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- [实用新型]装配式相变消音功能墙体-CN202222348252.6有效
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林传强;魏宝坤;贾兴晨
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沈阳恒拓装饰制品有限公司
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2022-09-02
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2022-12-16
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E04B2/00
- 本实用新型涉及装配式相变消音功能墙体领域，公开了装配式相变消音功能墙体，包括墙体外页，所述墙体外页内部设置有闭孔发泡陶瓷，所述闭孔发泡陶瓷内侧设置有密封胶条，所述密封胶条内侧设置有钢衬，所述钢衬内侧设置有多孔发泡陶瓷和相变材料的复合材料，所述多孔发泡陶瓷和相变材料的复合材料设置在墙体内页内部，所述墙体外页通过第一燕尾钉和钢衬相连，所述墙体内页通过第二燕尾钉和钢衬相连，所述钢衬中部设置有若干个空腔，所述空腔内部设置有聚氨酯。本实用新型中，通过设置的墙体外页与墙体内页，实现自动调温、蓄热节能的效果，具有保温性能好、整体性气密性好，安装简单快捷等作用。
- 装配式相变消音功能墙体
- [发明专利]一种LED外延结构的生长方法-CN201910429090.9有效
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林传强
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湘能华磊光电股份有限公司
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2019-05-22
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2022-03-25
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H01L33/00
- 本发明提供了一种LED外延结构的生长方法，包括步骤2生长复合缓冲层的过程，所述复合缓冲层包括由下至上依次生长的低温氮化铝镓层、不掺杂的第一氮化镓层、氮化铝铟层、不掺杂的第二氮化镓层和氮化铝层。生长低温氮化铝镓层能有效改善基底与氮化镓层间的晶格失配问题；生长不掺杂的第一氮化镓层可促进氮化铝铟层中的氮化铝铟颗粒增大，氮化铝铟层还与不掺杂的第一氮化镓层和不掺杂的第二氮化镓层构建了良好的晶格匹配度，促进LED外延结构底部应力的释放；生长氮化铝层，利于降低LED外延结构中的位错密度。本发明通过步骤2能够有效改善晶格失配，降低位错缺陷，提高LED器件的光输出功率、抗老化能力和抗静电能力。
- 一种led外延结构生长方法
- [实用新型]装配式消音屏-CN202121898813.9有效
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林传强;魏宝坤
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沈阳恒拓装饰制品有限公司
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2021-08-13
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2022-02-08
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E01F8/00
- 本实用新型公开了装配式消音屏，包括安装底座，所述安装底座顶端固定连接有两个安装架，两个所述安装架之间设置有隔音板，所述安装架和隔音板连接处设置有垫块，所述隔音板包括隔音发泡陶瓷、多孔消音发泡陶瓷和装饰孔板，所述隔音发泡陶瓷前端固定连接有多孔消音发泡陶瓷，所述多孔消音发泡陶瓷前端设置有若干装饰孔板，所述装饰孔板和装饰孔板之间设置有镶嵌式型材，所述镶嵌式型材包括横板、第一竖板和第二竖板，所述横板前侧设置有第一竖板和第二竖板且第一竖板在第二竖板后侧，所述横板嵌入多孔消音发泡陶瓷内侧，所述隔音板左右两侧均设置有扣件。本实用新型中，安装方便，并且隔音效果好，值得大力推广。
- 装配式消音
- [实用新型]一种外墙保温复合条板-CN202122275812.5有效
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林传强;魏宝坤
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沈阳恒拓装饰制品有限公司
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2021-09-19
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2022-02-08
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E04F13/075
- 本实用新型公开了一种外墙保温复合条板，包括保温板，所述保温板外周设置有塑料边框，所述保温板上部设置有发泡陶瓷，所述发泡陶瓷上侧设置有均匀分布的第一凹槽，所述第一凹槽下部设置有套管，所述套管内部螺纹连接有第一燕尾钉，所述保温板下部设置有水泥压力板,所述水泥压力板下侧设置有均匀分布的第二凹槽，所述第二凹槽上部设置有通孔，所述通孔内部设置有第二燕尾钉。本实用新型中，组装方便，使用方便，并且通过在保温板上侧设置发泡陶瓷，由于发泡陶瓷质量轻，本身具有良好的保温隔热性能，使得该复合板具有轻便保温性能好的优点，并通过使用塑料型材，防止产生热桥效应，值得大力推广。
- 一种外墙保温复合
- [实用新型]一种保温隔热的轻质外墙保温复合条板-CN202122275841.1有效
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林传强;魏宝坤
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沈阳恒拓装饰制品有限公司
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2021-09-19
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2022-02-08
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E04F13/075
- 本实用新型公开了一种保温隔热的轻质外墙保温复合条板，包括保温层，所述保温层的顶端固定连接有上板，所述保温层的底端固定连接有下板，所述保温层的右端和左端均固定连接有型材板，所述型材板的内部均匀分布有支撑块，所述上板顶端的左右两侧和下板底端的左右两侧均设置有开槽，所述上板和下板的左右两侧均设置有塑料套管。本实用新型中，发泡陶瓷材质的上板和下板能够实现复合条板质量轻的效果，保温层周围的型材板能够固定复合条板，并且通过聚氯乙烯材质的型材板可以防止复合条板产生热桥效应，通过聚氨酯材质的支撑块能够增加复合条板的气密性，这样便能够增加复合条板的实用性，使用起来十分方便，值得大力推广。
- 一种保温隔热外墙复合
- [实用新型]消音净化装饰复合板-CN202023295062.X有效
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林传强;魏宝坤
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沈阳恒拓装饰制品有限公司
