[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法、沟槽版图结构

摘要

本发明提供的一种功率半导体器件及其制作方法、沟槽版图结构，沟槽版图结构包括若干相邻设置的沟槽单元，沟槽单元包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分和第三部分的宽度小于第二部分的宽度；第一沟槽连接单元连接了相邻的第一部分，第二沟槽连接单元连接了相邻的第三部分，第一沟槽连接单元和第二沟槽连接单元的宽度小于第二部分的宽度。本发明通过第一部分和第三部分的宽度小于第二部分的宽度，使得形成的沟槽两端无法沉积屏蔽栅多晶硅层而仅能沉积形成栅极多晶硅层，通过第一沟槽连接单元和第二沟槽连接单元设置连接孔，避免了栅极多晶硅层与屏蔽栅多晶硅层连桥的风险，节省了定义连接孔连接栅极多晶硅层的区域的掩模版，还减少了工序，降低了工艺成本。