[发明专利]避免双峰效应的横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构有效
| 申请号： | 200910198558.4 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101719511A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 刘龙平;令海阳;陈爱军;易亮;黄庆丰;杨华岳 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构，包括自下而上分布的基底层、氧化层和多晶硅层，多晶硅层作为LDNMOS的栅极。两个N型漂移区，分别位于基底层内的氧化层的两侧，以做为LDNMOS的源极和漏极。P型漂移区，在基底层内环设在LDNMOS的栅极、源极和漏极外，以作为LDNMOS的基电极。其中，氧化层另外两侧的边缘离P型漂移区边缘的距离为0～0.2um。本发明提出的LDNMOS结构能够使LDNMOS的栅氧化层GOX中较薄的部分居于N型漂移区之外，不属于器件有效尺寸范围内，而有效栅氧化层厚度保持均匀，避免由于较薄栅氧化层引起在MOS在更低的亚阈电压下开启，从而限制LDNMOS的双峰效应。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 双峰 效应 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构，其特征是，包括：自下而上分布的基底层、氧化层和多晶硅层，上述多晶硅层作为横向扩散金属氧化物半导体晶体管的栅极；两个N型漂移区，分别位于上述基底层内的上述氧化层的两侧，以做为横向扩散金属氧化物半导体晶体管的源极和漏极；以及P型漂移区，在上述基底层内环设在横向扩散金属氧化物半导体晶体管的栅极、源极和漏极外，作为横向扩散金属氧化物半导体晶体管的基电极，其中，上述氧化层另外两侧的边缘离上述P型漂移区边缘的距离为0～0.2um。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910198558.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