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2020-12-31
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2021-10-08
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E04B1/86
- 本实用新型公开了消音净化装饰复合板，包括板材和中轴，所述板材前端设置有第一金属面吸音板，所述第一金属面吸音板后端设置有第一无机纤维布，所述第一无机纤维布后端设置有透孔发泡陶瓷，所述透孔发泡陶瓷后端设置有第二无机纤维布，第二无机纤维布后端设置有第二金属面吸音板，所述滑槽内部滑动连接有第一安装架，所述第一安装架上下两端均设置有定位螺栓且定位螺栓底端螺母设置在限位槽内，所述第一安装架中部转动连接有连接杆。本实用新型中，板材中间层为透孔发泡陶瓷，声音进去之后与材料孔壁发生摩擦，能量转化，终达到衰减声能的目的，吸音消音净化效果好，轻质防火且安装便捷，值得大力推广。
- 消音净化装饰复合板
- [发明专利]一种LED外延生长方法-CN202010195290.5有效
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林传强
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湘能华磊光电股份有限公司
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2020-03-19
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2021-06-01
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H01L33/00
- 本发明提供了一种提高抗静电能力及发光效率的LED外延生长方法，具体如下：步骤1、处理衬底；步骤2、在衬底上生长低温缓冲层氮化镓层；步骤3、生长不掺杂的氮化镓层；步骤4、生长复合N型层；步骤5、生长多量子阱发光层；步骤6、生长掺杂铝和镁的电子阻挡层；步骤7、生长掺杂镁的高温P型氮化镓层；步骤8、在温度为750～800℃、压力为500～800mbar的条件下，炉内退火25～30min，关闭加热系统和给气系统后，随炉冷却。本发明所述的外延生长方法大大释放了底部应力，降低了底部位错密度，提高了氮化镓晶体质量，改善了电流扩展，使LED的抗静电性能得到改善，还提高了LED的光输出功率。
- 一种led外延生长方法
- [实用新型]一种装配式墙体节点结构-CN202020256471.X有效
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魏宝坤;林传强
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沈阳恒拓装饰制品有限公司
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2020-03-05
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2020-12-11
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E04B2/00
- 本实用新型公开一种装配式墙体节点结构，包括钢主体，钢主体的侧面设有装配式墙体保温单元，钢主体下方设有托架，所述托架为L型，所述托架的一边固定在钢主体上，另一边为承重边，承重边上托有装配式墙体保温单元，纵向螺栓螺接于承重边与装配式墙体保温单元中；在托架的承重边上还固定设有第二托架，所述第二托架同样为L型，横向螺栓螺接于第二托架与装配式墙体保温单元中，所述钢主体的中部还固定设有抱夹，抱夹插接在装配式墙体保温单元内，本实用新型的优点是：整体化程度高，安装过程快，装配单元设置在整体钢主体内部，使得安装过程模块化程度更高，钢主体上设置本实用新型，使得整体墙面可以承受更大的横向应力，有效地加固了墙面。
- 一种装配式墙体节点结构
- [发明专利]一种LED外延生长的方法-CN201710959671.4有效
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林传强;徐平
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湘能华磊光电股份有限公司
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2017-10-16
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2019-09-06
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H01L33/00
- 本发明公开了一种LED外延生长的方法，包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长N型GaN层、生长量子阱层、生长电子阻挡层、生长高温P型GaN层和生长AlxGa1‑xN:Mg/InyGa1‑yN:Mg超晶格结构，降温冷却；其中：AlxGa1‑xN:Mg/InyGa1‑yN:Mg超晶格结构，进一步为：调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的AlxGa1‑xN:Mg层；调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的InyGa1‑yN:Mg层；交替生长AlxGa1‑xN:Mg层和InyGa1‑yN:Mg层，周期数为1‑10。通过AlxGa1‑xN:Mg/InyGa1‑yN:Mg超晶格结构材料来调整与AZO薄膜材料的势垒高度差，降低了接触电阻，从而减小了LED芯片的工作电压，提高了亮度。
- 一种led外延生长方法
- [发明专利]一种LED外延生长的方法-CN201710961690.0有效
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林传强;徐平
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湘能华磊光电股份有限公司
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2017-10-16
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2019-09-06
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H01L33/06
- 本发明公开了一种LED外延生长的方法，包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长N型GaN层、生长量子阱层、生长电子阻挡层、生长高温P型GaN层和生长InxGa1‑xN:Si/AlyGa1‑yN:Si超晶格结构，降温冷却；其中：生长InxGa1‑xN:Si/AlyGa1‑yN:Si超晶格结构，进一步为：调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的InxGa1‑xN:Si；调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的AlyGa1‑yN:Si；交替生长InxGa1‑xN:Si和AlyGa1‑yN:Si，周期数为1‑10。通过InxGa1‑xN:Si/AlyGa1‑yN:Si超晶格结构材料来调整与AZO薄膜材料的势垒高度差，降低了接触电阻，从而减小了LED芯片的工作电压，提高了亮度。
- 一种led外延生长方法
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