[发明专利]一种碳化硅功率二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010206337.3 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113437132A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 陈道坤;史波;曾丹;马颖江 | 申请（专利权）人： | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘红彬 |
| 地址： | 519015 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种碳化硅功率二极管及其制备方法，该碳化硅功率二极管包括衬底、漂移层和第一欧姆金属层，漂移层形成于衬底一侧的表面，漂移层远离衬底的表面具有有源区，有源区包括间隔的多个第一P+注入区和间隔的多个第二P+注入区，各第一P+注入区的结深大于各第二P+注入区的结深，且漂移层上各第一P+注入区背离衬底的一侧均为豁口结构；第一欧姆金属层与第一P+注入区一一对应，各第一欧姆金属层位于对应的豁口结构中，并与对应的第一P+注入区欧姆接触。该碳化硅功率二极管及其制备方法能够提高碳化硅结势垒肖特基二极管的抗浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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