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[发明专利]减少发光阵列中缺陷像素的出现-CN202180093052.6在审
发明人： T·洛佩兹;H·洛特菲;I·威尔德森;O·谢金 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明的发光装置包括多个发光像素的阵列，以及位于发光像素阵列的发光表面处的一个或多个透射光学元件。发光像素中的一个或多个有缺陷。每个光学元件位于对应的缺陷发光像素的位置处，并且在该缺陷像素上方延伸，并且横向地至少部分地在一个或多个相邻像素上方延伸。每个光学元件横向透射由相邻像素发射的光的至少一部分，以从缺陷像素的位置传播远离阵列，从而减少缺陷像素的出现。
减少发光阵列缺陷像素出现

[发明专利]发光二极管器件-CN202180093946.5在审
发明人： I·威尔德森;R·阿米塔奇 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：描述了在同一晶片中包括电致发光量子阱和光致发光有源区的组合的发光二极管(LED)器件。具有最短发射波长的第一组QW被放置在p‑n结的p型层和n型层之间。具有更长波长的其他组的QW被放置在LED结构的一部分中的p‑n结外部，在该部分中不发生少数载流子的电注入。由第一组QW发射的电致发光被(一个或多个)其他组吸收并作为更长波长的光重新发射。增加下转换效率的波长选择镜可以选择性地应用于期望更长波长发射的管芯。隧道结接触的使用有助于将波长选择镜集成到管芯的外表面，并避免了蚀刻的p‑GaN层上的导电类型转换问题。
发光二极管器件

[发明专利]发光二极管器件-CN202180083974.9在审
发明人： R·阿米塔奇;I·威尔德森 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：描述了发光二极管(LED)器件，其包括在同一晶片中的电致发光有源区和光致发光有源区的组合，以提供具有在外延生长后可调节的发射光谱的LED。LED器件包括多层阳极接触，该多层阳极接触包括反射金属和在该金属和p型层表面之间的至少一个透明导电氧化物层。对于用不同发射光谱制作的LED，透明导电氧化物层的厚度可以变化。
发光二极管器件

[发明专利]具有可调发射的发光二极管器件-CN202180073780.0在审
发明人： R·阿米塔奇;I·威尔德森 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：描述了在同一晶片上发射不同颜色的发光二极管(LED)器件，这有利于它们以紧密的封装密度集成(不需要将器件从两个不同的晶片转移到第三衬底模块)。对于给定的输入电流，LED器件和驱动方法允许发射不同颜色和相似亮度水平的光。
具有可调发射发光二极管器件

[发明专利]具有蚀刻停止层的III族氮化物多波长LED阵列-CN202180076259.2在审
发明人： R·阿米塔奇;I·威尔德森 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种LED阵列包括第一台面，该第一台面包括：顶表面、至少一个第一LED、和第一LED上的隧道结，所述至少一个第一LED包含第一p型层、第一n型层和第一颜色有源区域；隧道结上的第二n型层，第二n型层包括至少一个Al摩尔分数10％的n型III族氮化物层和至少一个Al摩尔分数10％的n型III族氮化物层。LED阵列还包括相邻台面，该相邻台面包括顶表面、第一LED、第二LED，该第二LED包含第二n型层、第二p型层和第二颜色有源区域。第一沟槽将第一台面和相邻台面分开，阴极金属化在第一沟槽中并与相邻台面的第一和第二颜色有源区域电接触，并且阳极金属化接触在第一台面的n型层上和相邻台面的阳极层上。所述器件及其制造方法包括薄膜晶体管(TFT)。
具有蚀刻停止 iii 氮化物波长 led 阵列

[发明专利]具有集成光学过滤元件的彩色LED-CN202180031837.0在审
发明人： R·阿米蒂奇;I·威尔德森 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种红色LED包括具有有源InGaN层的半导体LED层，该有源InGaN层的本征发射光谱具有在从580nm至620nm范围内的LDom。滤光器位于半导体LED层之上，以过滤本征发射光谱的较短波长，并将LDom向较长波长移动5nm至20nm。
具有集成光学过滤元件彩色 led