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[实用新型]一种MOCVD过滤器及尾气处理系统-CN202221624256.6有效
发明人：张龙;宋伟 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B01D46/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MOCVD过滤器及尾气处理系统，涉及尾气处理技术领域，该MOCVD过滤器包括第一壳体、第二壳体以及设于第一壳体与第二壳体之间的滤芯；滤芯包括金属网以及被金属网包裹的滤材，金属网和滤材均为折叠型结构；第一壳体的边缘于靠近滤芯一侧设有第一凹槽，第一壳体中部贯穿设有通孔，第一壳体于通孔朝向远离滤芯的一侧延伸出一进气管，用于尾气通过进气管进气进行过滤；第二壳体的边缘于靠近滤芯一侧设有第二凹槽，第一凹槽以及第二凹槽分别卡接滤芯的两端以固定滤芯。本实用新型能够解决现有技术中滤芯匝数少、易变形以及外壁会残留副产物，导致滤芯寿命短、密封效果差及存在安全隐患的技术问题。
一种 mocvd 过滤器尾气处理系统

[实用新型]一种限制LED发光角度的LED芯片-CN202221669834.8有效
发明人：贾钊;窦志珍;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本实用新型提供一种限制LED发光角度的LED芯片，包括发光外延层、发光外延层向外延伸出的连接层以及连接层向远离发光外延层一侧延伸出的蓝宝石衬底，发光外延层包括从连接层远离蓝宝石衬底一侧依次层叠的GaP层、P型层、有源层、N型层以及接触层，蓝宝石衬底远离连接层的一侧层叠有遮光层，遮光层用于对发光外延层中发出的发射光透过蓝宝石衬底后进行部分遮挡，其中，遮光层环绕蓝宝石衬底边缘设置，通过遮光层对发射光的遮挡，使得发光角度变小，那么，当LED芯片小间距排布时，LED芯片出光重合的部分减小，从而有效改善亮度存在色差的问题。
一种限制 led 发光角度芯片

[实用新型]一种具有反射电极结构的LED芯片-CN202221197677.5有效
发明人：窦志珍;贾钊;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有反射电极结构的LED芯片，其包括衬底、外延结构、n型电极、p型电极，外延结构包括层叠的p型半导体层、发光层及n型半导体层，p型电极形成于p型半导体层上，n型电极形成于n型半导体层上，其包括交替层叠的透光且导电的金属氧化层和第一ITO层；n型半导体层上形成有层叠的重掺杂过渡层、金属层、第二ITO层，金属氧化层形成于所述第二ITO层的部分区域，以使n型电极位于第二ITO层的部分区域。通过本申请，采用交替层叠的透光且导电的金属氧化层和第一ITO层制作可透光的反射电极，且该可透光的反射电极形成在自下而上层叠的重掺杂过渡层、金属层、第二ITO层上的结构设计，达到降低亮度损失的目的，并可改善出光的均匀性。
一种具有反射电极结构 led 芯片

[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法-CN202210669346.5在审
发明人：兰晓雯;马婷;窦志珍;贾钊;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种倒装LED芯片及其制备方法，其中P电极层设于底层，其表面设有衬底层，衬底层表面由下至上依次设有P外延层、MQW层、N外延层、透明导电层，SiNx层底面贴附于P外延层上，SiNx内壁贴附于MQW层、N外延层及透明导电层的外壁，透明导电层呈圆环体，其环状中部设有金属N极层，通采用蒸镀法生长一层整面透明导电层并附着于N外延层表面，透明导电层由半导体材料组成，通过控制膜层生长厚度以确保透明导电层同时具备透光性及介质连续性，在防止红光吸收的同时实现整面的电流扩展，同时，配合合适的蒸镀条件达到提高亮度、降低电压的作用，配合选材及SiNx保护结构以实现整体较高的硬度和良好的化学稳定性，有效提高LED芯片亮度并降低工作电压。
一种倒装 led 芯片及其制备方法

[实用新型]一种倒装miniLED芯片及半导体器件-CN202221317208.2有效
发明人：马婷;贾钊;窦志珍;兰晓雯;杨琦;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种倒装miniLED芯片及半导体器件，该外延结构从下至上依次包括衬底、外延层，外延层由下至上依次包括p型半导体层、发光层及n型半导体层，p型半导体层具有粗化表面、且在粗化表面上沉积有衬底键合层，衬底键合层具有抛光面、且通过抛光面将外延层键合在衬底上，在n型半导体层的上表面沉积有第一绝缘层，在第一绝缘层上依次层叠设有透明导电层以及反射层。本实用新型通过设置第一绝缘层，隔绝P电极与外延层的接触，无需蚀刻出较大的台面以便生长P电极，相应减小P电极占用面积，减小发光区蚀刻面积，增大发光面积以提亮；透明导电层具有良好的电流扩展；反射层使得正面的光能反射至背面出光，减少光损失，从而极大提高芯片亮度。
一种倒装 miniled 芯片半导体器件

[实用新型]一种砷化合物过滤装置-CN202221186352.7有效
发明人：张龙;宋伟;陈铭胜 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B01D46/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种砷化合物过滤装置，具体涉及砷化合物过滤技术领域，包括管组件，所述管件包括进气管件以及出气管件，所述进气管件以及所述出气管件外围均包覆有第一加热包；过滤组件，所述过滤组件包括若干砷桶，若干个所述砷桶并联连接在所述进气管件以及所述出气管件之间，所述砷桶外围包覆有第二加热包，所述砷桶一侧开口设置，所述砷桶内可拆连接有滤芯；所述进气管件连接在远离所述砷桶开口的一端，所述出气管件连接在所述砷桶的侧壁上，所述出气管件连接在所述砷桶靠近所述进气管件的位置处，本实用新型解决了现有技术中过滤器过滤砷化物的效果差，使用周期短，过滤器清洗过程易着火且清洗时间长的问题。
一种化合物过滤装置

