[发明专利]功率MOSFET、半导体器件及其衬底的减薄方法在审
| 申请号： | 201910362271.4 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111863734A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 郑英豪;严大生 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L29/78;H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 半导体器件 及其 衬底 方法 | ||
1.一种功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET至少包含：
衬底；
在所述衬底的上面形成的漂移区；
在所述漂移区上面形成的体区、栅极和源极；
在所述衬底的下面形成的粘附阻挡层；以及
在所述粘附阻挡层的下面形成的电镀铜层；
其中，所述功率MOSFET的厚度为300μm以下。
2.根据权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET包括垂直导电型VMOSFET。
3.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET包括PMOSFET或NMOSFET。
4.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET包括沟槽MOSFET或平面MOSFET。
5.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述漂移区包括n-外延层或p-外延层。
6.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述源极包括金属。
7.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述栅极包括多晶硅、金属或金属硅化物中的至少一种。
8.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述粘附阻挡层包括Ta、TaN、Ti、TiN中的至少一种。
9.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述电镀铜层包括由在铜籽晶层上通过电镀法生长的铜薄膜层。
10.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述衬底包括硅。
11.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述衬底的厚度为100μm以下。
12.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述电镀铜层的厚度为50～300μm。
13.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括权利要求1-12任一项所述的功率MOSFET。
14.一种衬底的减薄方法，所述衬底为半导体器件的衬底，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
在衬底的上面形成漂移区；
在所述漂移区上面形成体区、栅极和源极以形成所述半导体器件的正面；
在所述半导体器件的正面形成临时粘附载体；
翻转所述半导体器件并将所述衬底减薄；
在所述衬底上依次形成粘附阻挡层和电镀铜层；以及
去除所述临时粘附载体。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括功率MOSFET。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述功率MOSFET包括垂直导电型VMOSFET。
17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述功率MOSFET包括PMOSFET或NMOSFET。
18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述功率MOSFET包括沟槽MOSFET或平面MOSFET。
19.根据权利要求14-18任一项所述的方法，其特征在于，所述漂移区包括n-外延层或p-外延层。
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