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[发明专利]具有金属-势垒-金属字线的三维存储器器件及其制造方法-CN202180094243.4在审
发明人： R·N·B·赛义德;R·S·马卡拉;S·卡纳卡梅达拉;R·沙朗帕尼 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B51/10 文献下载
摘要：一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括绝缘层和导电层的交替堆叠、延伸穿过交替堆叠的存储器开口、以及位于存储器开口中并且包括相应竖直半导体沟道和相应存储器膜的存储器开口填充结构。该导电层中的每一者包括：与存储器开口填充结构中相应一者的相应外侧壁段接触的管状金属衬件、接触相应管状金属衬件及两个绝缘层的导电势垒层、以及接触导电势垒层并且不接触管状金属衬件或任何绝缘层的金属填充材料层。在通过存储器开口执行卤素释气退火之后形成存储器开口填充结构，以减少或消除存储器膜的层中的卤素释气损坏。
具有金属势垒三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]具有金属间阻挡衬垫的三维存储器器件及其形成方法-CN202280015797.5在审
发明人： R·沙朗帕尼;R·S·马卡拉 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，这些存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠；以及存储器开口填充结构，这些存储器开口填充结构位于这些存储器开口中。这些存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括位于这些导电层的层级处的竖直存储器元件堆叠。这些导电层中的每个导电层包括金属阻挡衬垫，该金属阻挡衬垫包含至少两种元素的金属间化合物，该金属间化合物包括第一金属元素和第二金属元素，该第一金属元素包括Ta或Ti，该第二金属元素包括Al或Mo中的至少一者，并且该金属阻挡衬垫包含小于10原子百分比的氮和氧；以及金属填充材料层，该金属填充材料层接触该金属阻挡衬垫。
具有金属阻挡衬垫三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]具有竖直字线势垒的三维存储器器件及其形成方法-CN202180094263.1在审
发明人： R·沙朗帕尼;R·S·马卡拉;周非;A·拉贾谢哈尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠；以及存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口内。该导电层中的每个导电层包括金属填充材料层和多个竖直管状金属衬垫，该多个竖直管状金属衬垫横向围绕该存储器开口填充结构中的相应存储器开口填充结构，并且位于该金属填充材料层与该存储器开口填充结构中的相应存储器开口填充结构之间。该管状金属衬垫可以通过选择性金属或金属氧化物沉积而形成，或者通过氮化、氧化或掺入硼原子将该金属填充材料层的表面部分转换成金属化合物材料部分而形成。
具有竖直字线势垒三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]包含多位电荷存储元件的三维存储器装置以及其形成方法-CN202180087647.0在审
发明人： R·N·B·赛义德;袁家辉;S·卡纳卡梅达拉;R·S·马卡拉;D·李 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：三维存储器装置包含位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠，以及延伸穿过所述交替堆叠的存储器堆叠结构。所述存储器堆叠结构中的每一个包含竖直半导体通道、隧穿电介质层和存储器元件的竖直堆叠，所述存储器元件位于所述绝缘层的相应竖直相邻对之间的所述导电层的层级处。所述存储器元件中的每一个包含第一存储器材料部分和第二存储器材料部分，所述第二存储器材料部分通过至少一个阻挡电介质材料部分与所述第一存储器材料部分竖直地间隔开并且与所述第一存储器材料部分电隔离。
包含电荷存储元件三维存储器装置及其形成方法

[发明专利]包含离散电荷存储元件的三维存储器装置以及其形成方法-CN202180087644.7在审
发明人： X·B·皮特纳;R·S·马卡拉;周非;S·卡纳卡梅达拉;R·N·B·赛义德 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：存储器装置包含绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，其竖直地延伸穿过所述交替堆叠；以及存储器开口填充结构，其位于所述存储器开口中并且包含竖直半导体通道、横向地包围所述竖直半导体通道的电介质材料衬里，以及横向地包围所述电介质材料衬里的离散存储器元件的竖直堆叠。所述绝缘层的子集：下绝缘子层、上覆于所述下绝缘子层的上绝缘子层，以及位于所述下绝缘子层与所述上绝缘子层之间并且接触所述下绝缘子层和所述上绝缘子层的中心绝缘子层。
包含离散电荷存储元件三维存储器装置及其形成方法

