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[发明专利]存储器元件、制作半导体元件的方法及元件结构-CN201880078139.4有效
发明人：索尼·瓦吉斯;安东尼·雷诺;摩根·艾文斯;约翰·哈塔拉;约瑟·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器元件、制作半导体元件的方法及元件结构。存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。
存储器元件制作半导体方法结构

[发明专利]用于形成用以图案化衬底的结构的方法、图案化衬底的方法以及形成掩膜的方法-CN201780045678.3有效
发明人： 约翰·哈塔拉 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种用于形成用以图案化衬底的结构的方法、图案化衬底的方法以及形成掩膜的方法，该用于形成用以图案化衬底的结构的方法可包含：在安置于衬底上的掩模中提供初始掩模特征，初始掩模特征包括第一材料，衬底限定衬底平面；将离子作为离子束相对于衬底平面的垂线以非零入射角θ引导到初始掩模特征，其中形成复合掩模特征，复合掩模特征包括安置在初始掩模特征上的帽材料，帽材料包括离子；以及执行衬底蚀刻，其中在衬底中形成蚀刻特征，其中初始掩模特征的至少一部分在衬底蚀刻之后仍保留，其中衬底蚀刻以第一蚀刻速率蚀刻第一材料且以第二蚀刻速率蚀刻帽材料，第一蚀刻速率大于第二蚀刻速率。
用于形成用以图案衬底结构方法以及

[发明专利]将衬底及设置在其上的层图案化以及形成器件结构的方法-CN201780058139.3有效
发明人：丝特芬·R·舍曼;约翰·哈塔拉;赛门·罗芙尔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种将衬底及设置在其上的层图案化的方法以及一种形成器件结构的方法。所述方法可包括：在层内以交错配置形式提供第一表面特征及第二表面特征，所述层设置在所述衬底上；以及在含有反应性物质的反应性气氛的存在下，在第一曝光中将第一离子引导至所述第一表面特征的第一侧及所述第二表面特征的第一侧，其中所述第一曝光蚀刻所述第一表面特征的所述第一侧及所述第二表面特征的所述第一侧，其中在所述引导之后，所述第一表面特征与所述第二表面特征合并形成第三表面特征。本发明提供优点在于在不增大多个凹陷特征的长度的同时增大所述多个凹陷特征的宽度的能力以及在衬底层内形成复杂二维形状的能力，从而能够忠实地产生目标形状结构。
衬底设置图案以及形成器件结构方法

[发明专利]图案化的方法-CN202210535376.7在审
发明人：赛门·罗芙尔;约翰·哈塔拉;亚当·普兰德;戴辉雄 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供层，所述层具有多个孔；以及沿轨迹引导多个离子以沿第一方向拉长所述多个孔，所述第一方向在由所述衬底的前表面界定的衬底平面内延伸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
图案方法

[发明专利]使用倾角离子束填充孔穴的设备和方法-CN201680071850.8有效
发明人：陈宗良;约翰·哈塔拉;梁树荣 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种使用倾角离子束填充孔穴的设备和方法，所述方法包含：在等离子室中产生等离子体；相对于衬底的平面的垂线以非零入射角将包括冷凝物质和惰性气体物质中的至少一个的离子从等离子体引导至衬底内的孔穴。所述方法可以进一步包含：使用冷凝物质于孔穴内沉积填充材料，沉积填充材料与引导离子同时发生，其中填充材料以第一速率累积在孔穴的下表面上，并且其中填充材料以小于第一速率的第二速率累积在孔穴的侧壁的上部部分上。本发明提供优于用于填孔穴的已知技术的优点。另外，本发明提供避免空隙形成的更佳能力。
使用倾角离子束填充孔穴设备方法

[发明专利]用于各向异性沉积薄膜的带状射束等离子体增强化学气相沉积系统-CN202080087241.8在审
发明人： 约翰·哈塔拉;崔斯坦·Y·马;彼得·F·库鲁尼西 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-10-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种带状射束等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统，包括：处理腔室，含有用于支撑衬底的压板；以及等离子体源，邻近于处理腔室设置且用于在等离子体腔室中产生自由基，等离子体腔室具有与其相关联的孔口以允许自由基的射束离开等离子体腔室，其中处理腔室维持在第一压强且等离子体腔室维持在大于第一压强的第二压强，以用于将自由基从等离子体腔室驱动到处理腔室中。
用于各向异性沉积薄膜带状等离子体增强化学系统

