[发明专利]一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201811471118.7 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109585619A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张婷婷;邹时兵;李栋宇;徐兵 | 申请（专利权）人： | 岭南师范学院 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 李慧 |
| 地址： | 524000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法，属于纳米晶材料及发光二极管制备技术领域；具体制备方法为通过高温热注入法制备粒径在2.6nm左右的CdS核量子点；将提纯后的量子点在高温下与配位溶剂混合，通过高温热注入法，滴加阳离子与阴离子的混合前驱体，得到包覆有CdSe壳层的CdS/CdSe量子点；继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdS/CdSe/CdS量子阱；从下往上依次设置的玻璃基体、正电极、空穴传输层、CdS/CdSe/CdS量子阱发光层、电子传输层、负电极得到CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管；该发明方法制备的CdS/CdSe/CdS量子点量子阱最终发光效率达到100％，将CdS/CdSe/CdS量子阱作为发光二极管的发光层时，可以大大提高发光二极管的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱 发光二极管 量子点 制备 发光层 高荧光 产率 滴加 制备技术领域 电子传输层 混合前驱体 空穴传输层 纳米晶材料 外量子效率 玻璃基体 发光效率 反应合成 配位溶剂 依次设置 阴阳离子 负电极 前驱体 阳离子 阴离子 正电极 注入法 提纯 包覆 壳层 粒径 | ||
【主权项】：
1.一种高荧光量子产率CdS/CdSe/CdS量子阱的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)合成CdS核：通过高温热注入法制备粒径在2.6nm的CdS核量子点；(2)CdS/CdSe量子点的合成：将步骤(1)提纯后的CdS核量子点在高温下与配位溶剂1‑ODE混合，通过高温热注入法，得到包覆有CdSe壳层的CdS/CdSe量子点；(3)CdS/CdSe/CdS量子阱合成：在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdS/CdSe/CdS量子阱。
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- 许晟瑞;王学玮;范晓萌;张雅超;刘大为;张进成;李培咸;郝跃 - 西安电子科技大学
- 2019-04-19 - 2019-08-16 - H01L33/06
- 本发明公开了体氮化铝衬底的垂直结构高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED位错密度高，电流拥挤效应严重，器件发光效率低的问题。其包括：n型AlN层(1)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层(2)、p型AlN层(3)、n型电极(4)和p型电极(5)，其特征在于：n型AlN层(1)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层(2)和p型AlN层(3)自下而上分布，n型电极(4)设在n型AlN层(1)的下表面，p型电极(5)设在p型AlN层(3)的上表面，形成垂直层间结构，以消除电流拥挤效应。本发明提高了发光效率，可用来制备高效率的紫外和深紫外发光器件。
- 一种氮化镓基红光外延片结构及制备方法-201711052308.0
- 姜红苓;钟玉煌;田淑芬 - 江苏新广联半导体有限公司
- 2017-10-30 - 2019-08-16 - H01L33/06
- 本发明提供一种氮化镓基红光外延片结构及制备方法，包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、有源区发光层和P型层，在蓝宝石衬底上依次覆盖有缓冲层、N型层、有源区发光层和P型层，其特征在于：所述有源区发光层包含若干对MQW阱层和垒层，且MQW阱层和垒层分别为InyGa1‑yN量子阱阱层和GaN垒层，其中，y的范围为0.1~0.3；本发明是以GaN基结构来生长红光外延片，其结构简单、原材料安全、工艺容易实现，安全可靠，有利于降低对人体的伤害和环境的污染。
- 一种发光高效率反转垂直结构高压芯片-201920144396.5
- 孙雷蒙;杨丹;周强;刘旺 - 华引芯（武汉）科技有限公司
- 2019-01-28 - 2019-08-16 - H01L33/06