[发明专利]包含具有横向突出轮廓的分立电荷存储元件的三维存储器装置及其制造方法-CN202180089032.1在审
发明人： R·N·B·赛义德;R·S·马卡拉;S·卡纳卡梅达拉;周非 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：一种三维存储器装置包含：绝缘层与导电层的交替堆叠，其位于衬底上方；存储器开口，其竖直地延伸穿过所述交替堆叠并且具有在所述导电层的层级处的横向突出部；以及存储器开口填充结构，其位于所述存储器开口中。所述存储器开口填充结构中的每一者包含竖直半导体通道、横向包围所述竖直半导体通道的电介质材料衬里以及横向包围所述电介质材料衬里且位于所述横向突出部的容积内的分立存储器元件的竖直堆叠。每个分立存储器元件包含竖直内侧壁和凸形或阶梯式外侧壁。
包含具有横向突出轮廓分立电荷存储元件三维存储器装置及其制造方法

[发明专利]包括双面管芯间接合连接的堆叠式管芯组件及其形成方法-CN202080081821.6在审
发明人： H·奇布文戈泽;崔志欣;R·高塔姆;周非;R·S·马卡拉;R·沙朗帕尼;A·拉贾谢哈尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提供了多个接合单元，该多个接合单元中的每个接合单元包括相应的正面管芯和背面管芯。每个接合单元中的两个管芯可为存储器管芯和被配置为控制该存储器管芯中的存储器元件的操作的逻辑管芯。替代地，该两个管芯可为存储器管芯。可附接该多个接合单元，使得正面外部接合衬垫具有面朝上的物理暴露表面且每个接合单元的背面外部接合衬垫具有面朝下的物理暴露表面。第一接合引线集合可连接一对相应的正面外部接合衬垫且第二接合引线集合可连接一对相应的背面外部接合衬垫。
包括双面管芯间接连接堆叠组件及其形成方法

[发明专利]含有凹状接合焊盘的半导体结构及其形成方法-CN202080081817.X在审
发明人： R·沙朗帕尼;R·S·马卡拉;A·拉贾谢哈尔;S·卡纳卡梅达拉;周非 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：第一半导体裸片包括：第一半导体器件，该第一半导体器件位于第一衬底上方；第一互连层级介电材料层，该第一互连层级介电材料层嵌入第一金属互连结构并位于该第一半导体器件上；以及第一焊盘层级介电层，该第一焊盘层级介电层位于该第一互连层级介电材料层上并嵌入第一接合焊盘。该第一接合焊盘中的每个第一接合焊盘包括第一近侧水平表面和至少一个第一远侧水平表面，比起该第一近侧水平表面远离该第一衬底，该第一远侧水平表面更远离该第一衬底，并且具有比该第一近侧水平表面的总面积小的总面积。包括嵌入在第二焊盘层级介电层中的第二接合焊盘的第二半导体裸片能够接合到该第一接合焊盘的相应远侧表面。
含有接合半导体结构及其形成方法

[发明专利]包括分立电荷存储元件的三维存储器器件及其形成方法-CN202080081621.0在审
发明人： R·S·马卡拉;S·卡纳卡梅达拉;周非;李姚盛 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供了绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠，该绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠可以在衬底上方形成。间隔物材料层可以形成为导电层，或者可以随后被导电层替换。存储器开口可以穿过交替堆叠形成，并且环形横向凹陷部形成在该绝缘层的层级处。金属部分形成在该环形横向凹陷部中，并且半导体材料层沉积在该金属部分上方。金属‑半导体合金部分通过执行退火工艺形成，并且随后通过执行选择性蚀刻工艺来移除。半导体材料层的剩余部分包括半导体材料部分的竖直堆叠，该半导体材料部分可以任选地部分地或完全地转换成氮化硅材料部分。半导体材料部分和/或氮化硅材料部分可以用作分立电荷存储元件。
包括分立电荷存储元件三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]采用原位氧化的无氟钨沉积工艺及用于实现此工艺的设备-CN202180006531.X在审
发明人：周非;R·S·马卡拉;R·沙朗帕尼;向江佑介;竹口直树 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：一种在衬底上沉积钨的方法，该方法包括将衬底安置于钨沉积设备的真空外壳中；执行第一钨沉积工艺，该第一钨沉积工艺通过使含氟钨前驱气体流入真空外壳中而在衬底的物理暴露表面上沉积第一钨层；通过当衬底保持在真空外壳内而不破坏真空时将第一钨层暴露于氧化剂气体，并且形成从真空外壳抽出的氟氧化钨气体，来执行原位氧化工艺；以及执行第二钨沉积工艺，该第二钨沉积工艺通过在原位氧化工艺之后的第二钨沉积工艺中，使含氟钨前驱气体流入真空外壳，而在第一钨层上沉积第二钨层。
采用原位氧化无氟钨沉积工艺用于实现设备

