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[发明专利]一种改善InGaAs表面沉积SiO2-CN202211443001.4在审
发明人： 黄惠莺;薛正群 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法，包括以下步骤：（1）当晶圆片完成外延结构生长之后，先用盐酸腐蚀表面的INP材料，再放入氟化铵溶液中，将裸露出来的InGaAs腐蚀3min，随后冲水干净后用氮气枪吹干，并烘干，保证晶圆片完全干燥；（2）通过在沉积SiO2的预清洗阶段增加笑气清洗，并适当增加清洗的流量和射频功率。本发明的方法解决了PECVD在InGaAs表面沉积SIO2脱落的问题，对InGaAs衬底表面进行预处理，优化生长SIO2的recipe，使得SIO2膜与晶圆上的InGaAs粘附更好，减少其它SIO2膜异常的出现。
一种改善 ingaas 表面沉积 sio base sub

[发明专利]一种半导体材料电镀金工艺方法-CN202210401940.6在审
发明人： 黄惠莺;薛正群 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体材料电镀金工艺方法，包括以下步骤：前期处理：在晶圆上镀钛铂金作为电镀的导电层，晶圆边缘一圈去边带有金；表面处理：涂布光刻胶，利用光刻版曝光显影出需要电镀的图形，并且晶圆边缘一圈去边，形成一圈无金的边；然后进行坚膜，打胶；将晶圆浸泡入浸润槽的表面处理液中，使晶圆表面湿润；将晶圆浸泡入电镀槽的金液中，当炉内温度达到设定温度后，对晶圆进行电镀金处理；金液成分为：Au：8~15 g/L；Tl：26~35 mg/L；亚硫酸根离子：30~90 g/L；硫酸根离子：5~80 g/L；电镀金处理后，在清洗槽中对晶圆进行冲洗，然后取出晶圆，完成电镀金。该方法不仅镀膜厚度可达到2um，镀膜效果好，而且操作简单，节约成本。
一种半导体材料镀金工艺方法

[发明专利]一种利用光刻负胶制造半导体芯片的方法-CN202210646354.8在审
发明人： 黄惠莺;薛正群 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用光刻负胶制造半导体芯片的方法，将ID/金属光刻改用E3502负胶条件可达到工艺优化（解决黑边残胶异常，彩虹异常）等目的，生产加工过程只匀一次胶，无需泛曝光，加工难度降低，undercut较大能满足高速激光器产品的需求，返工减少，提高生产效率，并且E3502负胶单价更低，节约购买成本。
一种利用光刻制造半导体芯片方法

[发明专利]一种INP片减薄抛光工艺方法-CN202210504658.0在审
发明人： 黄惠莺;薛正群 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种INP片减薄抛光工艺方法，包括以下步骤：（1）将带光刻胶的晶圆上蜡粘片，在减薄设备上减薄至120~125um；（2）将晶圆从减薄设备上取下，放到抛光设备上，让晶圆与抛光盘上的抛光垫接触；（3）抛光10~20min，将晶圆抛光至80‑100um；抛光过程中控制抛光液持续出液，抛光温度23~27℃，抛光压力180~300g/cm2；（4）对晶圆进行清洗、吹干后，融蜡下片；（5）进行N面一次金属镀膜；（6）退火，然后划裂解条。该方法有利于提高产品性能，得到高质量芯片。
一种 inp 片减薄抛光工艺方法

[实用新型]一种半导体晶圆片的电镀夹具-CN202123291364.4有效
发明人： 黄惠莺;翁贻清;薛正群 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-12-25 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体晶圆片的电镀夹具，包括底板，所述底板上表面开设有用以放置晶圆片的圆槽，所述圆槽内底部同轴固设有通电环，所述通电环内环表面沿其周部均布有凸齿，所述通电环上端同轴压设有定位环，所述晶圆片外周顶接在定位环内环表面环形限位并经上方盖设的压盖竖向限位，所述底板上设有与定位环导通的电极，该半导体晶圆片的电镀夹具结构简单，操作便捷高效。
一种半导体晶圆片电镀夹具

