[发明专利]一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造在审
| 申请号： | 202010053742.6 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111146280A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陈利;陈彬;陈剑 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市中国（福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造，包括背面金属层、衬底层和源极金属表面层；所述衬底层设有栅槽结构，所述栅槽结构的沟道壁角部导入一绝缘层。所述沟道壁角部导入的绝缘层由两层高介电体层组成，第1层高介电体层与外侧氧化层接触，第2层高介电体层与内侧氧化层相接触。所述沟道壁角部导入的绝缘层的比介电率比SiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 提高 功率 器件 耐压 开关时间 性能 栅极 构造 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门芯一代集成电路有限公司，未经厦门芯一代集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010053742.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
