[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810178872.5 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110233098A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 张丽杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成介质层，介质层内具有贯穿介质层的第一开口，第一开口暴露出部分基底表面。在第一开口底部形成界面层；形成界面层后，在第一开口侧壁和界面层表面形成栅介质层；在所述第一开口内形成位于栅介质层表面的调节功函数层；在所述第一开口内形成位于调节功函数层表面的阻挡层；在所述介质层上和第一开口内形成位于阻挡层表面的牺牲层；形成牺牲层之后，对栅介质层进行退火处理；退火处理后，去除牺牲层；去除牺牲层后，在阻挡层表面形成栅电极层，栅电极层填充满第一开口。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 介质层 牺牲层 半导体器件 阻挡层表面 功函数层 退火处理 栅电极层 栅介质层 界面层 基底 去除 界面层表面 基底表面 开口侧壁 阻挡层 对栅 暴露 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层，所述介质层内具有贯穿介质层的第一开口，所述第一开口暴露出部分基底表面。在所述第一开口底部形成界面层；形成所述界面层后，在所述第一开口侧壁和界面层表面形成栅介质层；在所述第一开口内形成位于栅介质层表面的调节功函数层；在所述第一开口内形成位于调节功函数层表面的阻挡层；在所述介质层上和第一开口内形成位于阻挡层表面的牺牲层；形成所述牺牲层之后，对所述栅介质层进行退火处理；退火处理后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层后，在所述阻挡层表面形成栅电极层，所述栅电极层填充满所述第一开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
