[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质有效

专利信息
申请号: 201880048013.2 申请日: 2018-03-14
公开(公告)号: CN110945158B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 上村大义 申请(专利权)人: 株式会社国际电气
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;H01L21/31;H01L21/318
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;李文屿
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供能够在衬底上形成均匀性良好的膜的技术。根据本发明的一实施方式,提供一种重复执行下述处理而处理衬底的技术,所述处理以供给原料气体的工序、至少排出所述原料气体的第一吹扫工序、供给反应气体的工序以及至少排出所述反应气体的第二吹扫工序为一个循环,在该一个循环执行期间使衬底静止,并且在一个循环执行后,根据预先确定的循环数算出用于使衬底旋转的规定角度。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 以及 记录 介质
【主权项】:
暂无信息
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