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[发明专利]深紫外发光元件及其制造方法-CN201880064035.8有效
发明人： 渡边康弘 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提供一种兼具高的发光输出和优异的可靠性的深紫外发光元件及其制造方法。根据本发明的深紫外发光元件在基板(10)上依次具有n型半导体层(30)、发光层(40)、p型电子阻挡层(60)和p型接触层(70)，p型接触层(70)具有超晶格结构，该超晶格结构是通过交替层叠第1层(71)和第2层(72)而得到的，第1层(71)由具有比发光层(40)中发出深紫外光的层的Al组成比w0高的Al组成比x的AlxGa1‑xN构成，第2层(72)由具有比Al组成比x低的Al组成比y的AlyGa1‑yN构成，并且Al组成比w0、Al组成比x、Al组成比y以及p型接触层的厚度平均Al组成比z满足式[1]0.030＜z‑w0＜0.20和式[2]0.050≤x‑y≤0.47。
深紫发光元件及其制造方法

[发明专利]III族氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201880020537.0有效
发明人： 渡边康弘 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提供一种III族氮化物半导体发光元件及其制造方法，该III族氮化物半导体发光元件提高了比以往更能维持发光输出的可靠性。本发明的III族氮化物半导体发光元件在基板上依次具备n型半导体层、发光层、p型电子阻挡层、由AlxGa1‑xN构成的p型接触层和p侧反射电极，来自所述发光层的中心发光波长为265nm以上且330nm以下，所述p型接触层与所述p侧反射电极接触，并且所述p型接触层的厚度为20nm以上且80nm以下，所述p型接触层的Al组成比x满足下述式(1)。其中，下述式(1)中，λp为所述中心发光波长(nm)。2.09‑0.006×λp≤x≤2.25‑0.006×λp (1)。
iii 氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201680043718.6有效
发明人： 渡边康弘;藤田武彦 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有比以往优异的元件寿命的Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光元件(100)的特征在于，依次具有：n型Ⅲ族氮化物半导体层(30)；将势垒层(40a)及比势垒层(40a)带隙小的阱层(40b)依次交替层叠各N层(其中，N为整数)而成的Ⅲ族氮化物半导体层叠体(40)；AlN引导层(60)；和，p型Ⅲ族氮化物半导体层(70)，AlN引导层(60)的厚度为0.5nm以上且为2.0nm以下。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]深紫外发光元件用反射电极的制造方法、深紫外发光元件的制造方法及深紫外发光元件-CN202080010391.9在审
发明人： 渡边康弘;中野雅之 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：提供一种可以兼具高的发光输出和优异的可靠性的深紫外发光元件用反射电极。按照本发明的深紫外发光元件用反射电极的制造方法具备：第1工序，在具有超晶格结构的p型接触层上，以3～20nm的厚度形成Ni作为第1金属层；第2工序，在所述第1金属层上以20nm以上且2μm以下的厚度形成Rh作为反射金属；以及第3工序，对所述第1金属层和所述第2金属层进行300℃以上且600℃以下的加热处理。
深紫发光元件反射电极制造方法

