶圆的轴线布置于所述晶圆的两侧；所述烘干组包括：一第一供气件，其内设有第一供气腔，所述第一供气件上设有多个第一出气孔，多个所述第一出气孔均与所述第一供气腔连通，多个所述第一出气孔朝向所述晶圆；其中，所述第一供气腔与所述供气机构连通。在利用夹具夹持好清洗后的晶圆后，利用供气机构箱第一供气腔内通入高温气体，经过第一出气孔，对晶圆进行烘干处理。可以对晶圆的两个表面同时进行烘干处理，效率高。
一种用于清洗烘干处理装置

[发明专利]一种金属刻蚀方法-CN202211377393.9在审
发明人： 龚正致;叶瑾琳;万远涛 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在晶圆衬底上的介质层上淀积金属层；S2、在所述金属层上使用原始金属光刻版进行第一次光刻；S3、对所述金属层进行第一次干法刻蚀，后去除光刻胶；S4、设置保护金属光刻版，对所述金属层进行第二次光刻；S5、进行第二次干法刻蚀，去除侧壁的金属残留，后去除光刻胶。该方法提供了一种采取两次干法刻蚀的金属刻蚀工艺,使得侧壁不存在金属残余,也可以达到小尺寸器件的金属相关参数要求。
一种金属刻蚀方法

[实用新型]一种用于光电探测器同心度快速对位装置-CN202221241141.9有效
发明人：况诗吟;龚正致;石峰 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01D11/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于光电探测器同心度快速对位装置。所述用于光电探测器同心度快速对位装置包括：工作台，所述工作台的上方滑动安装有匚形架，所述工作台上设置有夹持机构、两个定位固定机构和对位机构；所述夹持机构包括放置板、探测器安装座、光电探测器、腔体、双轴电机、两个螺纹杆、两个内螺纹滑块、两个L形杆和两个夹板，所述放置板固定安装在工作台的顶部，所述探测器安装座设置在放置板的上方，所述光电探测器设置在探测器安装座的上方。本实用新型提供的用于光电探测器同心度快速对位装置可以简单有效的对光电探测器同心度进行快速对位，能够对探测器安装座进行夹持固定，并对匚形架进行定位的优点。
一种用于光电探测器同心快速对位装置

[实用新型]一种用于光电探测器的安装结构-CN202221241124.5有效
发明人： 龚正致;沈琪良;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： F16M13/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于光电探测器的安装结构。所述用于光电探测器的安装结构包括：光电探测器主体、外部连接管、连接插头和密封组件，所述外部连接管设置在光电探测器主体的一侧，所述连接插头固定安装在光电探测器主体上，所述连接插头的一端延伸至外部连接管内并与外部连接管的内壁滑动连接，所述密封组件设置在连接插头上；所述密封组件包括有密封活塞和挡块，所述密封活塞设置在外部连接管内，所述密封活塞固定安装在连接插头上。本实用新型提供的用于光电探测器的安装结构操作简单，省时省力，从而可以加快对光电探测器的安装工作的优点。
一种用于光电探测器安装结构

[发明专利]芯片自动测试方法、系统、计算机设备和存储介质-CN202210632140.5在审
发明人：万远涛;龚正致;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明适用于计算机技术领域，提供了一种芯片自动测试方法、系统、计算机设备和存储介质，所述方法包括以下步骤：根据待测试芯片的分布情况，规划探针或光纤或承片台的运动轨迹；按设定的运动轨迹依照测试策略次对芯片进行测试，并输出测试结果；所述测试策略为：对当前待测芯片调用对应的测试程序进行测试，同时还获取下一个待测芯片的图像信息；对获取到的下一个待测芯片的图像信息进行识别，判定所述下一个待测芯片的型号与当前正在测试的待测芯片的型号是否相同；直至所有待测芯片均测试完成，本发明的有益效果是：可以实现不同型号产品的混测，极大的提升测试效率和降低成本。
芯片自动测试方法系统计算机设备存储介质

[发明专利]一种监控APD外延材料InGaAs/InAlAs刻蚀过程的方法-CN202111523078.8在审
发明人：石峰;叶瑾琳;龚正致 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种便于监控刻蚀过程的APD。本发明公开了一种监控APD外延结构刻蚀进度的方法，包括如下步骤：将上述便于监控刻蚀过程的APD进行光刻形成掩膜图形，然后浸泡在刻蚀液中进行刻蚀，接着观察APD表面，根据APD表面情况判断刻蚀进度，具体如下：当观察到APD表面出现“毛玻璃”现象时，则表明刻蚀液刻蚀到InGaAsP材料与InGaAs/InAlAs材料的界面处；当观察到APD表面“毛玻璃”现象开始褪去时，则表明刻蚀液开始刻蚀到InGaAs/InAlAs材料与InP材料界面处；当观察到APD表面重新变得光滑均匀时，则表明InGaAs/InAlAs材料已经完全被刻蚀完毕。
一种监控 apd 外延材料 ingaas inalas 刻蚀过程方法

[发明专利]一种晶圆或SOI晶圆的处理方法-CN202111402135.7在审
发明人： 龚正致;李超翰;廖世容 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆或SOI晶圆的处理方法，该方法包括：提供一晶圆；所述晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；涂覆第一光刻胶，并光刻；刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；去除所述第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁。本发明通过对现有的干法刻蚀方法做出改进，改变其中的刻蚀角度，并选择刻蚀的离子注入角度，使四个区域的结的形成，在一次注入时即达到最佳化的效果，提高生产效率,整个刻蚀工艺缩短为两次离子注入。
一种 soi 处理方法

[发明专利]一种改善金属线在台阶侧壁的覆盖率的方法-CN202111513142.4在审
发明人： 龚正致;廖世容;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-12-12 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体器件是利用半导体材料的特殊电特性来制作特定功能的电子器件。半导体的导电性介于良导电体与绝缘体之间，这些半导体材料通常是硅、锗、磷化铟或砷化镓，并经过各式特定的渗杂，产生P型或N型半导体，作成如整流器、振荡器、发光器、放大器、光探测器、光调制器等组件或设备。因器件需要经由金属线链接外部的电源，除非是完全平面式的器件，否则金属线很难避免的会跨越不同高度的器件台阶，如何确保此金属线的可靠性便成为一道重要的课题。本发明公开了一种改善金属线在台阶表面覆盖率的半导体器件及其制取方法。本发明可在不改变器件形貌角度及不需采买更好的金属沉积的机台情况下，增加金属在台阶侧壁的覆盖率，确保产品可靠性。
一种改善金属线台阶侧壁覆盖率方法

[发明专利]一种低串扰的光集成芯片-CN202111481573.7在审
发明人：李超翰;龚正致;袁超 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低串扰的光集成芯片，包括：一光芯片，其包括基底及形成在所述基底上的N个第一波导、M个第二波导，其中，N、M均为正整数；N个第一光电器件，分别与N个所述第一波耦合；M个第二光电器件，分别与M个所述第二波耦合；其中，M个所述第二光电器件与N个所述第一光电器件位于所述基底的不同边。本发明通过设置N个所述第一光电器件、M个所述第二光电器件，让其分开布置。如此，能够有效避免N个所述第一光电器件、M个所述第二光电器件之间的串扰的问题，且不需要增大第一波导、第二波导之间的间距，不需要增大光芯片的面积。
一种低串扰集成芯片

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