[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 202010375289.0 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111952147A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 浅井优幸;今村友纪;奥田和幸;井之口泰启;水野谦和 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高形成于衬底的膜的衬底面内膜厚均匀性。具有将非同时进行(a)和(b)的循环进行规定次数而在衬底上形成膜的工序，(a)向处理室内衬底供给原料气体及非活性气体的工序，(b)向处理室内衬底供给反应气体的工序，(a)中从第1供给部向衬底供给在第1罐内积存的原料气体及非活性气体中至少任一者，从第2供给部向衬底供给在第2罐内积存的原料气体及非活性气体中至少任一者，在第1罐内积存有原料气体及非活性气体中至少任一者的状态下的第1罐内的原料气体的浓度与在第2罐内积存有原料气体及非活性气体中至少任一者的状态下的第2罐内的原料气体的浓度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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