[发明专利]半导体器件和集成电路以及形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110086383.9 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN113054024A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 黄宏书;刘铭棋;周东和 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的各种实施例提供一种用于形成具有高的厚度均匀性的凹进的栅极电极的方法。栅极介电层沉积为作为凹进的衬垫，多层薄膜沉积为作为凹进的衬垫位于栅极介电层上方。多层薄膜包括栅极电极层、位于栅极电极层上方的第一牺牲层、以及位于第一牺牲介电层上方的第二牺牲层。平坦化实施至第二牺牲层中，并且停止在第一牺牲层上。第一蚀刻实施至第一牺牲层和第二牺牲层中，以去除凹进的侧面处的第一牺牲层。使用第一牺牲层作为掩模，第二蚀刻实施至栅极电极层中，以形成凹进的栅极电极。在第二蚀刻之后实施第三蚀刻，以去除第一牺牲层。根据本申请的实施例，还提供了半导体器件和集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 集成电路 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
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