[发明专利]功率半导体器件终端、终端的制备方法及功率半导体器件在审
| 申请号： | 202110792613.3 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113725293A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 高明超;金锐;王耀华 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件终端、终端的制备方法及功率半导体器件，终端具有第一导电类型的第一半导体层；具有第一导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层位于第一半导体层下表面，且第二半导体层掺杂浓度高于第一半导体层；具有第二导电类型的第三半导体层，所述第三半导体层位于第二半导体层下方；具有第一导电类型的至少一个半导体区域，所述半导体区域掺杂浓度高于第二半导体层。本发明中的半导体区域可减少终端区从第二电极向第一电极的载流子注入，而不影响有源区从第二电极向第一电极的载流子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 终端 制备 方法 | ||
【主权项】：
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