[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202180005106.9 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114402442A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 杨超;周春华;刘勇;赵起越;沈竞宇 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、第三氮化物基半导体层、钝化层、栅极绝缘体层和栅电极。所述第一氮化物基半导体层包含至少两个掺杂势垒区，用于在所述掺杂势垒区之间限定孔。所述第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层之上。所述第三氮化物基半导体层安置在所述第二氮化物基半导体层上且其带隙高于所述第二氮化物基半导体层的带隙。所述钝化层安置在所述第三氮化物基半导体层之上，其中所述钝化层在所述第一氮化物基半导体层上的垂直投影与所述孔间隔开。所述栅极绝缘体层安置在所述第三氮化物基半导体层之上。所述栅电极安置在所述栅极绝缘体层之上且与所述孔对准。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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