“赵起越”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果70个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种二维金属有机片/纳米纤维素复合气凝胶及其制备方法和应用-CN202310945839.1在审
发明人：毕景然;赵起越;侯红漫;张公亮;郝洪顺 -专利权人：大连工业大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明属于化学分析领域，具体公开了一种二维金属有机片/纳米纤维素复合气凝胶及其制备方法和应用，将纳米纤维素浆体、海藻酸钠、二维金属有机片和碳酸钙颗粒混合，将混合物均质化后进行超声处理，并等分到聚苯乙烯培养皿中，冷冻过夜后在每个冷冻的混合物中加入乙酸溶液，在室温中反应后吸出浸泡过的气凝胶溶液，用Milli‑Q水清洗气凝胶后吸出多余的液体，在2～4℃下平衡温度，然后在‑70～80℃下放置过夜后冻干即得二维金属有机片/纳米纤维素复合气凝胶，本发明制备的二维金属有机片/纳米纤维素复合气凝胶具有高吸附性、优良湿强度和良好耐热性，可作为小分子物质杂环胺的吸附材料。
一种二维金属有机纳米纤维素复合凝胶及其制备方法应用

[发明专利]一种UiO-66/纳米纤维素复合气凝胶的制备及应用-CN202210153072.4有效
发明人：毕景然;赵起越;侯红漫;张公亮;郝洪顺 -专利权人：大连工业大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B01J20/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种UiO‑66/纳米纤维素复合气凝胶的制备及其对小分子化合物的吸附应用。将羧甲基纤维素，纤维素纳米晶分别进行酰肼基改性和醛基改性，然后与UiO‑66通过自交联法制备了具有分层孔隙和低密度的UiO‑66/纳米纤维素复合气凝胶。制备方法简便，经济成本低。且该复合气凝胶通过吸附作用对小分子化合物进行萃取，吸附率及洗脱率高，萃取耗时短，且可反复使用。可用于化学分析材料、色谱处理材料、环保材料、食品材料领域中制备吸附材料、过滤材料的应用。
一种 uio 66 纳米纤维素复合凝胶制备应用

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180004469.0有效
发明人： 赵起越;石瑜 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、第一源极/漏极(S/D)电极、第二S/D电极、第一栅极电极、第二栅极电极、第一钝化层、导电层和第二钝化层。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上。所述第一和第二S/D电极以及所述第一和第二栅极电极安置于所述第二氮化物基半导体层上方。所述第一钝化层覆盖所述第一和第二栅极电极。所述导电层安置在所述第一钝化层上方且包含电极部分和场板部分。所述第二钝化层安置在所述导电层上且穿透所述导电层以与所述第一钝化层接触。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]基于氮化物的半导体器件和其制造方法-CN202180003505.1在审
发明人：董志文;赵起越;李茂林 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种基于氮化物的半导体器件，其包括第一基于氮化物的半导体层、第二基于氮化物的半导体层、栅极电极、第一源极电极、第二源极电极和漏极电极。所述第二基于氮化物的半导体层包括掺杂的漂移区、第一势垒区和第二势垒区。所述第一势垒区和所述第二势垒区从所述第二基于氮化物的半导体层的顶面向下延伸并且通过所述漂移区的一部分彼此间隔开。所述栅极电极被安置于所述第一势垒区上。所述第一源极电极被安置于所述漂移区的所述部分上。所述第二源极电极被安置于所述第二势垒区上并且与所述第一源极电极电耦合。所述漏极电极与所述第一基于氮化物的半导体层连接。
基于氮化物半导体器件制造方法

[发明专利]一种含硫香料在抑制油炸食品中杂环胺PhIP的应用-CN202211737564.4在审
发明人：侯红漫;尹倩颖;赵起越;张公亮;毕景然;郝洪顺 -专利权人：大连工业大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： A23L5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硫香料在抑制油炸食品中杂环胺PhIP的应用，属于食品安全领域。含硫香料为异硫氰酸酯类含硫香料。含硫香料主要从抑制前体物含量、清除自由基和与PhIP直接反应达到降低杂环胺PhIP的目的。本发明将含硫香料应用到油炸鸡块中，发现其能明显抑制杂环胺PhIP的形成，可以减少致癌风险，提高油炸食品的安全。
一种香料抑制油炸食品中杂环胺 phip 应用

