[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911416637.8 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111063740A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 周源;张小麟;李静怡;王超;张志文;朱林迪;袁波;刘恒;梁维佳 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 杨思雨 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：作为体区的半导体衬底；掺杂区，自体区的第一表面延伸至体区中；栅叠层，位于体区的第一表面；导电通道，包括沿体区的厚度方向贯穿体区的沟槽以及填充在沟槽内的导电材料，且导电通道与掺杂区分隔；以及漏电极，在体区的第二表面与导电通道接触，其中，栅极叠层接收控制电压，漏电极与掺杂区之间通过导电通道、掺杂区与导电通道之间的沟道导通。由于该半导体器件的导电通道连通体区的第一表面与第二表面，并且漏电极在第二表面与导电通道接触，因此在器件导通后，省去了原有的外延层与衬底，从而降低了导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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