- 本实用新型公开了一种发光高效率反转垂直结构高压芯片，包括外延层，外延层分别是由N型层、发光层MQW和P型层组成，且N型层的顶部固定连接有发光层MQW，所述发光层MQW的顶部固定连接有P型层，外延层的P型层上覆有mirror反射层，mirror反射层上覆有Barrier金属保护层，本实用新型涉及LED芯片制造技术领域。该发光高效率反转垂直结构高压芯片，可很好的达到简单易实施的目的，在芯片端完成芯片集成，减少下游封装厂的固晶频次，提高其生产效率，随着频次的减少一并提升生产的良率，采用通孔式设计，提升电流扩展效率，增加散热，降低光损失，采用反转设计，将N电极做整面导电材料，大电流的情况下，有助电流传导及散热。
- 氮化物半导体发光元件-201910436698.4
- 吴永胜;张帆;林新 - 福建兆元光电有限公司
- 2019-05-23 - 2019-08-13 - H01L33/06
- 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，包括：n‑型氮化物半导体层；p‑型氮化物半导体层；以及活性层，其设置于所述n‑型氮化物半导体层与所述p‑型氮化物半导体层之间，具有由多个势垒层和多个阱层交替层叠的多重量子阱结构；所述多重量子阱结构在中间部位的阱层中具有至少一个中间阱层，所述中间阱层的带隙大于邻接的其他阱层。该元件有利于使空穴注入下级阱层，提高电子和空穴的复合率，进而提高发光效率。
- 一种氮化物半导体发光二极管-201710820457.0
- 郑锦坚;周启伦;钟志白;臧雅姝;徐宸科;李志明;杜伟华;邓和清;林峰;李水清;陈松岩;康俊勇 - 厦门三安光电有限公司
- 2017-09-13 - 2019-08-13 - H01L33/06
- 本发明公开一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱和P型氮化物半导体，所述多量子阱由阱层和垒层组成的周期结构，多量子阱的阱层两侧具有局域量子态量子限制层，该局域量子态量子限制层至少由4组子局域量子态层和子垒层构成，分别包括第一、二、三、四子局域量子态层和第一、二、三、四子垒层。每一周期量子阱的子阱层两侧的局域量子态量子限制层形成局域量子态，从而提升量子阱的电子和空穴的注入效率、限制效应、量子尺寸效应和复合效率，提升发光效率和量子效率。
- 氧化锌量子光源及其制备方法-201810100060.9
- 侯尧楠;梅增霞;梁会力;杜小龙 - 中国科学院物理研究所
- 2018-02-01 - 2019-08-09 - H01L33/06
- 本发明提供一种氧化锌量子光源，包括：衬底层、所述衬底层之上的掺杂ZnO层和分散在所述掺杂ZnO层之上的Ag、Au或Al金属纳米球，其中，所述掺杂ZnO层中的掺杂元素为III族元素或V族元素中的一种或多种，以及所述Ag、Au或Al金属纳米球的直径为20～50nm。本发明的氧化锌量子光源利用掺杂引起的复合缺陷来和金属纳米结构的表面等离激元进行耦合，大大提高光源的增益和稳定性。
- 一种发光二极管的外延片及其制造方法-201710134805.9
- 姚振;从颖;胡加辉 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2017-03-07 - 2019-08-02 - H01L33/06
- 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括衬底，低温氮化镓层、高温氮化镓层、N型氮化镓层、有源层、电子阻挡层和P型氮化镓层；有源层包括依次层叠的多个量子层，多个量子层中的每个量子层包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，阱层为铟镓氮层，垒层为氮化镓层，多个量子层中与电子阻挡层的距离最近的至少一个量子层中的盖层为第一盖层，第一盖层包括多层铝镓氮层和多层氮化镓层，多层铝镓氮层和多层氮化镓层交替层叠设置，多层氮化镓层中与垒层的距离最近的至少一个氮化镓层为第一氮化镓层，第一氮化镓层中掺有低于设定浓度的硅。本发明提高了LED的晶体质量。
- 一种发光二极管外延片及其制造方法-201711429144.9
- 苏晨;王慧;肖扬;吕蒙普;胡加辉;李鹏 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2017-12-26 - 2019-08-02 - H01L33/06
- 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片的多量子阱层包括多个周期交替生长的量子阱层和量子垒层，多量子阱层中最靠近插入层的1～5个量子垒层为第一量子垒层，第一量子垒层中均掺杂有Mg，且Mg的掺杂浓度为1017～1019/cm3，Mg可以提高空穴的迁移能力，同时还可以拉高多量子阱层中靠近P型层处的导带能级，阻挡电子向P型层迁移，改善电子和空穴的有效分布，提高电子和空穴的复合效率，从而提高LED的发光效率。每个第一量子垒层的厚度为3～20nm，电子阻挡层的厚度为0～30nm。由于空穴的浓度增加，可以减少对电子的阻挡，从而可以减小电子阻挡层的厚度，减小引入电子阻挡层造成的阻碍空穴注入的影响。
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