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[发明专利]减少等离子体引起的损坏的工艺-CN202310845581.8在审
发明人：李建恒;赵来;翟羽佳;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本文所描述的实施方式提供了薄膜晶体管(TFT)和工艺以减少在TFT中的等离子体引起的损坏。在一个实施方式中，缓冲层设置在衬底上方，并且半导体层设置在所述缓冲层上方。栅介质层设置在所述半导体层上方。所述栅介质层在界面处接触所述半导体层。栅电极204设置在所述栅介质层上方。所述栅介质层具有约5e10cm‑2eV‑1至约5e11cm‑2eV‑1的Dit和约0.10V至约0.30V的磁滞以改善所述TFT的性能能力，同时具有在约6MV/cm与约10MV/cm之间的击穿场。
减少等离子体引起损坏工艺

[发明专利]在基板上沉积材料的方法-CN202180094561.0在审
发明人：托马斯·沃纳·兹巴于尔;安科·赫尔密西;马库斯·本德;崔寿永;莱内尔·欣特舒斯特;克里斯托夫·蒙多夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：描述了一种在基板上沉积至少一种材料的方法。所述方法包括第一沉积，所述第一沉积包括：通过缝隙从第一旋转靶和第二旋转靶进行溅射，所述缝隙是可调整的并具有小于第一尺寸。所述第一旋转靶具有第一磁体组件，所述第一磁体组件在面向所述第二旋转靶的第一方向上提供等离子体约束。所述第二旋转靶具有第二磁体组件，所述第二磁体组件在面向所述第一旋转靶的第二方向上提供等离子体约束。所述第一方向和所述第二方向从与所述基板的基板平面平行偏离小于第一值的角度。所述方法包括在所述第一沉积之上的第二沉积。所述第二沉积包括：通过所述缝隙从所述第一旋转靶和所述第二旋转靶进行溅射，所述缝隙具有至少第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。所述第一磁体组件在第三方向上提供等离子体约束。所述第二磁体组件在第四方向上提供等离子体约束。所述第三方向或所述第四方向中的至少一者与平行于所述基板平面偏离至少第二值的角度，所述第二值大于所述第一值。
基板上沉积材料方法

[发明专利]用于显示器应用的层堆叠-CN201880072510.6有效
发明人：芮祥新;崔寿永;栗田真一;翟羽佳;赵来 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般地涉及包含高介电常数电介质层的层堆叠，所述层堆叠形成于第一电介质层与金属电极上方。高介电常数电介质层具有20或更高的介电常数值且可形成为电子装置中的电容器、栅极绝缘层或任意合适的绝缘层的一部分，电子装置例如显示器装置。层堆叠包含设置于第一电介质层与金属层上的第二电介质层，和设置于第二电介质层上的高介电常数电介质层。第二电介质层提供均质表面，高介电常数电介质层形成于均质表面上。均质表面使高介电常数电介质材料得以均匀地沉积于其上，这样产生均匀的厚度分布。
用于显示器应用堆叠

[发明专利]在显示装置中利用的包含氧化锆的高k介电材料-CN201780026052.8有效
发明人：芮祥新;赵莱;伊恩·杰里·陈;崔寿永;宇佳·翟 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体提供一种形成具有高介电常数以及低膜电流泄漏和期望的膜质量的电容器层或栅极绝缘层以供显示器应用的方法。在一个实施方式中，一种薄膜晶体管结构包括：介电层，在基板上形成，其中介电层是包含铝的含锆材料；和栅极电极、源极电极和漏极电极，在基板上形成，其中栅极电极、源极电极和漏极电极在介电层之上或之下形成。
显示装置利用包含氧化锆材料

