[发明专利]半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 202110072154.1 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112397593B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王东;刘科科;何云;丛茂杰 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H02M7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制造方法。所述半导体器件包括功率MOSFET，功率MOSFET包括在体区与沟槽栅极结构下表面之间设置的寿命控制区，所述寿命控制区可以通过氢离子和/或氦离子注入形成，在功率MOSFET由正向导通转换为反向截止时，进入所述寿命控制区的空穴的寿命缩短，从而有助于缩短反向恢复时间和减小反向恢复电流，进而可以改善振铃现象，提高应用所述半导体器件的电路的可靠性，有助于提升功率MOSFET的开关频率。所述制造方法可用于制作上述半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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