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[发明专利]等离子体处理装置-CN202310912618.4在审
发明人： 胜沼隆幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明所要解决的课题在于：避免由于从含金属掩模飞散的金属引起的蚀刻停止。解决课题的方法在于：等离子体处理装置，实行包括以下工序的处理：保护膜形成工序，其利用第一处理气体，对形成于蚀刻对象膜上的具有规定的开口图案的含金属膜形成保护膜；和蚀刻工序，其将形成有保护膜的含金属膜作为掩模，利用第二处理气体的等离子体对蚀刻对象膜进行蚀刻。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN202310137724.X在审
发明人：米泽隆宏;胜沼隆幸;石川慎也;田中康基;熊仓翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的方法，等离子体处理装置具有腔室、基板支承部以及等离子体生成部，等离子体处理方法包括：准备的工序，在基板支承部准备具有含硅膜和掩模膜的基板，掩模膜包含开口图案；以及蚀刻的工序，在腔室内生成等离子体，将掩模膜作为掩模来对含硅膜进行蚀刻，蚀刻的工序包括：向腔室内供给含有碳、氢及氟的包含1种以上的气体的处理气体；向等离子体生成部供给源RF信号，来从处理气体生成等离子体；以及向基板支承部供给偏压RF信号，在蚀刻的工序中，一边在掩模膜的表面的至少一部分形成含碳膜，一边至少通过从处理气体生成的氟化氢来蚀刻含硅膜。
等离子体处理方法装置

[发明专利]医疗用泵、医疗用泵的控制方法及医疗用泵系统-CN202080073545.9有效
发明人： 胜沼隆幸;野村孝文 -专利权人：泰尔茂株式会社
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： A61M5/142 文献下载
摘要：医疗用泵具有：读取器，其能够通过无线通信来读取存储于RF标签内的识别信息；和控制部，其基于从所述RF标签读取到的所述识别信息来设定与投放有关的信息，在所述读取器读取到两个不同的所述识别信息的情况下，所述控制部仅选择所述两个不同的所述识别信息中的一个识别信息来设定与所述投放有关的信息。
医疗控制方法系统

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN201811317005.1有效
发明人： 胜沼隆幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明所要解决的课题在于：避免由于从含金属掩模飞散的金属引起的蚀刻停止。解决课题的方法在于：等离子体蚀刻方法包括：保护膜形成工序，其利用第一处理气体，对形成于蚀刻对象膜上的具有规定的开口图案的含金属膜形成保护膜；和蚀刻工序，其将形成有保护膜的含金属膜作为掩模，利用第二处理气体的等离子体对蚀刻对象膜进行蚀刻。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]医疗用泵、医疗用泵的控制方法以及医疗用泵系统-CN201880054883.0有效
发明人： 胜沼隆幸 -专利权人：泰尔茂株式会社
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： A61M5/168 文献下载
摘要：医疗用泵具备：读取器，能够读取药剂特定信息；存储部，存储上述读取器读取到的上述药剂特定信息；报告部；以及控制部，在上述存储部中存储有上述药剂特定信息时，若上述读取器重新读取药剂特定信息，则上述控制部将存储于上述存储部的上述药剂特定信息与上述读取器重新读取到的上述药剂特定信息进行比较，并且在存储于上述存储部的上述药剂特定信息与上述读取器重新读取到的上述药剂特定信息不一致的情况下，上述控制部使上述报告部报告药剂不一致这一情况。
医疗控制方法以及系统

[发明专利]用于控制基片上的保护膜的厚度的方法和装置-CN202110947314.2在审
发明人： 胜沼隆幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供了一种在基片上形成膜的方法，该基片包括蚀刻层和在蚀刻层上形成的掩模。该方法包括：(a)在反应室中，将基片暴露于前体，以在蚀刻层中的凹槽的至少侧壁上设置前体粒子；(b)向反应室供应抑制剂气体和改性气体，以生成等离子体；以及(c)当在反应室中供应抑制剂气体和改性气体时，将侧壁上的前体粒子改性为保护膜。
用于控制基片上保护膜厚度方法装置

[发明专利]晶片处理方法和等离子体处理装置-CN202110959471.5在审
发明人： 胜沼隆幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供晶片处理方法和等离子体处理装置，其目的在于提供抑制由在基片上形成的膜引起的凹部的开口的闭塞的技术，基片处理方法包含使前驱体吸附于基片的侧壁面的工序(a)，侧壁面在基片区划形成凹部，基片处理方法还包含向基片供给第一化学种和第二化学种的工序(b)，第一化学种在侧壁面上由前驱体形成膜，第二化学种抑制膜的厚度的增加，工序(a)与工序(b)交替重复。
晶片处理方法等离子体装置