[发明专利]键合的存储器设备及其制作方法-CN202080080467.5在审
发明人： R·S·马卡拉;J·阿尔斯迈耶 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本公开涉及在第一衬底上方形成存储器单元的至少一部分，并且在第二衬底上方形成存储器单元的操纵元件或者字线或位线的至少一部分。该存储器单元的该至少一部分键合到操纵元件或者字线或位线的至少一部分。可以在键合之后移除该第一衬底或该第二衬底中的至少一者。
存储器设备及其制作方法

[发明专利]包括层间蚀刻停止层的三维存储器器件及其制造方法-CN202080081286.4在审
发明人：李姚盛;S·卡纳卡梅达拉;R·S·马卡拉;J·阿尔斯迈耶 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：位于衬底上方的第一绝缘层和第一导电层的第一层交替堆叠；位于所述第一层交替堆叠上方的蚀刻停止材料层；位于所述蚀刻停止材料层上方的第二绝缘层和第二导电层的第二层交替堆叠；竖直延伸穿过所述第二层交替堆叠、所述蚀刻停止材料层和所述第一层交替堆叠的层间存储器开口；以及存储器开口填充结构，每个存储器开口填充结构包括位于所述层间存储器开口中的存储器膜和竖直半导体沟道。所述蚀刻停止材料层的材料与所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一导电层和所述第二导电层的材料不同。
包括蚀刻停止三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]包括复合字线和多条带选择线的三维存储器器件及其制造方法-CN201980085614.5在审
发明人：崔志欣;周非;R·S·马卡拉 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠，该绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠在衬底上方形成。穿过该交替堆叠形成存储器堆叠结构。穿过该牺牲材料层的上部子集形成漏极选择层级沟槽，并且穿过该交替堆叠的每一层形成背侧沟槽。通过移除该牺牲材料层形成背侧凹陷部。将第一导电材料和第二导电材料顺序地沉积在该背侧凹陷部和该漏极选择层级沟槽中。可通过至少一种各向异性蚀刻工艺从该漏极选择层级沟槽移除该第二导电材料和该第一导电材料的部分，以提供作为通过该漏极选择层级沟槽内的腔体彼此横向间隔开并电隔离的多个组的漏极选择层级导电层。
包括复合条带选择三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]包含字线和通道栅极的铁电存储器器件及其形成方法-CN201980078936.7在审
发明人：张艳丽;J·阿尔斯迈耶;R·S·马卡拉 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储器器件，该存储器器件包括在源极区和漏极区之间延伸的半导体沟道、多个通道栅极电极、多个字线、位于该半导体沟道与该多个通道栅极电极之间的栅极电介质以及位于该半导体沟道与该多个字线之间的铁电材料部分。
包含通道栅极存储器器件及其形成方法

[发明专利]包括支撑芯片和三维存储器芯片的经翘曲补偿的键合结构-CN201980079159.8在审
发明人： S·卡纳卡梅达拉;R·S·马卡拉;李姚盛;陈建 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：第一半导体管芯和第二半导体管芯可以增强键合焊盘的对准的方式键合。可通过在第一晶圆的背侧上形成图案化的应力产生膜来补偿包括第一半导体管芯的第一晶圆的非均匀变形。金属凸块部分可通过选择性金属沉积工艺形成在金属键合焊盘的凹形表面上，以减小键合的金属键合焊盘对之间的间隙。可在光刻曝光工具中采用移轴操作来调节半导体管芯上的焊盘到焊盘间距，以与另一个半导体管芯的焊盘到焊盘间距匹配。可采用被配置为在晶圆上提供非均匀位移的卡盘来将晶圆保持在成型的形状，以用于在匹配的成型位置中与另一个晶圆键合。可采用独立的高度控制的销来将晶圆保持在非平面构型中。
包括支撑芯片三维存储器经翘曲补偿结构

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