[发明专利]减少等离子体引起的损坏的工艺-CN201880066193.7有效
发明人：李建恒;赵来;翟羽佳;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/786 文献下载
摘要：本文所描述的实施方式提供了薄膜晶体管(TFT)和工艺以减少在TFT中的等离子体引起的损坏。在一个实施方式中，缓冲层设置在衬底上方，并且半导体层设置在所述缓冲层上方。栅介质层设置在所述半导体层上方。所述栅介质层在界面处接触所述半导体层。栅电极204设置在所述栅介质层上方。所述栅介质层具有约5e10cm‑2eV‑1至约5e11cm‑2eV‑1的Dit和约0.10V至约0.30V的磁滞以改善所述TFT的性能能力，同时具有在约6MV/cm与约10MV/cm之间的击穿场。
减少等离子体引起损坏工艺

[发明专利]用于等离子体增强化学气相沉积的膜应力控制-CN201980082054.8有效
发明人：高建德;元泰景;卡尔·A·索伦森;桑杰伊·D·雅达夫;李永东;栗田真一;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式包括用于在大面积基板上沉积多个层的方法与设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积的处理腔室。处理腔室包括喷头与基板支撑组件。喷头耦接至射频功率源并且接地，并且喷头包括多个穿孔气体扩散构件。多个等离子体施加器设置于喷头内，其中多个等离子体施加器中的一个等离子体施加器对应于多个穿孔气体扩散构件中的一个穿孔气体扩散构件。进一步地，直流偏压电源耦接至基板支撑组件。
用于等离子体增强化学沉积应力控制

[发明专利]气体分配组件-CN202180033279.1在审
发明人：桑杰伊·D·雅达夫;苏伦德拉·卡尼米哈利·塞蒂;李永东;元泰景;高建德;孙光伟;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-05-03 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开内容提供了一种气体分配组件，所述气体分配组件包括框架，所述框架具有第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分彼此平行且相对。歧管被设置成与所述第一部分和所述第二部分平行并在所述第一部分与所述第二部分之间。每个歧管具有第一面和第二面。第一面具有气体入口，并且第二面具有出口。所述气体分配组件包括喷嘴。每个喷嘴耦接到所述第二面的出口的一个出口，并且每个喷嘴包括从每个喷嘴的出口延伸的喷嘴针孔。所述气体分配组件包括管，其中每个管具有耦接到所述歧管的第一歧管的第一端部和耦接到所述歧管的第二歧管的第二端部。所述管的每一个管彼此平行地设置。
气体分配组件

[发明专利]通过等离子体频谱在动态等离子体条件下的过程控制和监控方法-CN202080098883.8在审
发明人：陈威廷;张巧颖;杨晓玲;朴范洙;崔永镇;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容的某些方面提供了用于通过等离子体频谱在动态等离子体提升条件下进行过程控制和监控的技术、系统和方法。在一些情况下，在给定腔室的等离子体提升条件期间收集多轮改变的等离子体强度数据，并且求出代表该改变的等离子体强度数据的统计值。根据该数据，求出统计过程控制(SPC)轨迹。获取来自随后的等离子体提升条件的改变的等离子体强度数据，并将该数据与SPC轨迹比较，以确定何时出现异常(例如外部气体、颗粒物或其他污染物)。
通过等离子体频谱动态条件下过程控制监控方法

[发明专利]改良的薄膜包封-CN202210804828.7在审
发明人：元泰景;崔寿永;桑杰伊·D·雅达夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供一种包封有机发光二极管(OLED)的方法。所述方法包括在工艺腔室中产生第一等离子体，当OLED器件定位在所述工艺腔室内时，所述第一等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度。所述OLED器件包括基板和形成在所述基板上的OLED。所述方法进一步包括：用第一等离子体预处理所述OLED与所述基板的一个或多个表面；通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第二等离子体来在所述OLED之上沉积包括硅和氮的第一阻挡层，所述第二等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度；以及在所述第一阻挡层之上沉积缓冲层；以及通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第三等离子体来在所述缓冲层之上沉积包括硅和氮的第二阻挡层。
改良薄膜