[发明专利]蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统-CN202110067048.4在审
发明人：户村幕树;新关智彦;胜沼隆幸;笹川大成;中根由太;石川慎也;小野健太;熊仓翔;泷野裕辅;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。
蚀刻方法处理装置系统

[发明专利]基片处理方法和基片处理系统-CN201980076470.7在审
发明人：久松亨;胜沼隆幸;石川慎也;木原嘉英;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。
处理方法系统

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202011472515.3在审
发明人：西出大亮;胜沼隆幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括提供基片的步骤、形成保护膜的步骤和蚀刻的步骤。提供基片的步骤提供基片，该基片具有被蚀刻膜、形成于被蚀刻膜之上的第1掩模和以覆盖第1掩模的至少一部分的方式形成的第2掩模。形成保护膜的步骤利用由第1气体生成的等离子体，在第2掩模的侧壁形成保护膜。蚀刻的步骤利用由第2气体生成的等离子体，蚀刻被蚀刻膜。根据本发明，能够抑制层叠的掩模的损耗。
处理方法装置

[发明专利]用于控制基板上的图案的形状的方法和设备-CN202011388472.0在审
发明人： 胜沼隆幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过第一阶段和第二阶段处理基板的设备和方法。在第一阶段，在保持有基板的腔室中执行混合气体施用循环。引入第一气体持续第一时间段，以使第一气体的组分吸附到基板上。随后，引入第二气体持续第二时间段，以使第二气体与第一气体的组分反应以在基板的图案的侧壁上提供保护层，并且第二气体蚀刻图案的底部，第一时间段与第二时间段之比为使用比。然后，在第二阶段，以对应于图案的竖直尺寸的不同的使用比重复混合气体施用循环。
用于控制基板上图案形状方法设备

[发明专利]对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置-CN202011238186.6在审
发明人：新关智彦;胜沼隆幸;木原嘉英;户村幕树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置。一个例示的实施方式的方法包括通过供给前体气体来在基片上形成前体层的步骤。基片具有膜，提供开口。方法还包括用来自从处理气体形成的等离子体的化学种来蚀刻膜的步骤。在蚀刻膜的步骤中，开口的深度增加，并且利用来自等离子体的化学种或其他化学种，由前体层形成保护区域。执行分别包含形成前体层的步骤和蚀刻膜的步骤的多个循环。至少一个循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度和至少一个其他循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度，被设定为彼此不同的温度。根据本发明，能够提供保护膜的侧壁面并且在形成于膜的开口的深度方向上控制该开口的宽度的技术。
进行蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]基片处理方法、半导体器件的制造方法和等离子体处理装置-CN202010994040.8在审
发明人： 胜沼隆幸;西出大亮 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供能够提高蚀刻处理中的选择比的基片处理方法、半导体器件的制造方法和等离子体处理装置。一个示例的实施方式的基片处理方法包括a)步骤和b)步骤。a)是将具有第一区域和第二区域的基片提供到腔室内的步骤。b)是通过从第一处理气体生成第一等离子体以在第一区域和第二区域上形成沉积膜的步骤。第一处理气体是包括含有碳原子及氟原子的第一气体和含有硅原子的第二气体的混合气体。
处理方法半导体器件制造等离子体装置

[发明专利]蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统-CN202010914258.8在审
发明人： 胜沼隆幸;本田昌伸;中根由太;石川慎也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，来抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生的蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统。在一个例示的实施方式中，提供了一种蚀刻方法。蚀刻方法包括对有机膜执行等离子体蚀刻的步骤(a)。在有机膜上形成有掩模。通过等离子体蚀刻在有机膜形成凹部。蚀刻方法还包括在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜。蚀刻方法还包括在步骤(b)之后执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻的步骤(c)。
蚀刻方法等离子体处理装置系统

[发明专利]基板处理方法-CN201911249113.4在审
发明人：久松亨;胜沼隆幸;石川慎也;木原嘉英;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明的课题在于：提供一种能够高精度地控制图案的形状的技术。本发明解决课题的方法在于：基板处理方法包括：提供在表层形成有图案的基板的提供工序；设定基板的温度使得图案的变化达到规定的变化量的设定工序；在基板的表层形成与温度相对应厚度的反应层的形成工序；和向基板供给能量而除去反应层的除去工序。
处理方法

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