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- [发明专利]晶片工艺用垂直反应器-CN201910674764.1有效
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金岐俊;许官善;徐泰旭
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圆益IPS股份有限公司
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2019-07-25
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2023-07-07
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H01L21/67
- 本发明公开了改善隔热区域的隔热结构及吹扫结构以不影响晶舟区域的晶片工艺用垂直反应器，所述垂直反应器包括：内管，内部空间由上部晶舟区域与下部隔热区域区分，所述上部晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟，所述下部隔热区域用于隔热，并且在所述隔热区域形成有排气口；隔热芯体，垂直形成在所述隔热区域中平面状中央；隔热组件，形成有插入所述隔热芯体的垂直的中空，并且具有在所述隔热区域中上下间隔的多个隔热件；其中，流入所述隔热区域的吹扫气体经过间隔所述多个隔热件的排气空间，并绕过所述隔热芯体，引导至所述内管的所述排气口。
- 晶片工艺垂直反应器
- [发明专利]薄膜形成方法-CN202211247053.4在审
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朴永薰;田真镐;洪尚祺
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圆益IPS股份有限公司
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2022-10-12
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2023-07-04
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C23C16/455
- 本发明的一观点的一种薄膜形成方法，利用基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，在内部提供反应空间；基板支撑部，设置在所述工艺腔室，以在上部放置基板；气体喷射部，在所述反应空间内向所述基板支撑部上供应工艺气体。所述薄膜形成方法包括如下的步骤：在所述工艺腔室内将基板放置在所述基板支撑部上；在所述基板上将TiSiN单位循环反复多次，利用抑制剂原子层沉积(ALD)形成TiSiN薄膜。其中，所述TiSiN单位循环包括如下的步骤：将TiN单位循环至少反复1次，所述TiN单位循环在所述基板上利用抑制剂原子层沉积形成TiN层；SiN单位循环至少反复一次，在所述TiN层上利用原子层沉积形成SiN层。
- 薄膜形成方法
- [发明专利]装载锁定模块-CN202211113657.X在审
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许贤康
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圆益IPS股份有限公司
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2022-09-14
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2023-06-06
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H01L21/677
- 本说明涉及一种基板处理的发明，具体而言，涉及一种临时装载基板的装载锁定模块，包括：腔体(100)，至少形成一个密闭的内部空间(S)；基板支撑部(150),设置于上述内部空间(S),并支撑基板(10)；气体喷射部(140)，设置于上述腔体(100)，向上述内部空间(S)喷射压力转换气体；以及气体阻隔部(200)，防止在上述气体喷射部(140)喷射的压力转换气体直接喷射至安装于上述基板支撑部(150)上的基板(10)。
- 装载锁定模块
- [发明专利]基板处理装置-CN202211396520.X在审
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崔光夏;咸兑昊;李铁友
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圆益IPS股份有限公司
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2022-11-09
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2023-05-30
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H01L21/687
- 本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及在形成多个处理空间的工艺腔室内对于多个基板执行基板处理的基板处理装置。本发明公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室，形成相互区分的N个处理空间以处理基板；N个气体喷射部，向所述处理空间喷射气体；N个基板支撑部，支撑所述基板；传送支撑部，支撑作为传送对象的所述基板，以传送所述基板；旋转支撑部，分别放置所述基板，以使所述基板以经过所述基板的垂直方向第二旋转轴为中心进行旋转；旋转动力模块，对于所述传送支撑部及所述旋转支撑部分别提供旋转动力。
- 处理装置
- [发明专利]薄膜沉积方法-CN202211082586.1在审
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申晙惺;崔暎喆;金东鹤
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圆益IPS股份有限公司
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2022-09-06
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2023-05-05
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C23C16/505
- 本发明涉及一种薄膜沉积方法，更具体而言，涉及一种可以薄膜沉积方法，通过导入脉冲型等离子体吹扫工艺，从而防止超细微薄膜的厚度增加和生成的颗粒导致的物性变化。本发明中的薄膜沉积方法可将RF电源施加至腔室，并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基板上形成薄膜的基板处理装置，其包括：向上述腔室内部准备基板的步骤；在上述腔室内部生成第一等离子体，供应源气体而在上述基板上形成薄膜层的薄膜形成步骤；以及向上述腔室内生成提前预设好占空率的第二等离子体，供应惰性气体而在上述腔室内部将残留源气体清除的脉冲型等离子体吹扫步骤。
- 薄膜沉积方法
- [发明专利]基板处理装置-CN202211075808.7在审
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金台东;李晶桓;丁青焕;卢成镐;金颍俊
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圆益IPS股份有限公司
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2022-09-02
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2023-04-07
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H01L21/67
- 本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及通过高压及低压执行基板处理的基板处理装置。本发明公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)，形成内部空间(S1)；基板支撑部(200)，在上面放置基板(1)；内盖部(300)，形成内部有所述基板支撑部(200)的密封的处理空间(S2)；气体供应部(400)，将工艺气体供应于所述处理空间(S2)；内盖驱动部(600)，驱动所述内盖部(300)的上下移动；填充部件(700)，设置在所述基板支撑部(200)与所述设置槽(130)的内面之间，以填充所述基板支撑部(200)与所述设置槽(130)的内面之间的空间中的至少一部分。
- 处理装置
- [发明专利]基板处理装置-CN202211101412.5在审
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金台东;李晶桓;丁青焕;卢成镐;金颍俊
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圆益IPS股份有限公司
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2022-09-09
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2023-03-17
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H01L21/67
- 本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及通过在高压与低压之间的变压执行基板处理的基板处理装置。本发明公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)，形成贯通孔(150)，并且形成内部空间(S1)；基板支撑部(200)，在上面放置基板(1)；气体供应部(400)，供应用于基板处理的工艺气体；排气部(500)，向外部排放通过气体供应部(400)供应的工艺气体；其中，腔室主体(110)形成有排气通道，排气通道形成在基板支撑轴(220)外周面与贯通孔(150)内侧面之间以与排气部(500)连通。
- 处理装置
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