专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果375个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]一种自动感应和手动按压的暗装式两用冲洗阀-CN202321168033.8有效
  • 曾宪智;钱昊;俞彬 - 温州阿母斯丹洁具科技有限公司
  • 2023-05-12 - 2023-10-27 - E03D5/10
  • 本实用新型提出了一种自动感应和手动按压的暗装式两用冲洗阀,包括朝前侧开口设置的预埋盒体,预埋盒体的内部设有三个朝前开口设置的安装腔,第二安装腔内安装有手动式延时自闭阀芯,第三安装腔内安装有感应式延时自闭阀芯;第一安装腔内安装有阀盖一,阀盖一的中心螺纹连接有阀杆一,盖体上设有供阀杆一的前端露出的孔,阀杆一的后端设有导向孔一,导向孔一内滑动连接有导向杆一,导向杆一的后端连接有阀瓣一,阀瓣一与通孔一的边缘密封配合,阀瓣一和阀盖一之间设有弹簧一。其可以通过阀杆一来调节导向杆一阀瓣一的移动距离,这样就可以调节进水量的大小,由于阀杆一露出在盖体外,这样就可以直接对阀杆一进行操作,方便进行操作。
  • 一种动感应和手动按压暗装式两用冲洗
  • [发明专利]储能电池预制舱及储能电池-CN202310693518.7在审
  • 麻超杰;李新宇;董鹏越;刘宽;李文鹏;钱昊 - 北京海博思创科技股份有限公司
  • 2023-06-12 - 2023-10-03 - H01M50/244
  • 本申请提供一种储能电池预制舱及储能电池,该储能电池预制舱包括:第一安装室,第一安装室内设置有检测组件、消防组件以及多个用于存放电池包的舱体;第二安装室,第二安装室内设置有第一控制器以及第二控制器,第一控制器与检测组件连接,第二控制器与消防组件连接;第三安装室,第三安装室内设置有水冷机组,第二安装室和第三安装室设置在第一安装室的同侧,且第二安装室与第三安装室紧贴。本申请提供的上述方案,通过对储能电池预制舱整体进行布局规划,从而使得各个部件能够设置在对应的安装室内,有效利用了储能电池预制舱的整体空间。
  • 电池预制
  • [实用新型]具备消防系统的储能电池簇及储能集装箱-CN202320988953.8有效
  • 李文鹏;董鹏越;孙中豪;李新宇;顾伟峰;钱昊 - 北京海博思创工程技术有限公司
  • 2023-04-26 - 2023-10-03 - A62C3/16
  • 本实用新型提供一种具备消防系统的储能电池簇及储能集装箱。本实用新型提供的具备消防系统的储能电池簇包括箱体、电池包、消防组件以及散热单元,箱体内部沿高度方向具有多个层叠设置的安装架,电池包设置于安装架中;消防组件包括消防管,消防管用于输送灭火剂,消防管沿箱体的高度方向设置在箱体的外侧,消防管的靠近箱体顶部的一端被配置为与盛装灭火剂的容器连通,消防管朝向箱体的一侧开设有多个与安装架对应的喷口,以通过喷口对安装架内的电池包喷射灭火剂;散热单元设置在箱体的顶部,散热单元用于箱体内部的热量抽离至箱体外部。本实用新型提供一种具备消防系统的储能电池簇及储能集装箱,安全性能较高。
  • 具备消防系统电池集装箱
  • [发明专利]一种SiC反应炉原位清洗的方法-CN202310839726.3在审
  • 张梦龙;钱昊;韩理想;王小周;李京波 - 浙江芯科半导体有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-09-29 - C30B25/08
  • 本发明涉及外延反应炉清洗技术领域,具体公开了一种SiC反应炉原位清洗的方法,包括:正常生长时进行颗粒物监测、反应室颗粒物过量清洗程序开始、将对刻蚀气体敏感的传输盘移出反应室、升温并将大流量氢气通入反应室吹扫、降温降氢气流量、颗粒物监测、清洁完成和将对刻蚀气体敏感的传输盘移回反应室;本发明利用两步法,即高温氢气大流量和低温含氯混合气的分段式不同刻蚀速度清理反应室,加上离子束轰击反应室表面,去除附着的污染物并提供表面激活,以促进反应室下一步的再生和生长,利用加装光谱仪作为监测手段,及时发现腔体内SiC微粒水平超标情况,降低损失,并且可以对清理过程进行更精确的控制,不依赖经验值,且可推广性高。
  • 一种sic反应炉原位清洗方法
  • [实用新型]一种水龙头集成化智能出水控制器-CN202320826781.4有效
  • 曾宪智;钱昊;俞彬 - 温州阿母斯丹洁具科技有限公司
  • 2023-04-14 - 2023-09-29 - F16K31/06