[实用新型]一种倾斜式平底花篮固定支架-CN202123357821.5有效
发明人： 黄惠莺;李雄杰;薛正群 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种倾斜式平底花篮固定支架，包括倾斜底座以及设置在倾斜底座上的斜面，所述斜面一侧设有半圆压盖，所述斜面另一侧上部设置有固定座，所述固定座内铰接有延伸至斜面侧下部的滑轮轴。本装置设计合理，结构简单，将平底花篮在培养皿中过洗后，通过半圆压盖限位平底花篮的半边，通过滑轮轴挡住平底花篮的另外半边，避免平底花篮掉出，然后直接用水龙头冲洗晶圆片，冲洗更加干净，从而达到保护基地材料，避免倾斜晶圆片因未冲洗干净导致腐蚀结果不均匀的问题。
一种倾斜平底花篮固定支架

[实用新型]一种倾斜式的晶圆片冲水花篮-CN202121729696.3有效
发明人： 黄惠莺;薛正群;邓彪 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种倾斜式的晶圆片冲水花篮，包括倾斜放置冲洗台，所述冲洗台内部中空，其冲洗端面为圆形且端面上开设若干圆孔与内部相通，所述冲洗台下端面水平并与增高垫固连支撑，所述冲洗台沿冲洗端面外周间隔朝外凸出有若干凸块；远离冲洗台端面一端的冲洗台上固连有竖向上延伸的支杆，该倾斜式的晶圆片冲水花篮结构简单，冲洗效果好。
一种倾斜晶圆片冲水花篮

[实用新型]光通信O波段硅基高速半导体激光芯片-CN202120915280.4有效
发明人：薛正群;黄惠莺;张长平;林泽磊;方瑞禹;苏辉 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本实用新型提出一种光通信O波段硅基高速半导体激光芯片，通过采用不同的缓冲层来形成InP材料低位错密度的生长表面；在能带结构上采用N‑InAlGaAs取代常规的N‑InAlAs电子阻挡层，降低电子从N型进入量子阱的势垒，降低阈值；采用超晶格结构量子垒取代单层垒层结构改善重空穴在量子阱中的输运；并在材料结构上进行调整，实现可靠性良好的硅衬底光通信用O波段高直调速率半导体激光芯片。
光通信波段高速半导体激光芯片

[发明专利]光通信O波段硅基高速半导体激光芯片及其制造方法-CN202110475557.0在审
发明人：薛正群;黄惠莺;张长平;林泽磊;方瑞禹;苏辉 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提出一种光通信O波段硅基高速半导体激光芯片及其制造方法，通过采用不同的缓冲层来形成InP材料低位错密度的生长表面；在能带结构上采用N‑InAlGaAs取代常规的N‑InAlAs电子阻挡层，降低电子从N型进入量子阱的势垒，降低阈值；采用超晶格结构量子垒取代单层垒层结构改善重空穴在量子阱中的输运；并在材料结构上进行调整，实现可靠性良好的硅衬底光通信用O波段高直调速率半导体激光芯片。
光通信波段高速半导体激光芯片及其制造方法

[实用新型]摇摆式金属镀膜的夹具-CN201820475556.X有效
发明人： 黄惠莺;张鹏 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种摇摆式金属镀膜的夹具，其特征在于：包括呈片状的方形夹具本体和设在夹具本体上的多个圆形凹槽，所述圆形凹槽用于放置2英寸的外延片，所述圆形凹槽的旁侧设有至少一个用于夹住外延片的弹簧压片。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：可以实现摇摆式的金属镀膜，一次性蒸镀多个完整2英寸外延片，也能保证镀膜的均匀性，用弹簧片固定外延片，替代传统的高温胶带，操作简便，提高效率，另外可使得待镀产品基本位于蒸发源的正中间，也能保证镀膜的均匀性，结构简单，易于加工。
外延片金属镀膜圆形凹槽摇摆式夹具本实用新型均匀性镀膜弹簧压片方形夹具高温胶带夹具本体呈片状传统的弹簧片一次性蒸发源夹住蒸镀保证替代加工

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