[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法有效
申请号: | 201910576064.9 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110660844B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 叶佳灵;陈京玉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/20 | 分类号: | H01L29/20;H01L29/205;H01L21/335;H01L29/778 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 提供了高电子迁移率晶体管(HEMT)器件及其形成方法。该方法包括在衬底上方形成第一III‑V族化合物层。在第一III‑V族化合物层上方形成第二III‑V族化合物层。第二III‑V族化合物层比第一III‑V族化合物层具有更大的带隙。在第二III‑V族化合物层上方形成第三III‑V族化合物层。第三III‑V族化合物层和第一III‑V族化合物层包括相同的III‑V族化合物。沿着第三III‑V族化合物层的最顶表面和侧壁形成钝化层。在第二III‑V族化合物层上方形成第四III‑V族化合物层。第四III‑V族化合物层比第一III‑V族化合物层具有更大的带隙。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成半导体器件的方法,包括:/n在衬底上方形成第一III-V族化合物层;/n在所述第一III-V族化合物层上方形成第二III-V族化合物层,所述第二III-V族化合物层比所述第一III-V族化合物层具有更大的带隙;/n在第二III-V族化合物层上方形成第三III-V族化合物层,所述第三III-V族化合物层和所述第一III-V族化合物层包括相同的III-V族化合物;/n沿着所述第三III-V族化合物层的最顶表面和侧壁形成钝化层;以及/n在所述第二III-V族化合物层上方形成第四III-V族化合物层,所述第四III-V族化合物层比所述第一III-V族化合物层具有更大的带隙。/n
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