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[发明专利]A12-CN202310371298.6在审
发明人： 罗钢铁;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种A12O3钝化层的制备方法、抗湿性能测试结构及方法，涉及半导体制作技术领域，制备方法包括：将LED芯片置于反应室内，控制TMA蒸汽以脉冲形式进入反应室，在LED芯片的wafer表面发生化学吸附反应；首次向反应室内吹扫惰性气体，使部分TMA蒸汽与反应副产物甲烷排出反应室；控制水蒸气以脉冲形式进入反应室，与TMA前驱体吸附的wafer表面继续进行表面化学反应；再次向反应室内吹扫惰性气体，将多余的水蒸气和反应副产物甲烷排出反应室，得到单层A12O3薄膜；循环上述步骤多次，得到预设厚度的A12O3钝化层。本发明旨在提供一种抗湿性能优异的A12O3钝化层，从而提升LED芯片的抗湿性能。
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[发明专利]低成本、高可靠性的芯片电极及其制备方法、LED芯片-CN202310753635.8在审
发明人：张亚;张星星;王雪峰;罗钢铁;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本、高可靠性的芯片电极及其制备方法、LED芯片，所述芯片电极包括：第一粘附层，用于与半导体层或设于所述半导体层之上的透明导电层进行接触，以粘附于所述半导体层或所述透明导电层之上；依次层叠设于所述第一粘附层之上的反射层、第一保护层、焊线层以及第二粘附层；其中，用于形成所述焊线层的金属介质为Cu。本发明旨在在保证芯片电极的结构稳固性以及芯片可靠性的前提下，降低芯片电极的制作成本，以降低LED芯片的制作成本。
低成本可靠性芯片电极及其制备方法 led

[发明专利]一种LED钝化层及其制备方法、LED芯片-CN202310375661.1在审
发明人： 罗钢铁;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一LED钝化层及其制备方法、LED芯片，LED钝化层沉积在GaN外延片的表面，LED钝化层包括第一钝化子层和沉积在第一钝化子层上的第二钝化子层，其中，第一钝化子层沉积在GaN外延片的切割走道边缘表面，第二钝化子层沉积在第一钝化子层和GaN外延片表面，通过在GaN外延片的表面沉积第一钝化子层和第二钝化子层，其中，第一钝化子层采用TiO2沉积，第二钝化子层采用SiO2沉积，而TiO2与SiO2连接部分是具备较强的粘附效果，因此在对相邻的两GaN外延片进行切割时沿第一钝化子层宽度中部进行切割，由于切割后多余部分的第一钝化子层和第二钝化子层任保持黏合状态结构之间相对较为稳定，避免钝化层出现破裂翘起情况。
一种 led 钝化及其制备方法芯片

[发明专利]一种ITO薄膜及制备方法、LED芯片-CN202310308231.8在审
发明人： 罗钢铁;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明提供一种ITO薄膜及制备方法、LED芯片，通过将ITO靶材通过电子束蒸发制备ITO气相反应物，再将金属基底材料和ITO气相反应物在预设温度下加热，形成金属液滴，并控制金属液滴在预设通氧量和预设ITO靶材蒸发速率下析出，以形成相互连通的纳米结构的ITO薄膜，具体的，通过纳米尺度对全内反射光散射(瑞利散射)加以调控，表面纳米结构的ITO薄膜在LED中应用，能通过纳米尺寸空间折射率变化引起光全内反射变化，从而提高光提取效率。
一种 ito 薄膜制备方法 led 芯片

[发明专利]一种高光效结构的LED芯片及其制备方法-CN202210210774.1在审
发明人：张星星;张亚;罗钢铁;简弘安;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高光效结构的LED芯片及其制备方法，包括提供一外延层，在外延层上沉积绝缘层并制作电子阻挡层图形；在外延层及电子阻挡层上沉积透明导电层；在透明导电层上制作MESA掩膜图形，以MESA掩膜图形对透明导电层进行湿法刻蚀，得到透明导电层图形，再以MESA掩膜图形对外延层进行干法刻蚀，直至刻蚀露出N型半导体，得到第二通孔；依次在透明导电层及第二通孔上制作第一绝缘层、高反射电极层、第二绝缘层和P/N电极。本发明中的高光效结构的LED芯片及其制备方法，通过在外延层上开孔式制作第二通孔，避免了在N焊盘底下制作MESA区域，减少了外延层的牺牲，并由N电极与N型半导体区域进行电性连接，提升了芯片光效。
一种高光效结构 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种LED透明电极及其制备方法-CN202210184495.2在审
发明人： 罗钢铁;张星星;胡加辉 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种LED透明电极及其制备方法，包括依次设于外延层上的第一层电极和第二层电极，外延层上包括P/N电极手指及P/N焊盘，第一层电极设于P/N电极手指及P/N焊盘上，第一层电极由下而上依次包括铬层以及透明材料层，第二层电极设于P/N焊盘处，第二层电极由下而上依次包括镍层和金层，且镍层及金层设于透明材料层上；本发明中的LED芯片电极及其制备方法，通过设置两层电极结构，第一层电极中的透明电极层材料的反射率高，吸光少，使得芯片发出的光在finger处有更高的出光效率和提亮效果，且第二层电极中的Ni层和Au层能够与第一层电极中的材料形成良好的金属间应力，从而提高了电极焊线的稳定性。
一种 led 透明电极及其制备方法