[发明专利]三维存储器件及其制作方法

摘要

公开了一种用于形成3D存储器件的方法。该方法包括：在基底上形成包括多个第一介电层和第二介电层的交替绝缘体堆叠层；形成穿透交替绝缘体堆叠层的沟道孔，沟道孔下部的第一直径小于沟道孔上部的第二直径；在沟道孔中形成包括功能层的沟道结构，功能层包括存储层；在沟道孔的上部形成电极插塞；用第二绝缘层取代沟道孔上部的功能层中的存储层；以及用多个导电层取代交替绝缘体堆叠层中的多个第二介电层。

主权项

1.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包含：在基底上形成交替绝缘体堆叠层和第一绝缘层，所述交替绝缘体堆叠层包含多个第一介电层和第二介电层；形成穿透所述第一绝缘层和所述交替绝缘体堆叠层的沟道孔，所述沟道孔的下部的第一直径小于所述沟道孔的上部的第二直径；在所述沟道孔中形成包含功能层的沟道结构，所述功能层包含存储层；在所述沟道孔的所述上部形成电极插塞；用第二绝缘层取代所述沟道孔的所述上部的所述功能层中的所述存储层；以及用多个导电层取代所述交替绝缘体堆叠层中的多个第二介电层。