[发明专利]将衬底图案化的方法-CN201680048977.8有效
发明人：赛门·罗芙尔;约翰·哈塔拉;亚当·普兰德;戴辉雄 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征具有沿衬底平面内的第一方向的第一尺寸及沿所述衬底平面内的第二方向的第二尺寸，其中第二方向垂直于第一方向；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至表面特征；其中第一曝光沿第一方向蚀刻表面特征，其中在所述引导之后，表面特征保持沿第二方向的第二尺寸，且其中所述表面特征具有沿第一方向的不同于第一尺寸的第三尺寸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
衬底图案方法

[发明专利]用于处理图案特征的多重曝光处理-CN201580073031.2有效
发明人：崔斯坦·Y·马;莫林·K·彼特森;约翰·哈塔拉;卢多维克·葛特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的用于处理图案特征的多重曝光处理包含一种用于处理基板的方法。所述方法可包含在基板上提供图案特征，图案特征具有侧壁。方法可进一步包含在第一曝光将第一离子物质植入到图案特征内，第一离子物质具有第一植入深度；以及在第二曝光将第二离子物质植入到图案特征内，第二离子物质具有小于第一植入深度的第二植入深度。
用于处理图案特征多重曝光

[发明专利]用于增大反应离子与中性物质的比的方法-CN201680074818.5有效
发明人：陈宗良;约翰·哈塔拉;梁树荣;约瑟·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于增大反应离子与中性物质的比的方法。本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。
用于增大反应离子中性物质方法

[发明专利]利用离子植入的极紫外光光致抗蚀剂的效能改善-CN201880048752.1在审
发明人：崔斯坦·马;戴辉雄;安东尼·雷诺;约翰·哈塔拉;约瑟·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种对衬底进行图案化的方法可包括：在所述衬底上提供毯覆式光致抗蚀剂层；向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率；以及在所述执行所述离子植入程序之后，执行图案化曝光，以将所述毯覆式光致抗蚀剂层曝光于极紫外光辐射。
利用离子植入紫外光光致抗蚀剂效能改善

[发明专利]工件处理系统和方法-CN201580055294.0有效
发明人：摩根·D·艾文斯;凯文·安葛林;丹尼尔·迪斯塔苏;约翰·哈塔拉;丝特芬·罗伯特·舍曼;约瑟·C·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。
工件处理方法装置

[发明专利]使用离子处理图案化特征的技术-CN201780016912.X在审
发明人：赛门·罗芙尔;戴辉雄;郎军;约翰·哈塔拉 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。
表面特征离子衬底衬底平面特征位置特征形状反应性入射角曝光蚀刻图案化特征离子处理离子撞击撞击表面不带电垂线对层非零射出沉积

[发明专利]DRAM元件用的非均匀栅氧化物厚度-CN201680074925.8在审
发明人：赛门·罗芙尔;阿宾德·库马尔;崔斯坦·马;沈圭河;约翰·哈塔拉;丝特芬·舍曼 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本文中提供用于形成动态随机存取存储器元件的栅极氧化物层的方法，所述方法包括：提供带鳍片基底，带鳍片基底中形成有凹槽；以及向凹槽的侧壁表面中执行离子植入，以形成具有非均匀厚度的栅极氧化物层，其中栅极氧化物层在侧壁表面的顶部区段处的厚度大于栅极氧化物层在侧壁表面的底部区段处的厚度。在某些方法中，将离子植入设置成以随着离子植入能量和/或离子剂量而变化的多个不同的植入角度进行的一系列离子植入，从而增大侧壁表面的顶部区段的栅极氧化物的厚度。在某些方法中，在离子植入期间或在离子植入之后也将带鳍片基底暴露至等离子体。
植入离子栅极氧化物层侧壁表面带鳍片基底顶部区段非均匀动态随机存取存储器元件等离子体离子植入能量栅极氧化物底部区段栅氧化物暴露

[发明专利]电阻性随机存取存储元件的离子植入改质-CN201280023609.X无效
发明人：彼得·F·库鲁尼西;约翰·哈塔拉 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种改良的电阻式存储元件的制造方法。电阻式内存包括底电极、顶电极、以及插入于底电极与顶电极之间的电阻材料层。界面形成在电阻材料层与顶电极之间以及电阻材料层与底电极之间。将离子植入元件，以改变所述界面中一者或两者的特性，从而改善存储元件的效能。这些离子可在上述三层制作后植入、在上述三层制作期间植入或在前述两个时间点植入。
电阻随机存取存储元件离子植入

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