[发明专利]III族氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201980082293.3在审
发明人： 渡边康弘 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提供兼顾高发光输出和优异可靠性的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。基于本发明的III族氮化物半导体发光元件在基板上依次具备n型半导体层、发光层、p型AlGaN电子阻挡层、p型接触层和p侧反射电极，从前述发光层发出的光的发光中心波长为250nm以上且330nm以下，前述p型AlGaN电子阻挡层的Al组成比为0.40以上且0.80以下，前述p型接触层的膜厚为10nm以上且50nm以下，且该p型接触层具有Al组成比为0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接触层。
iii 氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]III族氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201980072339.3在审
发明人： 渡边康弘 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：提供具有比以往更优异的发光输出的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。本发明的III族氮化物半导体发光元件(100)的发光波长为200～350nm，且依次具有n型半导体层、发光层、AlN引导层、电子阻挡层和p型半导体层，所述发光层是将势垒层和阱层依次交替层叠各N层(其中，N为整数)而成的，前述电子阻挡层为p型的AlzGa1‑zN(0.50≤z≤0.80)，前述势垒层为n型的AlbGa1‑bN(z+0.01≤b≤0.95)。
iii 氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]III族氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201980063471.8在审
发明人： 渡边康弘 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提供一种III族氮化物半导体发光元件及其制造方法，该III族氮化物半导体发光元件可以抑制发光输出的经时变化，并且具有比以往更优异的发光输出。本发明的III族氮化物半导体发光元件(100)的发光波长为200nm～350nm，依次具备n型层(30)、发光层(40)、电子阻挡层(60)和p型接触层(70)，电子阻挡层(60)具有共掺杂区域层(60c)，p型接触层(60)为p型AlxGa1‑xN(0≤x≤0.1)，p型接触层(60)的厚度为300nm以上。
iii 氮化物半导体发光元件及其制造方法

[实用新型]车辆用照明装置及车辆用灯具-CN202020205380.3有效
发明人：石山政之;土屋竜二;日野清和;小杉大资;畑中登志浩;白石宽光;越智统彦;渡边康弘;松尾伦宏;上野岬 -专利权人：东芝照明技术株式会社
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： F21S41/19 文献下载
摘要：本实用新型提供一种能够提高光的输出效率的车辆用照明装置及车辆用灯具。实施方式所涉及的车辆用照明装置具备：安装部，其具有在一侧的端面开口的凹部；发光模块，其具有基板及设置在所述基板上的至少一个发光元件，所述发光模块设置在所述凹部的内部；及多个接合销，其设置在所述安装部的外侧表面。在从沿所述安装部的中心轴的方向观察所述安装部时，所述多个接合销隔着规定间隔设置。在所述安装部的所述多个接合销彼此之间的区域具有开口部。所述开口部的开口尺寸大于所述接合销的宽度尺寸。
车辆照明装置灯具

[实用新型]车辆用照明装置及车辆用灯具-CN201920161946.4有效
发明人：松田阳平;高桥和宏;渡边康弘;池边翔太;越智统彦 -专利权人：东芝照明技术株式会社
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： F21V23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种利用简单的结构即可保持基板的车辆用照明装置、车辆用灯具。实施方式所涉及的车辆用照明装置具备：基板，其具有连接焊盘且设置有配线图案；至少一个发光元件，其与所述配线图案电连接；一对灯头，其与所述基板的设置有所述连接焊盘的部分直接连接。
车辆用照明装置基板连接焊盘车辆用灯具配线图案电连接本实用新型发光元件配线图案灯头

[发明专利]第III族氮化物半导体发光元件和其制造方法-CN201811466906.7在审
发明人：藤田武彦;渡边康弘 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种第III族氮化物半导体发光元件和其制造方法。具体而言，本发明提供具有比以往优异的元件寿命的第III族氮化物半导体发光元件和其制造方法。本发明的第III族氮化物半导体发光元件(100)的特征在于，依次具有n型半导体层(30)、至少包含Al的发光层(40)、电子阻挡层(50)和p型半导体层(60)，发光层(40)具备具有阱层(41)和势垒层(42)的量子阱结构，电子阻挡层(50)与发光层(40)相邻、且由Al组成大于势垒层(42)和p型半导体层(60)的层形成，电子阻挡层(51)包含含Si杂质掺杂区域层(51a)。
第III族氮化物半导体发光元件电子阻挡层发光层势垒层制造杂质掺杂区域量子阱结构元件寿命阱层

[发明专利]第III族氮化物半导体发光元件和其制造方法-CN201680008730.3有效
发明人：藤田武彦;渡边康弘 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提供具有比以往优异的元件寿命的第III族氮化物半导体发光元件和其制造方法。本发明的第III族氮化物半导体发光元件(100)的特征在于，依次具有n型半导体层(30)、至少包含Al的发光层(40)、电子阻挡层(50)和p型半导体层(60)，发光层(40)具备具有阱层(41)和势垒层(42)的量子阱结构，电子阻挡层(50)与发光层(40)相邻、且由Al组成大于势垒层(42)和p型半导体层(60)的层形成，电子阻挡层(51)包含含Si杂质掺杂区域层(51a)。
iii 氮化物半导体发光元件制造方法

