[发明专利]功率MOSFET、半导体器件及其衬底的减薄方法在审
| 申请号： | 201910362271.4 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111863734A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 郑英豪;严大生 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L29/78;H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率MOSFET、半导体器件及其衬底的减薄方法，所述功率MOSFET至少包含：在衬底的下面形成的粘附阻挡层；以及在所述粘附阻挡层的下面形成的电镀铜层；其中，所述功率MOSFET的厚度为300μm以下。所述方法包括如下步骤：在半导体器件的正面形成临时粘附载体；翻转所述半导体器件并将所述衬底减薄；在所述衬底上依次形成粘附阻挡层和电镀铜层；以及去除所述临时粘附载体。上述方法不仅可以工艺简单、费用低廉地将功率MOSFET器件的衬底减薄到100μm以下，而且减小了功率MOSFET的总电阻，尤其是在低压功率MOSFET中这种电阻的下降非常明显，并由此提高了功率MOSFET的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 半导体器件 及其 衬底 方法 | ||
【主权项】：
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