[发明专利]一种圆形光斑单模半导体激光器在审
| 申请号： | 202210000611.0 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114400502A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 鄢静舟;祁鲁汉;薛婷;缪笛;杨奕;王坤 | 申请（专利权）人： | 福建慧芯激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 泉州市博一专利事务所(普通合伙) 35213 | 代理人： | 洪渊源;苏秋桂 |
| 地址： | 362100 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种圆形光斑单模半导体激光器，包括n型接触金属层、衬底、缓冲层、n型外波导层、n型下波导层、有源层、p型上波导层、p型接触层和p型接触金属层；有源层由下至上依次为下限制层、量子阱层和上限制层；n型下波导层和p型上波导层为与衬底晶格相匹配的In |
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| 搜索关键词： | 一种 圆形 光斑 单模 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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- 张云山;徐逸帆;顾鸿鸣;赵同飞;李连艳;郭燕婷;邹辉 - 南京邮电大学
- 2023-05-05 - 2023-07-25 - H01S5/12
- 本发明公开了一种单片集成两段式DFB激光器芯片及阵列，其中，单片集成两段式DFB激光器芯片包括芯片本体；所述芯片本体包括结构共用的DFB激光器段和光栅反射器段；所述DFB激光器段和光栅反射器段具有不同的布拉格波长；其中，DFB激光器阵列包括多个DFB激光器芯片；各DFB激光器芯片的DFB激光器段的自由端面并列设置；各DFB激光器芯片的DFB激光器段具有不同的布拉格波长。本发明能够获得具有失谐加载效应的单片集成两段式DFB激光器芯片，以及具有不同布拉格波长的DFB激光器阵列。
- 一种放大反馈激光器及其制备方法-202310254345.9
- 张智豪;陆丹;张瑞康;赵玲娟 - 中国科学院半导体研究所
- 2023-03-16 - 2023-07-21 - H01S5/12
- 本发明提供了一种放大反馈激光器及其制备方法，涉及光电子技术领域，避免了现有技术中放大反馈激光器因简并双模影响光生微波的纯净度的问题，从而大幅提升器件性能。该放大反馈激光器包括：激光器区、相位控制区和放大反馈区；所述相位控制区设置在所述激光器区和所述相位控制区之间、且分别与所述激光器区和所述放大反馈区相连；所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区均分别包括多层生长结构；所述多层生长结构包括光栅层，所述激光器区的光栅层包括光栅区和非光栅区，所述光栅区包括光栅。
- 发光装置及其制造方法、以及投影仪-201910140085.6
- 野田贵史;岸野克巳 - 精工爱普生株式会社;学校法人上智学院
- 2019-02-26 - 2023-07-18 - H01S5/12
- 提供发光装置及其制造方法、以及投影仪，能够减少在发光层中产生的光向基体侧的相反侧的泄漏量。该发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置在所述基体上，所述层叠体具有：第1柱状部；以及第2柱状部，其具有比所述第1柱状部小的直径，所述第1柱状部设置在所述基体与所述第2柱状部之间，所述第1柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够产生光，所述第1半导体层设置在所述基体与所述发光层之间，所述第2柱状部具有导电类型与所述第1半导体层不同的第3半导体层。
- 硅光子对称分布式反馈激光器-202210121347.6
- J·帕克;M·皮尔斯;史寒星 - 无盖灯光电公司
- 2022-02-09 - 2023-07-11 - H01S5/12
- 在基于硅的光子集成电路中集成的对称分布反馈(DFB)激光器可以将对称DFB激光器两侧的光输出到波导上。波导中的光可以使用光耦合器而被相位调整和合成。对称DFB激光器可以生成光，并且在多通道发射器的不同通道上对称地输出光。
- 半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法-201880097717.9
- 外间洋平;铃木洋介 - 三菱电机株式会社
- 2018-09-26 - 2023-07-07 - H01S5/12
- 本发明提供集成有监视光输出的光电二极管部的半导体激光器。半导体激光器(100)具备：DFB部，其层叠有背面侧第一包覆层(3)、第一衍射光栅层(9)、由第一MQW结构构成并发出激光的发光层(1)、表面侧第一包覆层(6)、以及第一接触层(12)；DBR部，其层叠有电阻率比背面侧第一包覆层(3)高的背面侧第二包覆层(4)、将激光的一部分向DFB部反射的第二衍射光栅层(10)、对激光的剩余部分进行导波并且由有效带隙能量比第一MQW结构小的第二MQW结构构成的第一芯层(2a)、以及电阻率比表面侧第一包覆层(6)高的表面侧第二包覆层(7)；以及PD部，其层叠有背面侧第三包覆层(5)、对第一芯层(2a)所导波的激光的剩余部分进行吸收的由第二MQW结构构成的第二芯层(2b)、表面侧第三包覆层(8)以及第二接触层(14)。
- 专利分类