[发明专利]第III族氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201610140279.2有效
发明人：藤田武彦;渡边康弘 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明课题在于提供具有高寿命的第III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。第III族氮化物半导体发光元件(1)的特征在于，其依次具备n型半导体层(32)、至少包含Al的发光层(40)、以及依次层叠有电子阻挡层(51)和p型包层(152)和p型接触层(53)的p型半导体层(150)，电子阻挡层(51)为Al_xGa_1‑xN(0.55≤x≤1.0)、p型接触层(53)为Al_yGa_1‑yN(0≤y≤0.1)、p型包层(152)为Al_zGa_1‑zN、Al组成z在p型包层(152)的整个厚度范围从电子阻挡层(51)侧向p型接触层(53)侧递减，p型包层(152)的Al组成z的厚度方向的减少率为0.01/nm以上且0.025/nm以下。
iii 氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件的制造方法和第III族氮化物半导体发光器件-CN201580066931.4有效
发明人：藤田武彦;渡边康弘 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提供兼具高发光输出和长使用寿命的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，和第III族氮化物半导体发光器件。该方法用于制造第III族氮化物半导体发光器件，其依次包括：n型半导体层；具有由包括Al_aGa_1‑aN(0.3≤a≤0.8)的阱层和包括Al_bGa_1‑bN(0.4≤b≤0.95)的势垒层组成的量子阱结构的发光层；和p型半导体层。该方法的特征在于：用于形成p型半导体层的步骤涉及电子阻挡层形成步骤，用于在发光层上形成包括Al_yGa_1‑yN(b＜y≤1)的电子阻挡层；和p型接触形成步骤，用于直接在电子阻挡层上形成Al_xGa_1‑xN(0≤x≤0.1)的p型接触层，其中电子阻挡层形成步骤使用含有氢气作为主成分的载气进行，并且p型接触形成步骤使用含有氮气作为主成分的载气进行。
iii 氮化物半导体发光器件制造方法

[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件的制造方法-CN201580067006.3有效
发明人：藤田武彦;渡边康弘 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提供改善了器件寿命的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法。所述方法用于制造依次包括以下的第III族氮化物半导体发光器件：n型半导体层，包括阱层(所述阱层至少包含Al)和势垒层的具有量子阱结构的发光层40，和p型半导体层150。该方法的特征在于，形成p型半导体层150的步骤包括：电子阻挡层形成步骤，用于在发光层40上形成具有与势垒层42相比更高的Al组成的电子阻挡层51；氮气载气供给步骤，用于向电子阻挡层51的表面上至少供给具有氮气作为主要成分的载气；以及第二p型接触形成步骤，在氮气载气供给步骤之后进行的用于在电子阻挡层51上形成包含Al_yGa_1‑yN(0≤y≤0.1)的第二p型接触层55，其中第二p型接触形成步骤使用具有氢气作为主要成分的载气来进行。
iii 氮化物半导体发光器件制造方法

[发明专利]毫微微小区基站、通信控制设备、通信系统、控制方法和程序-CN201410211280.0有效
发明人：宫川友辅;城户贵之;秋元拓男;西村猛;横内俊介;吉田直树;渡边康弘;秋山洋明 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2010-04-12 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H04W60/06 文献下载
摘要：本发明公开一种毫微微小区基站、通信控制设备、通信系统、控制方法和程序。毫微微小区基站是将用户设备(UE)连接到核心网络侧的毫微微小区基站并包括存储装置和控制装置。存储装置保留访问在毫微微小区基站的控制下的区域的UE的订户信息。控制装置从存储装置删除离开毫微微小区基站的控制的UE的订户信息。
微微小区基站通信控制设备系统方法程序

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