[发明专利]石墨基座和MOCVD设备有效
| 申请号： | 202011065403.6 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112458531B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;王慧;陈张笑雄;郭炳磊;王群;刘春杨;梅劲;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/12;C30B25/14;C30B28/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种石墨基座和MOCVD设备，属于半导体技术领域。石墨基座的一个圆形端面上设有多个圆形槽和至少一个条形槽；多个圆形槽的中心分布在至少两个圆形上，至少一个条形槽分布在至少一个圆环内，每个圆环位于至少两个圆形槽之间，至少两个圆形槽包括至少一个第一圆形槽和至少一个第二圆形槽，至少一个第一圆形槽的中心分布在相邻的两个圆形中靠近石墨基座的中心的圆形上，至少一个第二圆形槽的中心分布在相邻的两个圆形中远离石墨基座的中心的圆形上；第一圆形槽的远心点和第一圆形槽相邻的第二圆形槽之间的最短连线与至少一个条形槽间隔设置，远心点为第一圆形槽上距离石墨基座的中心最远的点。本公开可改善波长均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 基座 mocvd 设备 | ||
【主权项】：
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- 本申请提供了一种外延反应设备，涉及外延层工艺设备技术领域。外延反应设备包括传送装置及至少一反应装置；反应装置包括高温反应室、供气模组及抽气模组，高温反应室用于为晶圆提供加工时所需的环境条件，供气模组和抽气模组相对设置于高温反应室，供气模组用于供应反应气体，抽气模组用于抽取残留的气体；传送装置设置于高温反应室及与供气模组位于同一侧，传送装置用于取放晶圆。本申请提供的外延反应设备，有效解决了副产物掉落至晶圆的风险问题。另外在进行清洁维护时，省去了传送装置和供气模组分离的工序，简化工序，降低成本，操作可靠，提高了生成效率。
- micro-LED生长的反应腔结构、系统及方法-202011175533.5
- 王国斌;王建峰;徐科 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
- 2020-10-28 - 2023-05-16 - C30B25/08
- 本发明公开了一种micro‑LED生长的反应腔结构、系统及方法。所述MOCVD反应腔结构包括具有多边形径向截面的反应腔体和设置于所述反应腔体内的多边形中心棱柱，所述反应腔体的内壁与多边形中心棱柱的外壁之间形成有可供反应流体通过的多边环形流道，所述反应腔体的每一侧内壁上均分布有至少一个正方形槽，所述正方形槽用于容置生长micro‑LED所需的衬底。本发明实施例提供的一种适合micro‑LED生长的MOCVD反应腔结构中反应腔体和多边形中心棱柱均为石墨构件，相比于现有的其他MOCVD反应腔，具有均匀性更好、衬底利用率更高，且易于维护、部件更换成本更低等优势。
- 一种MOCVD反应腔及材料生长的方法-202310064077.4
- 张山丽;黎大兵;孙晓娟;吕顺鹏;贲建伟;蒋科;石芝铭;刘明睿 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 2023-01-14 - 2023-05-05 - C30B25/08
- 本申请提供的MOCVD反应腔及材料生长的方法，包括：反应腔本体、设置于所述反应腔本体内的排气环、激光单元及激光控制单元，所述排气环包括外排气环及套设所述外排气环的内排气环，所述内排气环的内表面上安装有所述激光单元，所述外排气环的内部安装有所述激光控制单元，所述激光单元的激光有紫外和红外两个波段，所述激光控制单元用于控制所述激光的开关、激光功率、及光斑大小，上述MOCVD反应腔及材料生长的方法，通过探测衬底表面温度，同时，将该温度信号反馈给激光控制单元，激光控制单元根据分析结果，改变激光光斑的大小和激光功率的大小，进而实现提高反应室的生长温度和温场的均匀性的目的，最终提高外延材料的晶体质量，不但可以实现高效的p型掺杂，同时还可以实现精准控温，提高设备的温场均匀性和材料的生长温度。
- 用于在衬底晶圆上沉积半导体材料层的设备和方法-202180056330.0
- H·黑希特 - 硅电子股份公司
- 2021-07-16 - 2023-05-05 - C30B25/08
- 本发明涉及一种用于在衬底晶圆上沉积半导体材料层的设备，所述设备包括：位于上穹顶与下穹顶之间的基环；在所述层的沉积期间用作所述衬底晶圆的支撑件的基座；气体入口和气体出口；排出气体管线以及用于在所述衬底晶圆的上侧表面上方传送工艺气体的气体供应管线；狭缝阀通道和狭缝阀门；以及用于提升和转动所述基座和所述衬底晶圆的提升和旋转装置，其特征在于，由不锈钢构成的所述设备的一个或多个组件被包含硅和氢的非晶层覆盖。
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