[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 201911204429.1 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN111261716A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 彭成毅;蔡婷;洪崇玮;陈荣挺;赖盈桦;李松柏;田博仁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体器件包括沟道区以及与沟道区相邻的源极/漏极区。源极/漏极区包括第一外延层、外延形成在第一外延层上的第二外延层和外延形成在第二外延层上的第三外延层,并且第一外延层由SiAs制成。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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