[发明专利]一种半导体器件隔离环的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202010260332.9 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111446202B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;刘威;黄诗琪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开一种半导体器件隔离环的制造方法，所述方法包括：提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有正面和背面；在所述正面上形成第一电路元件；从所述背面形成贯穿所述第一半导体衬底的导电通孔，所述导电通孔用于与所述第一电路元件导电互连；在形成所述导电通孔的同时或在形成所述导电通孔之后，从所述背面形成位于所述第一半导体衬底内的隔离环，所述隔离环在所述第一半导体衬底的所述第一电路元件的形成区域与其他电路元件的形成区域之间形成绝缘隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 隔离 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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