[发明专利]基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片在审
| 申请号： | 201911182382.3 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112968060A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 林威 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片，全隔离LDNMOS包括P型衬底、高压N阱、N型漂移区、若干STI、P型体区、源区、漏区、闸极和N型漂移区的全隔离区；制作方法包括以下步骤：利用LDPMOS的P型漂移区的制作步骤生成N型漂移区的全隔离区。本发明利用LDPMOS的P型漂移区的制作步骤生成全隔离LDNMOS的N型漂移区的全隔离区，省去了传统全隔离LDNMOS中需要利用一层光罩采用高能注入的形式单独形成P型埋层作为N型漂移区的全隔离区的步骤，通过简化工艺步骤降低了制造成本，并且通过RESURF效应改善了LDNMOS的导通电阻，保证击穿电压以及导通电阻均可以匹配传统全隔离LDNMOS的表现。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 bcd 工艺 隔离 ldnmos 制作方法 芯片 | ||
【主权项】：
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