  • 本实用新型公开了一种水龙头集成化智能出水控制器,包括控制器壳体、电磁阀、出水连接杆、挥手感应控制器、瞬时感应控制器和电源盒,控制器壳体顶部具有进水口,控制器壳体底部具有出水口;控制器壳体内部具有出水通道;电磁阀安装在控制器壳体内;电磁阀进水孔与进水口连通,电磁阀出水孔与出水通道连通;出水连接杆安装在控制器壳体内部;出水连接杆具有过流通道,出水通道通过过流通道与出水口连通;挥手感应控制器固定在控制器壳体侧壁上,且与电磁阀电性连接;瞬时感应控制器安装在控制器壳体底部,且与电磁阀电性连接;电源盒分别与挥手感应控制器和瞬时感应控制器电性连接。本实用新型既能短时间出水,又能长时间连续出水。
  • 一种水龙头集成化智能出水控制器
  • [发明专利]铜排组件和电源切换开关-CN202210450172.3有效
  • 董鹏越;李文启;吕喆;钱昊;李文鹏 - 北京海博思创科技股份有限公司
  • 2022-04-27 - 2023-09-26 - H01H1/58
  • 本申请提供一种铜排组件和电源切换开关,其中,铜排组件包括绝缘座和多个铜排,各铜排均连接于绝缘座,且铜排沿绝缘座的高度方向间隔设置;铜排包括主体部、输出部和至少两个输入部;主体部包括中段和位于中段两侧的悬空段,中段连接于绝缘座,两侧的悬空段悬空在绝缘座的两侧,输入部伸出在悬空段的面向开关主体的一侧,且各输入部分别用于和开关主体的各组接电位中相对应的接电端口连接,输出部伸出在悬空段的背离开关主体的一侧,输出部用于和用电器电连接。本申请提供的铜排组件和电源切换开关,可利用铜排实现多个电源之间的并联,以减少电源切换开关连有的线缆的数量,减小线缆占用空间且便于布局。
  • 组件电源切换开关
  • [实用新型]一种延时自闭可调的冷热水调温淋浴阀-CN202320825159.1有效
  • 曾宪智;钱昊;俞彬 - 温州阿母斯丹洁具科技有限公司
  • 2023-04-14 - 2023-09-22 - F16K11/22
  • 本实用新型公开了一种延时自闭可调的冷热水调温淋浴阀,包括调温阀、热水进水弯脚、冷水进水弯脚和延时自闭阀,调温阀包括第一阀体和调温阀芯,调温阀芯具有两个调温阀芯进水孔和调温阀芯出水孔,两个调温阀芯进水孔分别与热水进水通道和冷水进水通道连接相通;延时自闭阀包括第二阀体、延时自闭阀芯和阀体出水管,第二阀体与其顶部的第一阀体螺纹连接;延时自闭阀芯与第二阀体前侧内孔螺纹连接,阀体出水管与第二阀体后侧连接为一体;延时自闭阀芯进水孔通过阀体进水通道与调温阀芯出水孔连通,延时自闭阀芯出水孔通过阀体出水通道与阀体出水管连通。本实用新型将调温阀和延时自闭阀集成在一起,能够根据使用者需求自行调节温度和延时时间。
  • 一种延时自闭可调热水调温淋浴
  • [发明专利]一种风湿免疫吸附治疗设备-CN202310790096.5在审
  • 钱昊 - 钱昊
  • 2023-06-30 - 2023-09-15 - A61M1/00
  • 本发明公开了一种风湿免疫吸附治疗设备,涉及风湿吸附技术领域,本发明,包括按压机构,所述按压机构包括活动片、推板,所述推板的两侧贯穿并活动连接于所述活动片的顶部内侧壁处,所述推板的前端底侧设置有活动板,所述按压机构的底端设置有容器体,所述容器体的前侧卡接有弹压机构,所述弹压机构包括支撑条、卡块和活动杆。卡块的侧壁带动支撑条的侧壁向上旋转,支撑条的侧壁可穿插于推板的内侧夹角中,推板的前端被拽动后,后端会向前端倾斜拉动插块,可协助套筒的侧壁调节高度便于操作,弹力块的内侧经过捏合之后会重新合并到一起后,会容易缩小内壁空间,产生吸力,吸附整个套筒的侧壁进行内外以及上下收缩,便于吸附治疗。
  • 一种风湿免疫吸附治疗设备
  • [发明专利]凹槽栅MIS增强型HEMT器件及其制造方法-CN202310746509.X在审
  • 李京波;汪禹;刘传凯;钱昊;王小周 - 浙江芯科半导体有限公司
  • 2023-06-21 - 2023-09-08 - H01L29/06
  • 本申请公开了凹槽栅MIS增强型HEMT器件及其制备方法,其中器件包括由下至上依次设置的:衬底、AlGaN缓冲层、GaN‑Recover层、U‑GaN层、非故意C掺杂GaN层、GaN沟道层、AlN层、AlGaN层、Si掺杂AlGaN层以及GaN帽层,还包括:凹槽,形成于GaN帽层、Si掺杂AlGaN层以及AlGaN层;栅介质层,位于GaN帽层的上表面且覆盖凹槽的侧壁和底壁,栅介质层上具有贯穿栅介质层的第一凹口和第二凹口,第一凹口和第二凹口分别位于凹槽的两侧;源电极,位于第一凹口;漏电极,位于第二凹口;栅电极,设于栅介质层的外表面且位于凹槽处。本发明通过将AlGaN刻蚀减薄,降低刻蚀处的二维电子气浓度,从而达到关断的效果,不需要外延P‑GaN,降低了工艺难度。
  • 凹槽mis增强hemt器件及其制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top