[发明专利]用于显示装置中的包含氧化锆的混合高K介电材料膜堆叠-CN202210424023.X在审
发明人：芮祥新;赵莱;伊恩·杰里·陈;崔寿永;宇佳·翟 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体提供形成可用作具有高介电常数以及高膜品质的电容器层或栅极绝缘层的混合膜堆叠的方法，以供显示应用。在一个实施方式中，一种薄膜晶体管结构包括形成在基板上的栅极电极、源极电极和漏极电极，和形成在基板上的绝缘层，其中所述绝缘层是具有介电层的混合膜堆叠，所述介电层包括设置在于所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极上方或下方形成的界面层上的含锆材料。
用于显示装置中的包含氧化锆混合材料堆叠

[发明专利]用于沉积工艺的导电掩模的接地-CN202210483343.2在审
发明人：河振晚;金载仲;郑镕拘;朴春熙;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式包括用于使沉积腔室中使用的阴影掩模电接地的方法和设备。在一个实施方式中，提供基板支撑件，并且基板支撑件包括：基板接收表面；以及多个可压缩的接地装置，所述多个可压缩的接地装置围绕基板接收表面的周边设置。多个接地装置中的每个包括：基部构件，所述基部构件被固定到基板支撑件；以及偏压组件，所述偏压组件能移动地设置在基部构件中。
用于沉积工艺导电接地

[发明专利]带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽框架-CN202210513328.8在审
发明人：古田学;崔寿永;崔弈;罗宾·L·蒂纳;赵金铉;王佳瑞;苏希尔·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体涉及一种遮蔽框架，所述遮蔽框架包括相邻于两个相对的次侧面框架构件的两个相对的主侧面框架构件，用角支架将所述主侧面框架构件与所述次侧面框架构件耦接在一起，其中所述角支架包括具有多个支腿的角镶嵌件，这些支腿在彼此大致上正交的方向延伸。
带有具有变化轮廓侧边实现改善沉积均匀遮蔽框架

[发明专利]用于消除遮蔽框架的气体限制器组件-CN201910993702.7有效
发明人：赵来;王群华;R·L·迪纳;崔寿永;B·S·朴 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本公开涉及一种气体限制器组件，所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来降低不均匀的沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的气体限制器组件包括气体限制器，所述气体限制器被配置成减少气流并且补偿基板边缘区域上的较高沉积速率。所述气体限制器组件还包括覆盖件，所述覆盖件设置在所述气体限制器下方。所述覆盖件被配置成防止基板支撑件暴露于等离子体下。
用于消除遮蔽框架气体限制器组件

[发明专利]高密度等离子体增强化学气相沉积腔室-CN201980102887.6在审
发明人： S·K·塞蒂;元泰景;孙光伟;崔寿永;李永东;松本隆之;桑杰伊·D·雅达夫;R·L·迪纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于沉积腔室的喷头的方法和装置。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积腔室的喷头，包括多个穿孔的砖，其每一个耦合至多个支撑构件的一个或多个，及在喷头之中的多个电感耦合器，其中多个电感耦合器的一个电感耦合器相对应至多个穿孔的砖的一个，其中支撑构件提供前驱物气体至形成于电感耦合器及穿孔的砖之间的空间。
高密度等离子体增强化学沉积

[发明专利]改良的薄膜包封-CN201880041661.5有效
发明人：元泰景;崔寿永;桑杰伊·D·雅达夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供一种包封有机发光二极管(OLED)的方法。所述方法包括在工艺腔室中产生第一等离子体，当OLED器件定位在所述工艺腔室内时，所述第一等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度。所述OLED器件包括基板和形成在所述基板上的OLED。所述方法进一步包括：用第一等离子体预处理所述OLED与所述基板的一个或多个表面；通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第二等离子体来在所述OLED之上沉积包括硅和氮的第一阻挡层，所述第二等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度；以及在所述第一阻挡层之上沉积缓冲层；以及通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第三等离子体来在所述缓冲层之上沉积包括硅和氮的第二阻挡层。
改良薄膜

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