[发明专利]用于各向异性沉积薄膜的带状射束等离子体增强化学气相沉积系统在审
| 申请号： | 202080087241.8 | 申请日： | 2020-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114829671A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 约翰·哈塔拉;崔斯坦·Y·马;彼得·F·库鲁尼西 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/505 | 分类号： | C23C16/505;C23C16/511;C23C16/458;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 贺财俊;黄健 |
| 地址： | 美国加州圣塔克拉尔,鲍尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种带状射束等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统，包括：处理腔室，含有用于支撑衬底的压板；以及等离子体源，邻近于处理腔室设置且用于在等离子体腔室中产生自由基，等离子体腔室具有与其相关联的孔口以允许自由基的射束离开等离子体腔室，其中处理腔室维持在第一压强且等离子体腔室维持在大于第一压强的第二压强，以用于将自由基从等离子体腔室驱动到处理腔室中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 各向异性 沉积 薄膜 带状 等离子体 增强 化学 系统 | ||
【主权项】：
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- 2022-09-06 - 2023-05-05 - C23C16/505
- 本发明涉及一种薄膜沉积方法，更具体而言，涉及一种可以薄膜沉积方法，通过导入脉冲型等离子体吹扫工艺，从而防止超细微薄膜的厚度增加和生成的颗粒导致的物性变化。本发明中的薄膜沉积方法可将RF电源施加至腔室，并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基板上形成薄膜的基板处理装置，其包括：向上述腔室内部准备基板的步骤；在上述腔室内部生成第一等离子体，供应源气体而在上述基板上形成薄膜层的薄膜形成步骤；以及向上述腔室内生成提前预设好占空率的第二等离子体，供应惰性气体而在上述腔室内部将残留源气体清除的脉冲型等离子体吹扫步骤。
- 半导体器件及其薄膜沉积装置及方法-202211598687.4
- 郑意;野沢俊久;许嘉毓;娄文博;李健;陈新益 - 拓荆科技股份有限公司
- 2022-12-12 - 2023-04-25 - C23C16/505
- 本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器，其中，控制器被配置为：确定对半导体器件进行薄膜沉积时的目标能量密度；根据目标能量密度及射频发生器的射频频率，调节可调电容的电容值，以使沉积功率、射频时间及反应腔中的沉积压力匹配目标能量密度；以及基于目标能量密度的工艺条件，对半导体器件进行薄膜沉积。
- 一种改善InGaAs表面沉积SiO
- 黄惠莺;薛正群 - 福建中科光芯光电科技有限公司
- 2022-11-18 - 2023-04-04 - C23C16/505
- 本发明公开了一种改善InGaAs表面沉积SiO
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
