[发明专利]一种垂直型碳化硅功率MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202111517686.8 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114203825B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;黄薛佺;杨卓;叶鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，尤其是一种垂直型碳化硅功率MOSFET器件及其制造方法。本发明的垂直型碳化硅功率MOSFET器件在所述N型源极外侧设有第一P型源极，所述基本元胞结构在功率MOSFET器件中上下左右等间距排布，所述第二P型源极设置在所述P型体区的边界拐角位置，所述第二P型源极与所述P型体区交叠，并与所述P型体区内部的N型源极交叠。本发明提供的垂直型碳化硅功率MOSFET器件在P型体区的拐角处设置了P型源极的注入窗口，通过注入高浓度的铝离子使得功率器件在承担高压时，避免JFET区的N型漂移区对拐角位置的P型体区过度耗尽从而引发穿通，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 碳化硅 功率 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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