[发明专利]一种烷氧基丙胺类化合物及其在有机硫吸收脱除中的应用-CN202310106624.0在审
发明人：孙辉;刘传磊;陈宇翔;沈本贤;姜豪;郭冠初;赵起越 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C10L3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种烷氧基丙胺类化合物及其在有机硫吸收脱除中的应用，该化合物具有如下结构式：式中，R1为C1～6的烷基取代基，R2为H或C1～3的烷基取代基。与现有技术相比，本发明中的烷氧基丙胺类化合物对多种类型硫化物具有较好的深度脱除效果，并且该类化合物化学性质稳定，不易分解，泡点蒸汽压小，挥发损失少，碱性弱，对设备腐蚀轻，因而具有较好的工业应用前景。
一种烷氧基丙胺类化合物及其有机吸收脱除中的应用

[发明专利]氮化物基半导体双向切换器件和其制造方法-CN202180004407.X有效
发明人： 赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物半导体双向切换器件制造方法

[发明专利]具有非对称栅极结构的半导体器件-CN202010564674.X有效
发明人：廖航;赵起越;李长安;王超;周春华;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明是关于一种具有非对称栅极结构的半导体器件，其包含：衬底；沟道层，位于所述衬底上方；势垒层，位于所述沟道层上方，所述势垒层和所述沟道层经配置以形成二维电子气体，所述二维电子气体沿着所述沟道层与所述势垒层之间的界面形成在所述沟道层中；及源极接触及漏极接触，位于所述势垒层上方；经掺杂III‑V族层，位于所述势垒层上方及所述漏极接触和所述源极接触之间；及栅电极，位于所述经掺杂III‑V族层上方且经组态与所述经掺杂III‑V族层形成肖特基接面，其中所述经掺杂III‑V族层及/或栅电极具有非中心对称的几何结构，从而使该器件于应用上达成控制栅极漏电流分布态样的效果。
具有对称栅极结构半导体器件

[发明专利]氮化物基双向切换器件和其制造方法-CN202211290381.2在审
发明人： 赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件及其制造方法。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物双向切换器件制造方法

[发明专利]氮化物基双向切换器件和其制造方法-CN202211284000.X在审
发明人： 赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件及其制造方法。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物双向切换器件制造方法

[发明专利]氮化物基双向切换器件及其制造方法-CN202211290293.2在审
发明人： 赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物双向切换器件及其制造方法

[发明专利]用于与电池保护控制器一起工作的氮化物基双向开关装置及其制造方法-CN202211517278.7在审
发明人： 赵起越;高吴昊;魏宝利 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供一种用于与电池保护控制器一起工作的氮化物基双向开关装置，所述电池保护控制器具有功率输入端子、放电过流保护(DO)端子、充电过流保护(CO)端子、电压监测(VM)端子和接地端子。所述氮化物基双向开关装置包括氮化物基双向开关元件和适配模组，所述适配模组配置成从所述电池保护控制器接收DO信号和CO信号并产生用于控制所述双向开关元件的主控制信号。通过实施所述调适电路，所述氮化物基双向开关元件可与常规的电池保护控制器配合进行电池充电和放电管理。因此，氮化物基电池管理系统可实现有更高的操作频率以及更紧凑的尺寸。
用于电池保护控制器一起工作氮化物双向开关装置及其制造方法

[发明专利]用于与电池保护控制器一起工作的氮化物基双向开关装置及其制造方法-CN202211517277.2在审
发明人： 赵起越;高吴昊;魏宝利 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供一种用于与电池保护控制器一起工作的氮化物基双向开关装置，所述电池保护控制器具有功率输入端子、放电过流保护(DO)端子、充电过流保护(CO)端子、电压监测(VM)端子和接地端子。所述氮化物基双向开关装置包括氮化物基双向开关元件和适配模组，所述适配模组配置成从所述电池保护控制器接收DO信号和CO信号并产生用于控制所述双向开关元件的主控制信号。通过实施所述调适电路，所述氮化物基双向开关元件可与常规的电池保护控制器配合进行电池充电和放电管理。因此，氮化物基电池管理系统可实现有更高的操作频率以及更紧凑的尺寸。
用于电池保护控制器一起工作氮化物双向开关装置及其制造方法

[发明专利]氮化物基双向切换器件和其制造方法-CN202211290384.6在审
发明人： 赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件及其制造方法。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物双向切换器件制造方法

[发明专利]半导体装置结构和其制造方法-CN202080003725.X有效
发明人：杨超;周春华;赵起越 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本揭露提供了半导体装置结构和其制造方法。所述半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、阻挡层、第三氮化物半导体层以及栅极结构。所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上，并且所述第二氮化物半导体层的能隙大于所述第一氮化物半导体层的能隙。所述阻挡层安置在所述第二氮化物半导体层上，并且所述阻挡层的能隙大于所述第二氮化物半导体层的能隙。所述第三氮化物半导体层掺杂有杂质并且安置在所述阻挡层上。所述栅极结构安置在所述第三氮化物半导体层上。
半导体装置结构制造方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 70 条