[发明专利]一种Mini-LED芯片及其制备方法-CN202210450618.2在审
发明人：郭文辉;贾钊;胡加辉;金从龙;窦志珍;杨琦;兰晓雯 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mini‑LED芯片及其制备方法，涉及半导体工艺技术领域，包括透明基板，该Mini‑LED芯片还包括：依次层叠设于透明基板上的键合层、P型接触层、外延层及镜面反射层；以及分别设于P型接触层和外延层之上的P型金属电极层及N型金属电极层；其中，键合层包括第一键合层以及设于第一键合层之上的第二键合层，第一键合层为增透膜层，其设于透明基板之上，第二键合层包括n层透明导电层，n为3‑10。本发明能够解决现有技术中P型接触层与P型金属电极层接触会引起较高的接触电阻，影响Mini‑LED性能的技术问题。
一种 mini led 芯片及其制备方法

[发明专利]二氧化硅膜层的抛光方法-CN202210416038.1在审
发明人：贾钊;马婷;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明提出一种二氧化硅膜层的抛光方法，该方法包括：获取一外延片，并在所述外延片上生长第一SiO2层，得到待抛光外延片；获取硅片或蓝宝石衬底，并在所述硅片或所述蓝宝石衬底上生长第二SiO2层；将生长有所述第二SiO2层的多片所述硅片或所述蓝宝石衬底粘合在抛光垫或抛光盘上，所述硅片或所述蓝宝石衬底远离所述第二SiO2层的一面为粘合面；将粘合后的抛光垫或抛光盘安装在抛光机上，开启抛光机对所述待抛光外延片进行抛光，以使所述第一SiO2层和所述第二SiO2层互抛。本发明提出的二氧化硅膜层的抛光方法，通过对SiO2层采用互抛的方式进行抛光以取代传统抛光方式，避免了不同SiO2膜层需要不同抛光垫、抛光参数的问题，减少了抛光工艺的复杂性，降低了抛光成本。
二氧化硅抛光方法

[发明专利]大发光角度倒装Mini LED芯片及其制备方法-CN202210386457.5在审
发明人：贾钊;窦志珍;郭文辉;杨琦;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种大发光角度倒装Mini LED芯片及其制备方法，该方法包括：获取一外延片，并将所述外延片上的GaP层进行粗化；在粗化后的GaP层的表面交替蒸镀SiO2层和TiO2层，以得到由多层SiO2材料和多层TiO2材料构成的半反半透膜；在所述半反半透膜的表面生长键合层；获取一蓝宝石衬底，并对所述蓝宝石衬底的表面进行活化处理，以将蓝宝石衬底中活化后的表面与键合层进行键合。本发明提出的大发光角度倒装Mini LED芯片的制备方法，通过设置半反半透膜，使得原本应从芯片底部直接射出的光线，在经过粗化后的GaP层和半反半透膜时发生折射，从而提高了发光角度。
发光角度倒装 mini led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种LED芯片键合方法及LED芯片-CN202210356202.4在审
发明人：贾钊;窦志珍;郭文辉;杨琦;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片键合方法及LED芯片，LED芯片包括衬底、第一ITO层、外延片、第二ITO层以及Cr层，其中，衬底上蒸镀有第一ITO层，外延片上蒸镀的第二ITO层，以及在第二ITO层上蒸镀的Cr层，蒸镀的第一ITO层及第二ITO层，和Cr层在通过高温高压的方式使得Cr层扩散至第一ITO层及第二ITO层，对第二ITO层与第二ITO层进行黏合，另外，ITO层，有着良好的电流扩展作用且ITO透光率极高可起到电流扩展作用，且Cr层厚度为时不影响光的穿透，保证了外延片与衬底贴合处有着良好的电流扩展和透光率。
一种 led 芯片方法

[发明专利]一种外延片制备方法、外延片及发光二极管-CN202210357112.7在审
发明人：曹敏;孙建建;陈铭胜;姜湃;纪东;牛群垒;孙彬耀 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片制备方法、外延片及发光二极管，所述制备方法包括：提供第一衬底；在所提供的第一衬底上依次沉积缓冲层、N型粗化层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、及P型电流扩展层；在P型电流扩展层上蒸镀复合反射层；在复合反射层上键合第二衬底；去除第一衬底及缓冲层至露出N型粗化层；在所露出的N型粗化层上沉积与N型粗化层材料及组分相同的N型粗化缓冲层；在N型粗化缓冲层上沉积N型欧姆接触层。本发明解决了现有腐蚀GaInP截止层时会对N型欧姆接触层造成腐蚀损伤，导致N型欧姆接触层出现厚度差异及凹凸不平，而后续的N电极制作时容易出现电极脱落，且引起电压不稳定的问题。
一种外延制备方法发光二极管

[外观设计]LED芯片-CN202230222915.2有效
发明人：兰晓雯;贾钊;窦志珍;杨琦;郭文辉;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：LED芯片。2.本外观设计产品的用途：用于半导体照明，可作为发光装置中的LED芯片。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
led 芯片

[外观设计]LED芯片-CN202230222948.7有效
发明人：郭文辉;贾钊;窦志珍;杨琦;兰晓雯;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：LED芯片。2.本外观设计产品的用途：用于半导体照明，可作为发光装置中的LED芯片。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
led 芯片

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