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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于放大光信号的光子集成电路-CN202180062682.7在审
发明人：安迪•派珀;罗德厚;汉源•艾伦•沈;许龙城;陈润全;蓝而来 -专利权人：实光半导体私人有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供了光子集成电路(PIC)，其包括各种模场适配器(MFA)、波导和各种接触垫。所有MFA都在所述PIC的同一面上。所述PIC的一个MFA输出第一光信号，所述第一光信号是第二光信号的放大版本。所述波导被分为两个波导臂和连接所述两个波导臂的弯曲部分。所述波导在MFA之间延伸，使得所述第二光信号通过所述波导传播。此外，每个波导臂形成在所述接触垫之间。经由所述波导传播的第二光信号基于经由所述接触垫注入所述PIC中的电流被放大。
用于放大信号光子集成电路

[发明专利]超宽带连续光谱超辐射发光二极管-CN202180089467.6在审
发明人： 陈润全;蓝而来 -专利权人：实光半导体私人有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种超辐射发光二极管包括用选择性区域外延法生长的有源波导，电阻阵列，和接触垫。有源波导具有不同的带隙，这是由于用于生长有源波导的掩模的宽度所决定的。有源波导在有源波导的每个纵向部分被注入不同的电流，这是因为在每个纵向部分与电阻阵列相关的电阻不同。变化的电流是由接触垫注入的。接触垫是一个单一连续电极。有源波导的每个纵向部分的不同带隙和不同电流使有源波导的每个部分都能发射光学光，从而使所有发射的光的组合导致发射超宽带连续频谱和可定制的光学光的频谱曲线。
宽带连续光谱辐射发光二极管

[发明专利]量子阱混合-CN01806267.9无效
发明人：黄文秀;蓝而来;陈润全;周彦;谭兆聪 -专利权人： NTU企业私人有限公司
申请日： 2001-03-02 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于灰度掩模图形(110)的新技术，所述方法只需要一步光刻和刻蚀步骤(110，120)就可在选定区域制作不同厚度的SiO2注入掩模(13)，随后由一步IID(130)完成选区混合。这种简单的低成本新技术一般可用于制造PICs，尤其可用于制造WDM源。根据本发明，通过在IID中采用灰度掩模技术，可将QW材料穿过晶片的带隙能量调节成不同的程度。这不仅使得集成单片多波长激光器成为可能，也使得在一片芯片上集成调制器和耦合器成为可能。通过将增益谱扩展到最大值，外延生长后这种技术可用于简化超发光二极管(SLDs)的制作和设计过程。
量子混合

[发明专利]量子阱混合-CN01806266.0无效
发明人：黄文秀;蓝而来;陈润全;周彦;黄玉荣 -专利权人： NTU企业私人有限公司
申请日： 2001-03-02 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：一种制作包括化合物半导体结构的集成光路的方法，所述化合物半导体结构具有量子阱区域，采用光子源对该结构进行照射以产生缺陷，光子的能量(E)至少为该化合物半导体的至少一个元素的置换能(ED)。然后将该结构进行退火以推动量子阱混合。优选的照射源是采用电子回旋共振(ECR)系统生成的等离子体。可按不同的方式遮挡该结构，从而通过控制该结构在照射源中的暴露部分，按在空间上可控制的方式实现该结构的选择性混合。
量子混合

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