[发明专利]一种提高ITO透明电极与p型III-V族半导体材料的接触性能的方法在审
| 申请号： | 202110349040.7 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113161460A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 蒋盛翔;付建波;宗华;张晓蓉 | 申请（专利权）人： | 广西飓芯科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/32;H01L33/00;H01L21/28;H01L29/45;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 545003 广西壮族自治区柳州市杨柳路与通贤路交叉*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及一种提高ITO透明电极与p型III‑V族半导体材料的接触性能的方法。该方法中，ITO电极的制备过程包括生长工艺和退火工艺，所述退火工艺包括两个阶段：第一阶段为，第二阶段为纯氮气氛围退火。退火工艺主要有两个目的，第一是形成良好的欧姆接触，使得电极有较低的比接触电阻率，第二是有较好的透光性，降低对光的吸收。本发明的核心是通过改进ITO电极的生长和退火工艺来获得低至10 |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 ito 透明 电极 iii 半导体材料 接触 性能 方法 | ||
【主权项】：
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- 本申请涉及一种氮化物发光二极管，该氮化物发光二极管包括衬底；外延结构，位于衬底的表面；外延结构包括发光层、第一类型氮化物叠层及第一类型氮化物接触层；其中，第一类型氮化物叠层位于发光层背离衬底的表面；第一类型氮化物接触层位于第一类型氮化物叠层背离发光层的表面；第一类型氮化物接触层于第一类型氮化物叠层背离发光层的表面的正投影位于第一类型氮化物叠层的表面内，且第一类型氮化物接触层的边缘与第一类型氮化物叠层的边缘有间距；透明导电层，位于第一类型氮化物叠层背离发光层的一侧。该氮化物发光二极管中的第一类型氮化物接触层可以降低第一类型氮化物接触层对氮化物发光二极管所发光的吸收，提升器件发光效率。
- 一种提高LED结构稳定性的方法-202110354775.9
- 张书山;周弘毅;刘英策;邬新根 - 厦门乾照光电股份有限公司
- 2021-03-31 - 2022-08-02 - H01L33/42
- 本发明提供了一种提高LED结构稳定性的方法，包括：将ITO浸泡在包含化学修饰剂的溶液中进行浸泡，得到修饰后的ITO；所述化学修饰剂为包含氨基和\或巯基的有机物；然后在修饰后的ITO表面蒸镀金属层。与现有技术相比，本发明通过在ITO表面形成化学修饰剂自组装单分子层，并且化学修饰剂含有氨基和\或巯基可进一步进行修饰，从而使蒸镀的金属与氨基和\或巯基形成稳定的化学键，提高了ITO与金属层之间的粘附性，进而提高了LED的结构稳定性。
- 一种Mini-LED芯片及其制备方法-202210450618.2
- 郭文辉;贾钊;胡加辉;金从龙;窦志珍;杨琦;兰晓雯 - 江西耀驰科技有限公司
- 2022-04-27 - 2022-07-29 - H01L33/42
- 本发明公开了一种Mini‑LED芯片及其制备方法，涉及半导体工艺技术领域，包括透明基板，该Mini‑LED芯片还包括：依次层叠设于透明基板上的键合层、P型接触层、外延层及镜面反射层；以及分别设于P型接触层和外延层之上的P型金属电极层及N型金属电极层；其中，键合层包括第一键合层以及设于第一键合层之上的第二键合层，第一键合层为增透膜层，其设于透明基板之上，第二键合层包括n层透明导电层，n为3‑10。本发明能够解决现有技术中P型接触层与P型金属电极层接触会引起较高的接触电阻，影响Mini‑LED性能的技术问题。
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