[发明专利]用于发光器件中高效电子和空穴阻挡的应力ALGAINP层在审
| 申请号： | 201880063257.8 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN111108614A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | L.布萨尔;T.钟;P.德布 | 申请（专利权）人： | 亮锐有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/12;H01S5/34;H01L33/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 江鹏飞;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种发光器件。该发光器件包括电子阻挡层，其中，该电子阻挡层的至少一部分被布置为具有拉伸应力，空穴阻挡层，其中，该空穴阻挡层的至少一部分被布置为具有压缩应力，以及设置在该空穴阻挡层和电子阻挡层之间的有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发光 器件 高效 电子 空穴 阻挡 应力 algainp | ||
【主权项】：
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- 提出一种光电子半导体本体(1)，所述半导体本体具有带有设为用于产生辐射的有源区域(20)、第一势垒区域(21)和第二势垒区域(22)的半导体层序列(2)。有源区域(20)设置在第一势垒区域(21)和第二势垒区域(22)之间。在第一势垒区域(21)中设置有至少一个载流子势垒层(3)，所述载流子势垒层是拉应变的。此外，提出一种具有这样的半导体本体的半导体芯片(10)。
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- 伊瓦尔·通林;沃尔夫冈·施密德 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2012-07-06 - 2014-04-30 - H01L33/14
- 在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括具有至少一个有源层（20）的半导体层序列（2）。此外，半导体芯片（1）具有在半导体层序列（2）的辐射主侧（23）上的上侧接触结构（3）和在与辐射主侧（23）对置的下侧（24）上的下侧接触结构（4）。此外，半导体芯片（1）包含至少两个沟道（5），所述沟道（5）从辐射主侧（23）伸展至下侧（24）。在辐射主侧（23）的俯视图中看，上侧接触结构（3）和下侧接触结构（4）彼此间隔地布置。同样在辐射主侧（23）的俯视图中看，沟道（5）位于上侧接触结构（3）与下侧接触结构（4）之间。
- 专利分类
